Tranzystory polowe (wyszukane: 5446)

1    1  2  3  4  5  6  7  8  9    182
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
SPP20N60C3 Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 430mOhm; 20,7A; 208W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP20N60C3XKSA1; SPP20N60C3HKSA1; SPP20N60C3/SN;
SPP20N60C3 RoHS || SPP20N60C3XKSA1 || SPP20N60C3 TO220
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPP20N60C3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 11,6200 9,5700 8,5200 8,3900 8,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 20V 430mOhm 20,7A 208W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPP20N60C3XKSA1
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
295550 szt.
Ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 8,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 650V 20V 430mOhm 20,7A 208W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
SPP20N60C3XKSA1
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
932 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 8,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 650V 20V 430mOhm 20,7A 208W THT -55°C ~ 150°C TO220 Infineon Technologies
DH100P20 DONGHAI Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 95mOhm; 20A; 70W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: IRF9540PBF, IRF9540NPBF
DH100P20 RoHS || DH100P20 DONGHAI TO220
Producent:
WXDH
Symbol Producenta:
DH100P20 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
190 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,3400 2,1100 1,6700 1,5200 1,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 100V 20V 95mOhm 20A 70W THT -55°C ~ 150°C TO220 Donghai
STP10NK60Z Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 115W; -55°C ~ 150°C;
STP10NK60Z RoHS || STP10NK60Z || STP10NK60Z TO220
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STP10NK60Z RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,6800 3,9800 3,1800 3,0900 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 600V 30V 750mOhm 10A 115W THT -55°C ~ 150°C TO220 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STP10NK60Z
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
18500 szt.
Ilość szt. 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 600V 30V 750mOhm 10A 115W THT -55°C ~ 150°C TO220 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STP10NK60Z
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
12850 szt.
Ilość szt. 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 600V 30V 750mOhm 10A 115W THT -55°C ~ 150°C TO220 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STP10NK60Z
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
7008 szt.
Ilość szt. 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 600V 30V 750mOhm 10A 115W THT -55°C ~ 150°C TO220 STMicroelectronics
STP10NK60ZFP STMicroelectronics - Tranzystor polowy N-MOSFET Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 35W; -55°C ~ 150°C;
STP10NK60ZFP RoHS || STP10NK60ZFP || STP10NK60ZFP STMicroelectronics - Tranzystor polowy N-MOSFET TO220iso
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STP10NK60ZFP RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
883 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,6100 4,2800 3,5400 3,1000 2,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 600V 30V 750mOhm 10A 35W THT -55°C ~ 150°C TO220iso STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STP10NK60ZFP
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 600V 30V 750mOhm 10A 35W THT -55°C ~ 150°C TO220iso STMicroelectronics
STP14NK50Z Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 380mOhm; 14A; 150W; -55°C ~ 150°C;
STP14NK50Z RoHS || STP14NK50Z || STP14NK50Z TO220
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STP14NK50Z RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,7800 5,4100 4,6300 4,1600 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 500V 500V 30V 380mOhm 14A 150W THT -55°C ~ 150°C TO220 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STP14NK50Z
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 500V 500V 30V 380mOhm 14A 150W THT -55°C ~ 150°C TO220 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STP14NK50Z
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
157 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 500V 500V 30V 380mOhm 14A 150W THT -55°C ~ 150°C TO220 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STP14NK50Z
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 500V 500V 30V 380mOhm 14A 150W THT -55°C ~ 150°C TO220 STMicroelectronics
STP16NF06L Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 16V; 100mOhm; 16A; 45W; -55°C~175°C; obsolete: ten el.został wycofany z produkcji; VBSEMI STP16NF06L-VB;
STP16NF06L RoHS || STP16NF06L-VB RoHS || STP16NF06L TO220
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
STP16NF06L RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,2000 2,7900 2,1600 2,0900 2,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 16V 100mOhm 16A 45W THT -55°C ~ 175°C TO220 STMicroelectronics
 
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
STP16NF06L-VB RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,2000 2,7900 2,1600 2,0900 2,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 16V 100mOhm 16A 45W THT -55°C ~ 175°C TO220 STMicroelectronics
STP40NF10 Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 28mOhm; 50A; 150W; -55°C ~ 175°C;
STP40NF10 RoHS || STP40NF10 || STP40NF10 TO220
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STP40NF10 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,2100 3,8200 3,0700 2,6300 2,4800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 28mOhm 50A 150W THT -55°C ~ 175°C TO220 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STP40NF10
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
34050 szt.
Ilość szt. 350+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,4800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 100V 20V 28mOhm 50A 150W THT -55°C ~ 175°C TO220 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STP40NF10
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
4720 szt.
Ilość szt. 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,4800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 100V 20V 28mOhm 50A 150W THT -55°C ~ 175°C TO220 STMicroelectronics
STP75NF75 Tranzystor N-MOSFET; 75V; 75V; 20V; 11mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP75NE75;
STP75NF75 RoHS || STP75NF75 || STP75NF75 TO220
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STP75NF75 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 6,6700 4,6700 3,7400 3,6300 3,5100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 75V 75V 20V 11mOhm 80A 300W THT -55°C ~ 175°C TO220 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STP75NF75
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
5350 szt.
Ilość szt. 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,5100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 75V 75V 20V 11mOhm 80A 300W THT -55°C ~ 175°C TO220 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STP75NF75
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
17813 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,5100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 75V 75V 20V 11mOhm 80A 300W THT -55°C ~ 175°C TO220 STMicroelectronics
STP9NK90Z Tranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 8A; 160W; -55°C ~ 150°C; WMK09N90C2-CYG
STP9NK90Z RoHS || STP9NK90Z || STP9NK90Z TO220
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STP9NK90Z RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
105 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 8,4700 6,7500 5,7800 5,1900 4,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 900V 30V 1,3Ohm 8A 160W THT -55°C ~ 150°C TO220 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STP9NK90Z
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
525 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 900V 30V 1,3Ohm 8A 160W THT -55°C ~ 150°C TO220 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STP9NK90Z
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 900V 30V 1,3Ohm 8A 160W THT -55°C ~ 150°C TO220 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STP9NK90Z
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
955 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 900V 30V 1,3Ohm 8A 160W THT -55°C ~ 150°C TO220 STMicroelectronics
30H10K DONGHAI Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5.5mOhm; 100A; 60W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: IRLR8726PBF, IRLR8726TRPBF, IRLR8726TRLPBF
30H10K RoHS || 30H10K DONGHAI TO252 (DPACK)
Producent:
WXDH
Symbol Producenta:
30H10K RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
182 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 352+ 1760+
cena netto (PLN) 1,2900 0,6900 0,5360 0,4920 0,4700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
352
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 5,5mOhm 100A 60W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) Donghai
 
Producent:
WXDH
Symbol Producenta:
30H10K RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
148 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 40+ 148+ 592+
cena netto (PLN) 1,4000 0,9140 0,6730 0,5800 0,5390
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
148
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 5,5mOhm 100A 60W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) Donghai
10N65 Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 10N65-LGE; YJ10N65CI-YAN;
10N65 RoHS || 10N65 TO220iso
Producent:
LGE
Symbol Producenta:
10N65 RoHS
Obudowa dokładna:
TO-220F
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,9900 1,8800 1,4700 1,3900 1,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET 650V 4V 30V 630mOhm 40A THT -55°C ~ 150°C TO220iso LGE
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-08-20
Ilość szt.: 300
                     
DMN2230U-7 Diodes Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 230mOhm; 2A; 600mW; -55°C ~ 150°C;
DMN2230U-7 RoHS || DMN2230U-7 Diodes SOT23-3
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
DMN2230U-7 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
185 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,1300 0,6020 0,4690 0,4240 0,4100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 230mOhm 2A 600mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 DIODES
12N65 Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 12A; 0,54Ohm; 33.2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65; LNC12N65; HFS12N65S; SMIRF12N65T2TL; FHP12N65C; TSF12N65M; KIA12N65H; FIR12N65FG; SE12N65F; JSC12N65FT; SVF12N65F; TMA12N65H; SPC12N65G; FIR12N65FG; IXFP12N65X2M; JSC12N65FT; SMIRF12N65T1TL; CS12N65FA9H; SVF12N65CKL; CS12N65FA9R; SVF12N65F(S); 12N65KL-TF1-T; JSC12N65FC-220MF; JSC12N65FT-220MF;
12N65 RoHS || 12N65 TO220iso
Producent:
LGE
Symbol Producenta:
12N65 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
37 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,9100 2,4500 1,9200 1,8100 1,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET 650V 10V 30V 540mOhm 12A 33W THT -55°C ~ 150°C TO220iso LGE
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-06-20
Ilość szt.: 200
                     
ZXMS6004DN8-13 Tranzystor 2xN-MOSFET; 60V; 600mOhm; 1,3A; 1,56W; -40°C ~ 150°C;
ZXMS6004DN8-13 RoHS || ZXMS6004DN8-13 || ZXMS6004DN8-13 SOIC08
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
ZXMS6004DN8-13 RoHS
Obudowa dokładna:
SOIC08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3300 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,7300 2,3600 1,8600 1,7000 1,6200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 60V 600mOhm 1,3A 1,56W SMD -40°C ~ 150°C SOIC08 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
ZXMS6004DN8-13
Obudowa dokładna:
SOIC08
 
Magazyn zewnetrzny:
210000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xN-MOSFET 60V 600mOhm 1,3A 1,56W SMD -40°C ~ 150°C SOIC08 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
ZXMS6004DN8-13
Obudowa dokładna:
SOIC08
 
Magazyn zewnetrzny:
135000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xN-MOSFET 60V 600mOhm 1,3A 1,56W SMD -40°C ~ 150°C SOIC08 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
ZXMS6004DN8-13
Obudowa dokładna:
SOIC08
 
Magazyn zewnetrzny:
25000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xN-MOSFET 60V 600mOhm 1,3A 1,56W SMD -40°C ~ 150°C SOIC08 DIODES
EPC2059 Tranzystor GANFET; 170V; 6V; 9mOhm; 24A; -40°C ~ 150°C;
EPC2059 RoHS || EPC2059 DIE(2.8x1.4)
Producent:
EPC
Symbol Producenta:
EPC2059 RoHS
Obudowa dokładna:
DIE(2.8x1.4)
 
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 29,3300 26,3100 25,6000 24,8800 24,4400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Ilość (wielokrotność 1)
GANFET 170V 6V 9mOhm 24A SMD -40°C ~ 150°C EPC
FDC658AP Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 75mOhm; 4A; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
FDC658AP RoHS || FDC658AP || FDC658AP TSOT23-6
Producent:
Fairchild
Symbol Producenta:
FDC658AP RoHS
Obudowa dokładna:
TSOT23-6 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1100+
cena netto (PLN) 1,5400 1,0100 0,7220 0,6320 0,5910
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 25V 75mOhm 4A 1,6W SMD -55°C ~ 150°C TSOT23-6 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDC658AP
Obudowa dokładna:
TSOT23-6
 
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7763
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 30V 25V 75mOhm 4A 1,6W SMD -55°C ~ 150°C TSOT23-6 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDC658AP
Obudowa dokładna:
TSOT23-6
 
Magazyn zewnetrzny:
96000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7873
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 30V 25V 75mOhm 4A 1,6W SMD -55°C ~ 150°C TSOT23-6 ON SEMICONDUCTOR
FDN306P Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TCJ2305;
FDN306P RoHS || FDN306P RoHS 306. || FDN306P || FDN306P SSOT3
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDN306P RoHS
Obudowa dokładna:
SSOT3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,4400 0,8000 0,6320 0,5730 0,5550
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 12V 8V 80mOhm 2,6A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SSOT3 Fairchild
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDN306P RoHS 306.
Obudowa dokładna:
SSOT3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 1,4400 0,9480 0,6810 0,5830 0,5550
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 12V 8V 80mOhm 2,6A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SSOT3 Fairchild
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDN306P
Obudowa dokładna:
SSOT3
 
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5550
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 12V 8V 80mOhm 2,6A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SSOT3 Fairchild
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDN306P
Obudowa dokładna:
SSOT3
 
Magazyn zewnetrzny:
87000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5550
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 12V 8V 80mOhm 2,6A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SSOT3 Fairchild
FDN338P SOT23 MSKSEMI Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C;
FDN338P RoHS || FDN338P SOT23 MSKSEMI SOT23
Producent:
MSKSEMI
Symbol Producenta:
FDN338P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
95 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,8240 0,4130 0,2460 0,2040 0,1830
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 150mOhm 2A 1,56W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 MSK
FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 61mOhm; 3A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
FDN339AN RoHS || FDN339AN || FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD) SuperSOT3
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDN339AN RoHS
Obudowa dokładna:
SuperSOT3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,8700 1,0300 0,8110 0,7510 0,7200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 8V 61mOhm 3A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SuperSOT3 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDN339AN
Obudowa dokładna:
SuperSOT3
 
Magazyn zewnetrzny:
150000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 20V 8V 61mOhm 3A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SuperSOT3 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDN339AN
Obudowa dokładna:
SuperSOT3
 
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 20V 8V 61mOhm 3A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SuperSOT3 ON SEMICONDUCTOR
FDS8958A SOP08 ON Semiconductor Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/80mOhm; 7A/5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDS8958A-F085;
FDS8958A RoHS || FDS8958A SOP08 ON Semiconductor SOP08
Producent:
Fairchild
Symbol Producenta:
FDS8958A RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 12,0100 9,9000 9,0900 8,6700 8,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 30V 20V 80mOhm 7A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Fairchild
FDV301N UMW Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDV301N Onsemi;
FDV301N RoHS || FDV301N UMW SOT23
Producent:
UMW
Symbol Producenta:
FDV301N RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
600 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,6930 0,2770 0,1610 0,1340 0,1260
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 50mOhm 6A 2,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 UMW
FQP47P06 Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 26mOhm; 47A; 160W; -55°C ~ 175°C;
FQP47P06 RoHS || FQP47P06 || FQP47P06 TO220
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FQP47P06 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
45 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 12,8700 11,1200 10,0900 9,4400 9,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 25V 26mOhm 47A 160W THT -55°C ~ 175°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FQP47P06
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
732 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 9,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 60V 25V 26mOhm 47A 160W THT -55°C ~ 175°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FQP47P06
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
319 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 9,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 60V 25V 26mOhm 47A 160W THT -55°C ~ 175°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FQP47P06
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
1880 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 9,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 60V 25V 26mOhm 47A 160W THT -55°C ~ 175°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
FQP50N06 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 175°C;
FQP50N06 RoHS || FQP50N06 TO220
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FQP50N06 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
 
Stan magazynowy:
180 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 5,0400 3,3500 2,5900 2,5000 2,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 25V 22mOhm 50A 120W THT -55°C ~ 175°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
FQPF2N60C Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C;
FQPF2N60C RoHS || FQPF2N60C TO220iso
Producent:
Fairchild
Symbol Producenta:
FQPF2N60C RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,9000 5,2600 4,3600 3,8200 3,6300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 600V 30V 4,7Ohm 2A 23W THT -55°C ~ 150°C TO220iso ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FQPF2N60C RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Stan magazynowy:
6 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,9000 5,2600 4,3600 3,8200 3,6300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 600V 30V 4,7Ohm 2A 23W THT -55°C ~ 150°C TO220iso ON SEMICONDUCTOR
HX2301A Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 2,5A; 130mOhm; 0,9W; -55°C~150°C;
HX2301A RoHS || HX2301A SOT23
Producent:
HX(hengjiaxing)
Symbol Producenta:
HX2301A RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2600 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 6000+
cena netto (PLN) 0,4060 0,1610 0,0807 0,0643 0,0625
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/6000
Ilość (wielokrotność 10)
P-MOSFET 20V 12V 130mOhm 2,5A 900mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HX
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-30
Ilość szt.: 3000
                     
IRF1010E Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1010EPBF;
IRF1010EPBF RoHS || IRF1010EPBF || IRF1010E TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRF1010EPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
345 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 200+ 350+
cena netto (PLN) 4,8700 3,2300 2,4900 2,3500 2,3200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 12mOhm 84A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 International Rectifier
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRF1010EPBF
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
6635 szt.
Ilość szt. 300+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 12mOhm 84A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 International Rectifier
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRF1010EPBF
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
300 szt.
Ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,5391
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 12mOhm 84A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 International Rectifier
IRF1010ES smd Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ESPBF, IRF1010ESTRLPBF
IRF1010ES RoHS || IRF1010ESTRLPBF RoHS || IRF1010ES smd TO263 (D2PAK)
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRF1010ES RoHS
Obudowa dokładna:
TO263t/r (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,1600 6,0500 5,2900 4,9200 4,8000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 12mOhm 84A 200W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) International Rectifier
 
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRF1010ESTRLPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 7,6300 6,0900 5,2100 4,6800 4,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10/50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 12mOhm 84A 200W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) International Rectifier
IRF1404ZS Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 3,7mOhm; 180A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1404ZSPBF; IRF1404ZSTRLPBF; IRF1404ZSTRRPBF;
IRF1404ZS RoHS || IRF1404ZSTRLPBF || IRF1404ZS Infineon D2PAK
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
IRF1404ZS RoHS
Obudowa dokładna:
D2PAK t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
98 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 10,7100 8,8200 8,1100 7,7300 7,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 3,7mOhm 180A 200W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRF1404ZSTRLPBF
Obudowa dokładna:
D2PAK
 
Magazyn zewnetrzny:
4800 szt.
Ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 40V 20V 3,7mOhm 180A 200W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRF1404ZSTRLPBF
Obudowa dokładna:
D2PAK
 
Magazyn zewnetrzny:
10400 szt.
Ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 40V 20V 3,7mOhm 180A 200W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRF1404ZSTRLPBF
Obudowa dokładna:
D2PAK
 
Magazyn zewnetrzny:
590 szt.
Ilość szt. 10+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,6500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 40V 20V 3,7mOhm 180A 200W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK Infineon (IRF)
IRF4905PBF JSMICRO Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 80A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF4905PBF; SP001571330;
IRF4905PBF RoHS || IRF4905PBF JSMICRO TO220
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol Producenta:
IRF4905PBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,1800 3,0700 2,4600 2,1100 1,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 55V 20V 20mOhm 80A 200W THT -55°C ~ 175°C TO220 JSMICRO
IRF4905 UMW Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF4905PBF; SP001571330;
IRF4905 RoHS || IRF4905 UMW TO220
Producent:
UMW
Symbol Producenta:
IRF4905 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
77 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 3,7600 2,7600 2,2100 1,9000 1,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 55V 20V 20mOhm 70A 170W THT -55°C ~ 150°C TO220 UMW
1    1  2  3  4  5  6  7  8  9    182

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.