Tranzystory polowe (wyszukane: 2091)

1    1  2  3  4  5  6  7  8  9    70
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
ZXM61N02FTA SOT-23-3 MOSFETs ROHS ZXM61N02FTA-VB;
ZXM61N02FTA SOT23
                       
Pozycja dostępna na zamówienie
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-07-30
Ilość szt.: 5
                   
IRLR2908 Tranzystor N-MOSFET; 80V; 16V; 30mOhm; 39A; 120W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR2908PBF; IRLR2908TRLPBF; IRLR2908TRPBF; IRLR2908PBF-GURT; IRLR2908TRLPBF;
IRLR2908TR RoHS || IRLR2908 TO252 (DPACK)
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRLR2908TR RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
cena netto (PLN) 4,7700 3,3400 2,7500 2,5400 2,5100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 80V 16V 30mOhm 39A 120W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon (IRF)
NTD5865NLT4G Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 19mOhm; 46A; 71W; -55°C ~ 175°C;
NTD5865NLT4G RoHS || NTD5865NLT4G TO252 (DPACK)
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
NTD5865NLT4G RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
 
Stan magazynowy:
70 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,6600 2,3000 1,9100 1,7000 1,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 19mOhm 46A 71W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR
NTD5867NLT4G Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 20A; 36W; -55°C ~ 150°C;
NTD5867NLT4G RoHS || NTD5867NLT4G TO252 (DPACK)
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
NTD5867NLT4G RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 3,7700 2,3700 1,8600 1,6900 1,6400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 50mOhm 20A 36W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR
SI4435DDY Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4435DDY-T1-GE3; SI4435DDY-T1-E3; SI4435DDY-GE3;
SI4435DDY-T1-GE3 RoHS || SI4435DDY SOP08
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI4435DDY-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
75 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,4200 1,5200 1,2600 1,1200 1,0500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 35mOhm 11,4A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SPD06N80C3 Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPD06N80C3ATMA1; SPD06N80C3BTMA1;
SPD06N80C3ATMA1 RoHS || SPD06N80C3 TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPD06N80C3ATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 16,3800 13,7900 12,2300 11,4600 10,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 800V 20V 2,1Ohm 6A 83W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
STP16NF06 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 16A; 45W; -55°C ~ 175°C;
STP16NF06 RoHS || STP16NF06 TO220
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STP16NF06 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,5700 2,2600 1,7800 1,6200 1,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 100mOhm 16A 45W THT -55°C ~ 175°C TO220 STMicroelectronics
STW12NK90Z Tranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 880mOhm; 11A; 230W; -55°C ~ 150°C;
STW12NK90Z RoHS || STW12NK90Z TO247
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STW12NK90Z RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
94 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 120+ 240+
cena netto (PLN) 13,0600 10,7700 9,7500 9,4200 9,3300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 900V 30V 880mOhm 11A 230W THT -55°C ~ 150°C TO247 STMicroelectronics
FDN338P SOT23-3 HUASHUO Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C;
FDN338P RoHS || FDN338P SOT23-3 HUASHUO SOT23
Producent:
HUASHUO
Symbol Producenta:
FDN338P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2191 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2191+
cena netto (PLN) 0,7320 0,3470 0,1940 0,1470 0,1330
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2191
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 140mOhm 3A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Huashuo Semiconductor
 
Producent:
HUASHUO
Symbol Producenta:
FDN338P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
809 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 150+ 809+ 4045+
cena netto (PLN) 0,7320 0,2920 0,1790 0,1430 0,1330
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
809
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 140mOhm 3A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Huashuo Semiconductor
AS2302 Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 60mOhm; 3,5A; 1W; -55°C~150°C; Odpowiednik : SI2302;
AS2302 RoHS || AS2302 SOT23
Producent:
AnBon
Symbol Producenta:
AS2302 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
9000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4940 0,2270 0,1230 0,0922 0,0823
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/9000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 10V 60mOhm 3,5A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 AnBon
AS3400 Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 51mOhm; 5,6A; 1,2W; -55°C~150°C;
AS3400 RoHS || AS3400 SOT23
Producent:
AnBon
Symbol Producenta:
AS3400 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7810 0,3710 0,2090 0,1580 0,1420
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 12V 51mOhm 5,6A 1,2W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 AnBon
KIRFR9024NTRTBF TO252 KUU Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 8,8A; 50W; -55°C ~ 155°C;
KIRFR9024NTRTBF RoHS || KIRFR9024NTRTBF TO252 KUU TO252
Producent:
kuu semiconductor
Symbol Producenta:
KIRFR9024NTRTBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,4400 1,5300 1,2700 1,1300 1,0600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 200mOhm 8,8A 50W SMA -55°C ~ 155°C TO252 KUU
IRLML6344 SOT23 Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 5A; 29mOhm; 12V; 1,3W; -55°C~150°C; Odpowiednik: YJL3400A-F2-0000HF;
IRLML6344 RoHS || YJL3400A-F2-0000HF RoHS || IRLML6344 SOT23 SOT23
Producent:
HOTTECH
Symbol Producenta:
IRLML6344 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,0700 0,5430 0,3290 0,2610 0,2380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 12V 29mOhm 5A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HOTTECH
 
Producent:
YY
Symbol Producenta:
YJL3400A-F2-0000HF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8200 0,3890 0,2190 0,1660 0,1490
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 12V 29mOhm 5A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HOTTECH
2N7002 SOT23 YANGJIE Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-YAN;
2N7002-F2-0000HF RoHS || 2N7002 SOT23  YANGJIE SOT23
Producent:
YY
Symbol Producenta:
2N7002-F2-0000HF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2600 0,0974 0,0521 0,0389 0,0359
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
MOSFET 60V 20V 3Ohm 340mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-10-10
Ilość szt.: 9000
                   
BSS138 China Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138-TP; BSS138-13-F; BSS138LT1G-MS MSKSEMI; BSS138-7-F; BSS138TA; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138-FAI; BSS138P,215; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138LT1G-HXY;
BSS138 RoHS || BSS138 China SOT23
Producent:
YY
Symbol Producenta:
BSS138 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3370 0,1330 0,0777 0,0568 0,0519
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/27000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 50V 20V 6Ohm 220mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-10-10
Ilość szt.: 15000
                   
12N65 Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 12A; 0,54Ohm; 33.2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65; LNC12N65; HFS12N65S; SMIRF12N65T2TL; FHP12N65C; TSF12N65M; KIA12N65H; FIR12N65FG; SE12N65F; JSC12N65FT; SVF12N65F; TMA12N65H; SPC12N65G; FIR12N65FG; IXFP12N65X2M; JSC12N65FT; SMIRF12N65T1TL; CS12N65FA9H; SVF12N65CKL; CS12N65FA9R; SVF12N65F(S); 12N65KL-TF1-T; JSC12N65FC-220MF; JSC12N65FT-220MF;
12N65 RoHS || 12N65 TO220iso
Producent:
LGE
Symbol Producenta:
12N65 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,9100 2,4500 1,9200 1,8100 1,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET 650V 30V 540mOhm 12A 33W THT -55°C ~ 150°C TO220iso LGE
2N7002PS NXP Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002PS.115; 2N7002PS,125;
2N7002PS RoHS || 2N7002PS NXP SC-88
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
2N7002PS RoHS
Obudowa dokładna:
SC-88 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2990 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0500 0,5540 0,4300 0,3970 0,3800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 60V 20V 2Ohm 320mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 NXP
AO4822A Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 26mOhm; 8A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AO4822A RoHS || AO4822A SOP08
Producent:
ALPHA&OMEGA
Symbol Producenta:
AO4822A RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4800 1,5000 1,1500 1,0400 0,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 30V 20V 26mOhm 8A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 ALPHA&OMEGA
FDD8896 Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Odpowiednik: FDD8896-VB; YFW100N03AD;
FDD8896 RoHS || FDD8896 TO252
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
FDD8896 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,5400 2,2200 1,8500 1,6400 1,5400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 2,1Ohm 12A 165W SMD -55°C ~ 175°C TO252 VBS
BS250P Tranzystor P-Channel MOSFET; 45V; 20V; 14Ohm; 230mA; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS250KL; BS250P; BS250P-DIC; BS250;
BS250P RoHS || BS250P TO92formed
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS250P RoHS
Obudowa dokładna:
TO92bul
 
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,6800 2,3300 1,8400 1,6800 1,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 45V 20V 14Ohm 230mA 700mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed DIODES
IRF1010E JSMICRO Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF1010EPBF; SP001569818;
IRF1010E RoHS || IRF1010E JSMICRO TO220
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol Producenta:
IRF1010E RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 3,6800 2,7000 2,1600 1,8600 1,7500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 25V 8,5mOhm 85A 200W THT -55°C ~ 150°C TO220 JSMICRO
IRF1010E Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1010EPBF;
IRF1010EPBF RoHS || IRF1010E TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRF1010EPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
385 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 200+ 350+
cena netto (PLN) 4,9400 3,2700 2,5200 2,3800 2,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 12mOhm 84A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 International Rectifier
DMP2305U SOT-23 MOSFETs ROHS
DMP2305U SOT23
                       
Pozycja dostępna na zamówienie
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-07-30
Ilość szt.: 3000
                   
BUK9V13-40HX Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 10V; 13mOhm; 42A; 46W; -55°C~175°C; Odpowiednik: BUK9V13-40H; BUK9V13-40HX;
BUK9V13-40HX RoHS || BUK9V13-40HX LFPAK56D
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BUK9V13-40HX RoHS
Obudowa dokładna:
LFPAK56D
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 8,2400 6,2600 5,8200 5,4000 5,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5/10
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 40V 10V 13mOhm 42A 46W Surface Mount -55°C ~ 175°C LFPAK56D NXP
IRF540NS SLKOR Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284;
IRF540NS SLKOR TO263 (D2PAK)
                       
Pozycja dostępna na zamówienie
N-MOSFET 100V 20V 38mOhm 33A 110W SMD -55°C ~ 150°C TO263 (D2PAK) SLKOR
                         
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-08-02
Ilość szt.: 150
                   
IRF7341TRPBF JGSEMI Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRF7341PBF; IRF7341TRPBF; SP001554204; SP001577408;
IRF7341TRPBF RoHS || IRF7341TRPBF JGSEMI SOP08
Producent:
JGSEMI
Symbol Producenta:
IRF7341TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,2300 1,3500 1,0400 0,9350 0,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 60V 20V 50mOhm 6A 1,5W SMD -55°C ~ 125°C SOP08 JGSEMI
IRF7341 JSMICRO Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7341PBF; IRF7341TRPBF; SP001554204; SP001577408;
IRF7341 RoHS || IRF7341 JSMICRO SOP08
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol Producenta:
IRF7341 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,4200 1,5200 1,2600 1,1200 1,0500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 60V 20V 55mOhm 6,3A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 JSMICRO
IRF7341 SLKOR Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7341PBF; IRF7341TRPBF; SP001554204; SP001577408;
IRF7341 RoHS || IRF7341 SLKOR SOP08
Producent:
SLKOR
Symbol Producenta:
IRF7341 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,4300 0,9370 0,6710 0,5870 0,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 60V 20V 45mOhm 5A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 SLKOR
 
Producent:
SLKOR
Symbol Producenta:
IRF7341 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
147 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 30+ 100+ 497+
cena netto (PLN) 1,4300 0,9300 0,7180 0,6090 0,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
497
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 60V 20V 45mOhm 5A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 SLKOR
IRF7341TR UMW Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7341PBF; IRF7341TRPBF; SP001554204; SP001577408;
IRF7341TR RoHS || IRF7341TR UMW SOP08
Producent:
UMW
Symbol Producenta:
IRF7341TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3800 1,4400 1,1100 0,9980 0,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 55V 20V 45mOhm 4,7A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 UMW
IRF7341 smd Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7431PBF; IRF7341PBF; IRF7341TRPBF; IRF7341TR; IRF7341PBF-GURT; IRF 7341 TRPBF;
IRF7341TRPBF RoHS || IRF7341 smd SOP08
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRF7341TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
290 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,4300 2,1700 1,7100 1,5600 1,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1700
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 55V 20V 65mOhm 4,7A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 International Rectifier
1    1  2  3  4  5  6  7  8  9    70

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.