Tranzystory polowe (wyszukane: 5463)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR4620TRLPBF
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 78mOhm; 24A; 144W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR4620; IRFR4620PBF; IRFR4620TRLPBF; IRFR4620PBF-GURT; SP001552208;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR4620TRLPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
380 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 400 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 78mOhm | 24A | 144W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR4620TRLPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 78mOhm | 24A | 144W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR4620TRLPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
4350 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 78mOhm | 24A | 144W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
AOTF16N50
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 370mOhm; 16A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 370mOhm | 16A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 370mOhm | 16A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
IRFU9024NPBF
Tranzystor P-MOSFET; 55V; 20V; 175mOhm; 11A; 38W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 175mOhm | 11A | 38W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFU9024NPBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
1230 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 15 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 175mOhm | 11A | 38W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFU9024NPBF Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
29756 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 175mOhm | 11A | 38W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRL2203N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 10mOhm; 116A; 180W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRL2203NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
248 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 16V | 10mOhm | 116A | 180W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
IRL540N UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 28mOhm; 30A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRL540PBF; IRL540NPBF; SP001576440;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
110 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 28mOhm | 30A | 75W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | UMW | |||||||||||||
IRLML0030TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 5,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0030TRPBF; IRLML0030PBF; IRLML0030PBF-GURT; IRLML0030; IRLML0030TR; IRLML0030TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0030TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
19271 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 40mOhm | 5,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23t/r | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0030TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1935000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 40mOhm | 5,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23t/r | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML0030TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
21500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 40mOhm | 5,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23t/r | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRLML0030TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
175 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 40mOhm | 5,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23t/r | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-10
Ilość szt.: 9000
|
|||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-06-13
Ilość szt.: 30000
|
|||||||||||||||||||||||
IRLML2244TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2244TRPBF; SP001576936;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
980 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 85mOhm | 5A | 1,31W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
IRLML2244TR UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2244TRPBF; SP001576936;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
450 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 95mOhm | 4,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
IRLML2244TRPBF tranzystor polowy Infineon Technologies
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 95mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2244PBF; IRLML2244TRPBF; TCJ2321; IRLML2244;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2244TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1380 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 95mOhm | 4,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2244TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
2145000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 95mOhm | 4,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2244TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
183000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 95mOhm | 4,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2244TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
159300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 95mOhm | 4,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRLML2246
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 12V; 236mOhm; 2,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2246PBF; IRLML2246TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2246TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
172 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/9000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 236mOhm | 2,6A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Stan magazynowy:
925 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1925 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 236mOhm | 2,6A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2246TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 236mOhm | 2,6A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2246TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
33000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 236mOhm | 2,6A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2246TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
4700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 236mOhm | 2,6A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRLML2246TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1422 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 236mOhm | 2,6A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRLML2402
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 350mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; LTB:31-JULY-2024; Odpowiednik: IRLML2402TRPBF; IRLML2402PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2402TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
6181 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 350mOhm | 1,2A | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2402TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
99100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 350mOhm | 1,2A | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
AOTF9N70
Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 1,2Ohm; 9A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF9N70 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 700V | 30V | 1,2Ohm | 9A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
IRLR2905 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 30A; 55W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR2905PBF; IRLR2905TRLPBF; IRLR2905TRPBF; IRLR2905TRRPBF; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 40mOhm | 30A | 55W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | UMW | |||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 40mOhm | 30A | 55W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | UMW | |||||||||||||
IRLR3410
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
126 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 16V | 155mOhm | 17A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR3410TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
1504000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 16V | 155mOhm | 17A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR3410TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
200000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 16V | 155mOhm | 17A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR3410TRLPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 16V | 155mOhm | 17A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | |||||||||||||
Stan magazynowy:
600 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 600 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 16V | 155mOhm | 17A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | |||||||||||||
IRLR3410TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 155mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 16V | 155mOhm | 17A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | UMW | |||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 16V | 155mOhm | 17A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | UMW | |||||||||||||
IRLR8743TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 3,9mOhm; 160A; 135W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8743TRLPBF; IRLR8743TRPBF; IRLR8743PBF; IRLR8743PBF-GURT; IRLR8743;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 3,9mOhm | 160A | 135W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8743TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 3,9mOhm | 160A | 135W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8743TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
46350 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 3,9mOhm | 160A | 135W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8743TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 3,9mOhm | 160A | 135W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRLZ34N UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ34PBF; IRLZ34PBF-BE3; IRLZ34NPBF; SP001553290;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 16V | 60mOhm | 30A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | UMW | |||||||||||||
IRLZ34N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 60mOhm; 30A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLZ34NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 16V | 60mOhm | 30A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLZ34NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3370 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 16V | 60mOhm | 30A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLZ34NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 16V | 60mOhm | 30A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLZ34NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
8512 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 16V | 60mOhm | 30A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
LGE2304
Tranzystor N-Channel MOSFET; unipolar; 30V; 20V; 75mOhm; 3,3A; 0,35W; -50°C ~ 155°C; Odpowiednik: LGE2304-LGE;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 30V | 2,2V | 20V | 75mOhm | 3,3A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | LGE | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-08-20
Ilość szt.: 3000
|
|||||||||||||||||||||||
MCM3400A-TP
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin DFN EP
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: MCM3400A-TP RoHS Obudowa dokładna: DFN06 |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
|||||||||||||||||||||||
BSP149
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 3,5Ohm | 660mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223-3 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 3,5Ohm | 660mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223-3 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP149H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-3 |
Magazyn zewnetrzny:
215000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 3,5Ohm | 660mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223-3 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSP149H6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT223-3 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 3,5Ohm | 660mA | 1,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223-3 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSS131 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 110mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS131H6327XTSA1; BSS131E6327; BSS131L6327HTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 240V | 20V | 20Ohm | 110mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | SLKOR | |||||||||||||
BSS138DW-7-F Diodes INCORPORATED
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 3,5Ohm; 200mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
135 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 3,5Ohm | 200mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC70-6 | DIODES | ||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS138DW-7-F Obudowa dokładna: SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
255000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 3,5Ohm | 200mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC70-6 | DIODES | ||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS138DW-7-F Obudowa dokładna: SC70-6 |
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 3,5Ohm | 200mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC70-6 | DIODES | ||||||||||||
IRF3805SPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRLPBF; IRF3805S-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5mOhm | 270mA | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | VBsemi | |||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5mOhm | 270mA | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | VBsemi | |||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 40 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5mOhm | 270mA | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | VBsemi | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3805STRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5mOhm | 270mA | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | VBsemi | |||||||||||||
BSS138LT1G smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 200mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138L; BSS138; BSS138TA; BSS138LT3G; BSS138-YAN; BSS138-TP; BSS138LT7G; BSS138LT1G;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
36322 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/30000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 200mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS138L Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
261000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 200mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS138L Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 200mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BSS138LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
309000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 200mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-16
Ilość szt.: 30000
|
|||||||||||||||||||||||
SI2305CDS Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 8V; 8V; 65mOhm; 5,8A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2305CDST1GE3; SI2305CDS-T1-GE3; SI2305DS; SI2305-TP; SI2305CDS-T1-BE3; KSI2305CDS-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
KUU Symbol Producenta: SI2305CDS-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 8V | 8V | 65mOhm | 5,8A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: SI2305CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 8V | 8V | 65mOhm | 5,8A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2305CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 8V | 8V | 65mOhm | 5,8A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
BSS84
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS84-7-F;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
HOTTECH Symbol Producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
330 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/18000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 10Ohm | 150mA | 357mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: BSS84 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
7000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 10Ohm | 150mA | 357mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ||||||||||||||
SI4463BDY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 20mOhm; 9,8A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4463BDY-T1-E3; SI4463BDY-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4463BDY-T1-E3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
3137 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 20mOhm | 9,8A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4463BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 400 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 20mOhm | 9,8A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4463BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 20mOhm | 9,8A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
BSS84 SOT23 HUASHUO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 300mA; 6Ohm; 20V; 350mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: HSS2301C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 6Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -40°C ~ 150°C | SOT23 | HUASHUO | |||||||||||||
SIL2308-TP Micro Commercial Components
Tranzystor Dual N/P-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; +/-12V; 38mOhm; 5A/4A; -55°C~150°C; Odpowiednik: SIL2308-TP-HF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN/P-MOSFET | 20V | 12V | 38mOhm | 5A | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-6L | MCC | ||||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: SIL2308-TP Obudowa dokładna: SOT23-6L |
Magazyn zewnetrzny:
63000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN/P-MOSFET | 20V | 12V | 38mOhm | 5A | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-6L | MCC |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.