Tranzystory bipolarne (wyszukane: 2683)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Współczynnik wzmocnienia prądowego
|
Moc strat
|
Maksymalne napięcie kolektor-emiter
|
Maksymalny prąd kolektora
|
Częstotliwość graniczna
|
Obudowa
|
Producent
|
Układy tranzystorowe [T/N]
|
Temperatura pracy (zakres)
|
||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMBT489LT1G ON Semiconductor
NPN 30V 1A 710mW 100MHz Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 1A 100MHz 710mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT489LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT489LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT489LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MMBT5087
Trans Series 50 V CE Breakdown 0.1 A PNP General Purpose Amplifier - SOT-23 MMBT5087LT1G
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT5087LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT5087LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MMBT5089
Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 50mA 50MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-23) MMBT5089LT1G
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT5089LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT5089LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT5089LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MMBT5179
Trans RF BJT NPN 12V 0.05A 3-Pin SOT-23
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT5179 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
PUMH16 NXP
2NPN 50V 100mA 300mW
|
|||||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: PUMH16,115 Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MMBT5401-7-F
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R MMBT5401-13-F
|
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMBT5401-7-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
759000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMBT5401-13-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMBT5401-7-F Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
282000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MMBT5551
Tranzystor NPN; 250; 350mW; 160V; 600mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBT5551-TP; MMBT5551LT1; MMBT5551-YAN; MMBT5551-DIO;
|
|||||||||||||||
Producent:
DIOTEC Symbol Producenta: MMBT5551 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
93000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 250 | 350mW | 160V | 600mA | 100MHz | SOT23 | -55°C ~ 150°C | ||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-25
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||
MMBT6428
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 200mA 700MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-) MMBT6428LT1G
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT6428LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT6428LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MMBT6429LT1G
NPN 200mA 45V 225mW 700MHz
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT6429LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 700MHz | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT6429LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 700MHz | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT6429LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 700MHz | ||||||||||||
MMBT6520LT1G
PNP 500mA 350V 225mW 200MHz
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT6520LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 200MHz | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBT6520LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 200MHz | ||||||||||||
MMBTA06WT1G
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBTA06WT1G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MMBTA13
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 225mW 3-Pin SOT-23
|
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMBTA13-7-F Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MMBTA28 ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 80V 0.8A 350mW 3-Pin SuperSOT T/R
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBTA28 Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MMBTA28-7-F
Trans Darlington NPN 80V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
|
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMBTA28-7-F Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
153000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMBTA28-7-F Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
312000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMBTA28-7-F Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MMBTA63-7-F
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBTA63LT1G Obudowa dokładna: |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MMBTA64
Tranzystor PNP; 20000; 300mW; 30V; 500mA; 125MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBTA64; MMBTA64LT1G; MMBTA64-7-F;
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBTA64LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 20000 | 300mW | 30V | 500mA | 125MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBTA64LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 20000 | 300mW | 30V | 500mA | 125MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMBTA64-7-F Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 20000 | 300mW | 30V | 500mA | 125MHz | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | |||||
MMBTH10
Tranzystor NPN; 60; 350mW; 25V; 50mA; 650MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMBTH10LT1G; MMBTH10-7-F;
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBTH10LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 60 | 350mW | 25V | 50mA | 650MHz | SOT23 | LGE | -55°C ~ 150°C | |||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBTH10LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
NPN | 60 | 350mW | 25V | 50mA | 650MHz | SOT23 | LGE | -55°C ~ 150°C | |||||
MMDT2227-7-F
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW Automotive SOT363-6
|
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMDT2227-7-F Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
192000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMDT2227-7-F Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
171000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MMDT3904-7-F
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 200mW Automotive SOT363-6
|
|||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMDT3904-7-F Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMDT3904-7-F Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
132000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: MMDT3904-7-F Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
195000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MMUN2114LT1G
Tranzystor PNP; 140; 400mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: MMUN2114LT3G;
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2114LT3G Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
PNP | 140 | 400mW | 50V | 100mA | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||
MMUN2130LT1G
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMUN2130LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MUN2214T1G
NPN Digi Transistor, 100mA 50 V 10 kOhm, Ratio Of 0.21, 3-Pin SC-59 MUN2214T3G
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN2214T1G Obudowa dokładna: SC-59 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MUN2215T1G ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN2215T1G Obudowa dokładna: SC59 |
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MUN5233T1G
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-70 T/R
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5233T1G Obudowa dokładna: SC70-3 t/r |
Magazyn zewnetrzny:
1509000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5233T1G Obudowa dokładna: SC70-3 t/r |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5233T1G Obudowa dokładna: SC70-3 t/r |
Magazyn zewnetrzny:
87000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MUN5111T1G
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW 3-Pin SC-70
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5111T1G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5111T1G Obudowa dokładna: SC70-3 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MUN5111DW1T1G ONSemiconductor
Tranzystor 2xPNP; 60; 385mW; 50V; 100mA; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5111DW1T1G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xPNP | 60 | 385mW | 50V | 100mA | SOT363 | ON SEMICONDUCTOR | -55°C ~ 150°C | ||||||
MUN5113DW1T1G ONSemiconductor
2PNP 100mA 50V 250mW
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5113DW1T1G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5113DW1T1G Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MUN5114T1G
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 310mW Automotive 3-Pin SC-70
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5114T1G Obudowa dokładna: SC70-3 t/r |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5114T1G Obudowa dokładna: SC70-3 t/r |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5114T1G Obudowa dokładna: SC70-3 t/r |
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MUN5115DW1T1G
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5115DW1T1G Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
126000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5115DW1T1G Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
||||||||||||||
MUN5116DW1T1G ONS
2PNP 50V 100mA 250mW
|
|||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MUN5116DW1T1G Obudowa dokładna: SOT363 t/r |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
Tranzystory bipolarne
Wynalezione w połowie XX wieku tranzystory odegrały istotną rolę w kształtowaniu współczesnej elektroniki. Dzięki nim jest obecnie możliwe korzystanie ze zminiaturyzowanych urządzeń technologii użytkowej. Z tego względu tranzystory bipolarne są uważane za jedne z najbardziej rozpowszechnionych podzespołów, bez których niemożliwe by było tworzenie nowoczesnych projektów układów scalonych.
Tranzystor bipolarny – symbol
Tranzystory bipolarne to elektroniczne elementy półprzewodnikowe wykorzystywane do sterowania przepływem prądu i wzmacniania sygnału. Są zbudowane z trzech warstw, które składają się z emitera, bazy i kolektora połączonych krzemową płytką. W zależności od sposobu przewodnictwa wyróżnia się tranzystory pnp i npn. Charakteryzują się one podobnym schematem działania, a różnice wynikają z kierunku sterowania oraz sposobu spolaryzowania względem emitera. Jeżeli chodzi o tranzystor bipolarny, symbol z zaznaczonym kierunkiem strzałki sugeruje, z jakim rodzajem podzespołu masz do czynienia.
Działanie tranzystorów bipolarnych
W urządzeniach elektronicznych wykorzystuje się bipolarne tranzystory w celu kontroli natężenia przepływającego sygnału elektrycznego. Znajdują one zastosowanie w różnego rodzaju układach elektronicznych takich jak np. wzmacniacze, modulatory sygnału, stabilizatory czy generatory impulsów. Działanie tranzystora bipolarnego polega na bezpiecznym przekształcaniu prądu o małym natężeniu w sygnały elektryczne o większej mocy tak, aby nie dopuścić do przeciążenia całego układu.
Katalog tranzystorów bipolarnych
W naszej ofercie znajdziesz tranzystory bipolarne od najlepszych producentów. W sprzedaży mamy tylko produkty najwyższej jakości, które cechują się niezawodnością i wytrzymałością. Katalog tranzystorów bipolarnych obejmuje podzespoły, różniące się od siebie:
- współczynnikiem wzmocnienia prądowego,
- mocą strat,
- maksymalnym napięciem na linii kolektor-emiter,
- maksymalnym prądem kolektora,
- typem obudowy,
- zakresem temperatury pracy.
Kierując się poszczególnymi parametrami, możesz precyzyjnie dobrać tranzystor bipolarny do konkretnego przeznaczenia.
Zapraszamy do współpracy!