Tranzystory polowe (wyszukane: 5612)

1    178  179  180  181  182  183  184  185  186    188
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
NTTFS5826NLTAG Trans MOSFET N-CH 60V 20A 8-Pin WDFN EP
NTTFS5826NLTAG  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NTTFS5C673NLTAG Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin WDFN EP
NTTFS5C673NLTAG  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NVBG015N065SC1 onsemi SIC MOS D2PAK-7L 650V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NVBG015N065SC1 onsemi  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NVD5C648NLT4G Trans MOSFET Single N-Channel Power; 60V; 18A; Automotive;
NVD5C648NLT4G DPAK
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NVH4L015N065SC1 onsemi SIC MOS TO247-4L 650V Transistors - FETs, MOSFETs - Single
NVH4L015N065SC1 onsemi  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NVMFS6B14NLT1G Trans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL
NVMFS6B14NLT1G DFN5
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NVMFWS014P04M8LT1G P-Channel 40 V 12.5A (Ta), 52.1A (Tc) 3.6W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
NVMFWS014P04M8LT1G DFN5
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NVTFS5116PLWFTAG Trans MOSFET P-CH 60V 6A Automotive 8-Pin WDFN EP
NVTFS5116PLWFTAG WDFN8(5x6)
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NXH010P120MNF1PG onsemi PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NXH010P120MNF1PG onsemi  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NXH010P120MNF1PNG onsemi PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NXH010P120MNF1PNG onsemi  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
NXH010P120MNF1PTNG onsemi PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MO Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NXH010P120MNF1PTNG onsemi  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
PD20015-E STMicroelectronics Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
PD20015-E  STMicroelectronics PowerSO-10
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
PE537BA PDFN3x3 MOSFETs ROHS
PE537BA  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
BSP33,115 Trans GP BJT PNP 80V 1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73
BSP33,115 SOT223
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
PJA3404_R1_00001 SOT-23, MOSFET PJA3404-R1; PJA3404_R2_00001; PJA3404_R1_00001;
PJA3404_R1_00001 SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
PJA3415A_R1_00001 SOT-23, MOSFET PJA3415A_R1_00001; PJA3415A_R2_00001
PJA3415A_R1_00001 SOT23
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
PJA3461_R1_00001 SOT-23, MOSFET PJA3461_R1_00001; PJA3461_R2_00001;
PJA3461_R1_00001 SOT-23 t/r
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
PJA3461-AU_R1_000A1 SOT-23, MOSFET PJA3461-AU_R1_000A1; PJA3461-AU_R2_000A1; PJA3461-AU-R1
PJA3461-AU_R1_000A1  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
PJQ4848P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. 40V DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT M Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
PJQ4848P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc.  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
FDB075N15A Trans MOSFET N-CH 150V 130A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
FDB075N15A D2PAK
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
PMG85XP NEXPERIA Trans MOSFET P-CH 20V 2A 6-Pin TSSOP PMG85XP PMG85XP,115
PMG85XP NEXPERIA  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
PMPB19XP Trans MOSFET P-CH 20V 7.2A 6-Pin DFN-MD EP
PMPB19XP  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
PMV30ENEAR PMV30ENEA/SOT23/TO-236AB Transistors - FETs, MOSFETs - Single
PMV30ENEAR TO236AB
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
PMXB43UNEZ Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3-Pin DFN-D EP
PMXB43UNEZ  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
PMXB75UPEZ Trans MOSFET P-CH 20V 2.9A 3-Pin DFN-D EP
PMXB75UPEZ  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
PMZ390UNEYL Trans MOSFET N-CH 30V 0.9A 3-Pin DFN
PMZ390UNEYL  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
PSMN1R0-30YLDX NEXPERIA Trans MOSFET N-CH 30V 300A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
PSMN1R0-30YLDX NEXPERIA  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
PSMN2R4-30MLDX Trans MOSFET N-CH 30V 70A 8-Pin LFPAK EP PSMN2R4-30MLDX PSMN2R4-30MLD115
PSMN2R4-30MLDX LFPAK
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
PSMN3R0-60BS,118 NEXPERIA Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
PSMN3R0-60BS,118 NEXPERIA  
 
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
PSMN3R7-100BSE NEXPERIA Tranzystor N-MOSFET; 100V; 100V; 20V; 10,7mOhm; 120A; 405W; -55°C ~ 175°C;
PSMN3R7-100BSE NEXPERIA TO263 (D2PAK)
  N-MOSFET 100V 100V 20V 10,7mOhm 120A 405W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) NXP
 
Pozycja dostępna na zamówienie
                     
1    178  179  180  181  182  183  184  185  186    188

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.