Tranzystory bipolarne (wyszukane: 2683)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Moc strat
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Częstotliwość graniczna
|
Obudowa
|
Producent
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: 2DB1386R-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
2DB1713-13
Trans GP BJT PNP 12V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
|
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: 2DB1713-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
2DC4617QLP-7B
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A Automotive 3-Pin DFN T/R
|
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: 2DC4617QLP-7B Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
2DC4617R-7-F
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin SOT-523 T/R
|
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: 2DC4617R-7-F Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
2DC4617S-7-F
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW Automotive 3-Pin SOT-523 T/R
|
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: 2DC4617S-7-F Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
2DC4672-13
Trans GP BJT NPN 50V 3A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
|
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: 2DC4672-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: 2DC4672-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: 2DD1664P-13 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
2N3055G ONS
Tranzystor NPN; 70; 115W; 60V; 15A; 2,5MHz; -65°C ~ 200°C;
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N3055G Obudowa dokładna: TO 3 |
Magazyn zewnetrzny:
650 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 70 | 115W | 60V | 15A | 2,5MHz | TO 3 | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 200°C | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N3055G Obudowa dokładna: TO 3 |
Magazyn zewnetrzny:
395 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 70 | 115W | 60V | 15A | 2,5MHz | TO 3 | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 200°C | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N3055G Obudowa dokładna: TO 3 |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 70 | 115W | 60V | 15A | 2,5MHz | TO 3 | ON SEMICONDUCTOR | -65°C ~ 200°C | |||||
SBC857BWT1G
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: SBC857BWT1G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
PBSS5160U
Trans GP BJT PNP 60V 1A 415mW Automotive 3-Pin SC-70 PBSS5160U,115
|
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PBSS5160U,115 Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
PBSS4350D
Trans GP BJT NPN 50V 3A Automotive 6-Pin TSOP PBSS4350D,115
|
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PBSS4350D,115 Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
BC817DSF
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 600mW Automotive 6-Pin TSOP
|
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC817DSF Obudowa dokładna: TSOP06 |
Magazyn zewnetrzny:
110000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
PBHV8215Z
Trans GP BJT NPN 150V 2A Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 PBHV8215Z,115
|
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PBHV8215Z,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PBHV8215Z,115 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
17000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
PBHV9115X
Trans GP BJT PNP 150V 1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 PBHV9115X,115
|
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PBHV9115X,115 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
2N3773
Tranzystor NPN; 60; 150W; 140V; 16A; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: 2N3773-CDI; 2N3773 SPTECH; 2N3773T3BL;
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N3773G Obudowa dokładna: TO 3 |
Magazyn zewnetrzny:
100 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 60 | 150W | 140V | 16A | TO 3 | PMC-Sierra | -65°C ~ 200°C | ||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N3773G Obudowa dokładna: TO 3 |
Magazyn zewnetrzny:
200 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 60 | 150W | 140V | 16A | TO 3 | PMC-Sierra | -65°C ~ 200°C | ||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N3773G Obudowa dokładna: TO 3 |
Magazyn zewnetrzny:
200 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 60 | 150W | 140V | 16A | TO 3 | PMC-Sierra | -65°C ~ 200°C | ||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-20
Ilość szt.: 100
|
||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-20
Ilość szt.: 100
|
||||||||||||||
2N3773
TRANS NPN 140V 16A TO3 SPTECH 2N3773; 2N3773-CDIL; T2N3773;
|
|||||||||||||||
Producent:
CDIL Symbol Producenta: 2N3773 Obudowa dokładna: TO 3 |
Magazyn zewnetrzny:
1100 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
BC817K-40HR
Trans GP BJT NPN 45V 0.5A 950mW Automotive 3-Pin SOT-23 BC817K-40HVL (350mW), BC817K-40VL (250mW) , BC817K-40R (250mW) , BC817K-40HR (350mW)
|
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BC817K-40HR Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
2N3904 DIOTEC
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 625mW Automotive 3-Pin TO-92 2N3904-DIO;
|
|||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: 2N3904 Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
2405 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: 2N3904 Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
2N3904BU
Tranzystor NPN; 300; 625mW; 40V; 200mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N3904TA;
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N3904TA Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 300 | 625mW | 40V | 200mA | 300MHz | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N3904TA Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 300 | 625mW | 40V | 200mA | 300MHz | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N3904BU Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
29000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 300 | 625mW | 40V | 200mA | 300MHz | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-25
Ilość szt.: 1500
|
||||||||||||||
BC857CDW1T1G
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BC857CDW1T1G Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MMBT5088LT1G
Tranzystor NPN; 900; 300mW; 30V; 50mA; 50MHz; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT5088LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
66000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 900 | 300mW | 30V | 50mA | 50MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||
2N4401TA TO92(tape) formed PIN
Tranzystor NPN; 300; 625W; 40V; 600mA; 250MHz; -55°C ~ 150°C; 2N4401TA; 2N4401TAR; 2N4401RLRAG (CUT T&R);
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N4401TA Obudowa dokładna: TO92ammoformed |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
2N4923G
Trans GP BJT NPN 80V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-225 Bulk
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N4923G Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N4923G Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
710 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N4923G Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
744 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
2N5401
Tranzystor PNP; 240; 625mW; 150V; 600mA; 400MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N5401-AP; 2N5401-G; 2N5401RLRAG; 2N5401UB1; 2N5401YBU; 2N5401YTA; 2N5401-CDI;
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N5401YTA Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 240 | 625mW | 150V | 600mA | 400MHz | TO92 | -55°C ~ 150°C | ||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-07-20
Ilość szt.: 2000
|
||||||||||||||
2N6284G ONS
Tranzystor NPN Darlington 100V 20A
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N6284G Obudowa dokładna: TO 3 |
Magazyn zewnetrzny:
200 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N6284G Obudowa dokładna: TO 3 |
Magazyn zewnetrzny:
174 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N6284G Obudowa dokładna: TO 3 |
Magazyn zewnetrzny:
275 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
2N6488
Tranzystor NPN; 200; 75W; 90V; 15A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Podobny do 2N6488G;
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N6488G Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
700 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 200 | 75W | 90V | 15A | 4MHz | TO220 | ARK | -55°C ~ 150°C | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N6488G Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1250 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 200 | 75W | 90V | 15A | 4MHz | TO220 | ARK | -55°C ~ 150°C | |||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-20
Ilość szt.: 448
|
||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-20
Ilość szt.: 500
|
||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-07-25
Ilość szt.: 1000
|
||||||||||||||
2N6491G
Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N6491G Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
350 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 130 | 75W | 80V | 15A | 5MHz | TO220 | ONSEMI | Nie dotyczy | -65°C ~ 150°C | ||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N6491G Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
100 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 130 | 75W | 80V | 15A | 5MHz | TO220 | ONSEMI | Nie dotyczy | -65°C ~ 150°C | ||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-31
Ilość szt.: 150
|
||||||||||||||
2N6520 TO92(Ammo)
PNP 350V 0.5A 0.625W 2N6520-AP 2N6520RLRAG
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N6520TA Obudowa dokładna: TO92ammoformed |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N6520TA Obudowa dokładna: TO92ammoformed |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: 2N7002VC-7 Obudowa dokładna: SOT563 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: 2N7002VC-7 Obudowa dokładna: SOT563 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: 2N7002VC-7 Obudowa dokładna: SOT563 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
PMBT3904VS
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A Automotive 6-Pin SOT-666 PMBT3904VS,115
|
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PMBT3904VS,115 Obudowa dokładna: SOT666 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory bipolarne
Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.
Tranzystor bipolarny – symbol
Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.
Działanie tranzystorów bipolarnych
W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.
Katalog tranzystorów bipolarnych
W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:
- współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
- mocą strat,
- maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- typem obudowy,
- zakresem temperatury pracy.
Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.
Zapraszamy do współpracy!