Tranzystory polowe (wyszukane: 2091)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFP9240
Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 500mOhm; 12A; 150W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFP9240PBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFP9240PBF RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 200V | 20V | 500mOhm | 12A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | VISHAY | ||||||||||||
IRFTS9342
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 66mOhm; 5,8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFTS9342TRPBF; TECH PUBLIC TPIRFTS9342TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: TPIRFTS9342TRPBF RoHS Obudowa dokładna: TSOP06 t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 66mOhm | 5,8A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOP06 | Infineon (IRF) | ||||||||||||
IRFU024N
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU024NPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
N-MOSFET | 55V | 20V | 75mOhm | 17A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251 (IPACK) | International Rectifier | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-06-30
Ilość szt.: 75
|
||||||||||||||||||||||
IRLB3034
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 343A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLB3034PBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
27 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 2mOhm | 343A | 375W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | ||||||||||||
IRLML6344TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6344TRPBF; SP001574050;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
560 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 55mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | ||||||||||||
IRLML6344TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 37mOhm; 5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6344TRPBF; SP001574050;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 37mOhm | 5A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | ||||||||||||
IRLML6344TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 37mOhm; 5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6344TRPBF; IRLML6344PBF; SP001574050; MA005540618; IRLML6344; IRLML6344TR;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6344TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
19763 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/45000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 37mOhm | 5A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | ||||||||||||
SPB17N80C3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 670mOhm; 17A; 227W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPB17N80C3ATMA1;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 800V | 20V | 670mOhm | 17A | 227W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | Infineon Technologies | ||||||||||||
STP55NF06
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 50A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP36NF06; HT55NF06ASZ;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
540 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 18mOhm | 50A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||
TSM2308CX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 192mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TSM2308CX RFG;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 192mOhm | 3A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TAI-SEM | ||||||||||||
BSH114
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 1,15Ohm; 850mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH114,235; BSH114,215; BSH114-VB;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
63 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 1,15Ohm | 850mA | 830mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | ||||||||||||
BSS84AK,215
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 180mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84AK,215; BSS84AK.215;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 50V | 20V | 13,5Ohm | 180mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | ||||||||||||
BSS84PH6327XTSA2
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12Ohm; 170mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84P-E6327; BSS84P-H6327(Halogen free); BSS84P-L6327(Pb-free); BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH7894XTMA1; BSS84PH6433; BSS84P;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
43951 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | ||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | ||||||||||||
BSS84PWH Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12Ohm; 150mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84PWH6327XTSA1; BSS84PWH6327; SP000917564;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15730 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 150mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | ||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 150mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | ||||||||||||
DMG1012UW-7 Diodes
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 6V; 750mOhm; 1A; 290mW; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 6V | 750mOhm | 1A | 290mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | DIODES | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-07-19
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-07-26
Ilość szt.: 12000
|
||||||||||||||||||||||
FDS6681Z
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 6,5mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
P-MOSFET | 30V | 25V | 6,5mOhm | 20A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-07-26
Ilość szt.: 50
|
||||||||||||||||||||||
FDS9926A
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 50mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
165 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 10V | 50mOhm | 6,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
FQT5P10TF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 30V; 1,05Ohm; 1A; 2W; -55°C ~ 150°C; FQT5P10TF-TP; FQT5P10TF-VB;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: FQT5P10TF-TP RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 30V | 1,05Ohm | 1A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: FQT5P10TF-VB RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 30V | 1,05Ohm | 1A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-07-30
Ilość szt.: 350
|
||||||||||||||||||||||
IRF7303
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7303PBF; IRF7303TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7303TR RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
114 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 80mOhm | 4,9A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | INFINEON | ||||||||||||
IRF7313 smd
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7313PBF; IRF7313TRPBF; IRF7313PBF-GURT;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 46mOhm | 6,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | ||||||||||||
IRF7317TRPBF
Tranzystor 2xN/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 46mOhm/98mOhm; 6,6A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; LTB:31-JULY-2024; Odpowiednik: IRF7317PBF; IRF7317TRPBF; IRF7317PBF-GURT; IRF7317 SMD; IRF7317TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN/P-MOSFET | 20V | 12V | 98mOhm | 6,6A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | ||||||||||||
IRF7401
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7401PBF (95/Tube); IRF7401TRPBF(4000/Tape&Reel); IRF7401PBF-GURT; IRF7401TRPBF-VB;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
179 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 30mOhm | 8,7A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | ||||||||||||
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: IRF7401TRPBF-VB RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 30mOhm | 8,7A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | ||||||||||||
IRF830PBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 1,5Ohm; 4,5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF830PBF; IRF830;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF830 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
283 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 20V | 1,5Ohm | 4,5A | 74W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | ||||||||||||
IRFR4105
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 27A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR4105TRPBF; IRFR4105PBF; IRFR4105PBF-GURT; IRFR4105TRLPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 45mOhm | 27A | 68W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR4105TR RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
598 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 45mOhm | 27A | 68W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | ||||||||||||
IRFR9024N HXY MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 10A; 31,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR9024NPBF; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NTRRPBF; SP001550224; SP001557198; SP001557190; SP001552248;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 130mOhm | 10A | 31,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | HXY MOSFET | ||||||||||||
IRFR9024NTRPBF JGSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 180mOhm; 8A; 15,6W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRFR9024NPBF; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NTRRPBF; SP001550224; SP001557198; SP001557190; SP001552248;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 180mOhm | 8A | 15,6W | SMD | -55°C ~ 125°C | TO252 (DPACK) | JGSEMI | ||||||||||||
IRFR9024N JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 120mOhm; 15A; 36W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR9024NPBF; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NTRRPBF; SP001550224; SP001557198; SP001557190; SP001552248;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 25V | 120mOhm | 15A | 36W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | JSMICRO | ||||||||||||
IRFR9024NTR UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 20A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR9024NPBF; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NTRRPBF; SP001550224; SP001557198; SP001557190; SP001552248;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 105mOhm | 20A | 34,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | UMW | ||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 105mOhm | 20A | 34,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | UMW | ||||||||||||
IRFR9024
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 8,8A; 42W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR2024TRPBF; IRFR9024PBF; IRFR9024TRLPBF; IRFR9024TRRPBF; IRFR9024PBF-GURT; IRFR9024TRPBF; IRFR9024TRPBF-BE3; IRFR 9024 PBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFR9024 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 280mOhm | 8,8A | 42W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | VISHAY | ||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFR9024PBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Stan magazynowy:
165 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 280mOhm | 8,8A | 42W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | VISHAY | ||||||||||||
IRFR9024N
Tranzystor P-MOSFET; 55V; 20V; 175mOhm; 11A; 38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR9024NPBF; IRFR9026NTRPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NPBF-GURT; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR9024NTRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
1046 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 175mOhm | 11A | 38W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.