Tranzystory polowe (wyszukane: 5612)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STP36NF06
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 70W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP55NF06; Wycofano z produkcji;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 60V | 20V | 40mOhm | 30A | 70W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
STP55NF06
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP36NF06; HT55NF06ASZ;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
STP6N120K3
Tranzystor N-MOSFET; 1200V; 30V; 2,4Ohm; 6A; 150W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 1200V | 30V | 2,4Ohm | 6A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
VBZM75NF75
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 9mOhm; 100A; 180W; -55°C~150°C; STP75NF75-VB;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 80V | 20V | 9mOhm | 100A | 180W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VBSEMI ELEC | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
STP80NF55-06FP
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 6,5mOhm; 60A; 45W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 55V | 20V | 6,5mOhm | 60A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | STMicroelectronics | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
STP80NF55L-06
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 55V; 16V; 8mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 55V | 55V | 16V | 8mOhm | 80A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | |||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
STQ1HNK60R
N-CHANNEL 600V 8Ohm 1A TO-92 SuperMESH PowerMOSFET STQ1HNK60R-AP
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 600V | 600V | 30V | 8,5Ohm | 400mA | 3W | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ST | |||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
STW10N105K5 STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 1.05KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SUD40N10-25-E3
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 63mOhm; 40A; 136W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 100V | 20V | 63mOhm | 40A | 136W | SMT | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | VISHAY | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
60N06
Tranzystor MOSFET; TO-252; N-Channel; NO ESD; 60V; 50A; 69W; 1.4V; 14mΩ; 15mΩ SUD50N06-09L; FDD5680; G58N06K GOFORD
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
G70P04K
Tranzystor MOSFET; TO-252; P-Channel; NO ESD; -40V; -70A; 156W; -1.4V; 7mΩ; 9mΩ SUD50P04-08;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SUD50P04-09L-E3
Single P-Channel MOSFET 40V 0.0094 Ohm
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SUM110N10-09-E3
Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK PODOBNY DO TIRFS4410Z
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SUM80090E-GE3
Trans MOSFET N-CH 150V 128A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SUM90140E-GE3
Trans MOSFET N-CH 200V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
SUP57N20-33-E3 VISHAY
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 93mOhm; 57A; 300W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||
N-MOSFET | 200V | 20V | 93mOhm | 57A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | ||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
GT080N10T
Tranzystor MOSFET; TO-220; N-Channel; NO ESD; 100V; 70A; 100W; 1.5V; 6mΩ; 8mΩ SUP70090E;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
STF10N105K5
Trans MOSFET N-CH 1.05KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TC6320TG-G
N/P-MOSFET 2A 200V 7/8Ω
|
|||||||||||||
N/P-MOSFET | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | MICROCHIP | |||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TK100E08N1,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 80V 214A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Odpowiednik: TK100E08N1,S1X(S; TK100E08N1,S1X; TK100E08N1;
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TK110P10PL,RQ(S2
Mosfet, N-ch, 100V, 40A, TO-252
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TK17E80W,S1X(S
PWR-MOSFET N-CHANNEL
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TK2P90E,RQ(S
MOSFETs Silicon N-Channel MOS
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TK31E60W,S1VX(S
Trans MOSFET N-CH Si 600V 30.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TK40E06N1,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Magazine TK40E06N1 TK40E06N1,S1X(S
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TK46E08N1,S1X(S
Trans MOSFET N-CH Si 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TK7S10N1Z,LQ(O
Trans MOSFET N-CH Si 100V 7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||
TK8A50D(Q)
Trans MOSFET N-CH Si 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS
|
|||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.