Tranzystory polowe (wyszukane: 2091)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ZXM61N02FTA
SOT-23-3 MOSFETs ROHS ZXM61N02FTA-VB;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-07-30
Ilość szt.: 5
|
||||||||||||||||||||||
IRLR2908
Tranzystor N-MOSFET; 80V; 16V; 30mOhm; 39A; 120W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR2908PBF; IRLR2908TRLPBF; IRLR2908TRPBF; IRLR2908PBF-GURT; IRLR2908TRLPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 80V | 16V | 30mOhm | 39A | 120W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | ||||||||||||
NTD5865NLT4G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 19mOhm; 46A; 71W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: NTD5865NLT4G RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
70 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 19mOhm | 46A | 71W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
NTD5867NLT4G
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 20A; 36W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 50mOhm | 20A | 36W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
SI4435DDY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4435DDY-T1-GE3; SI4435DDY-T1-E3; SI4435DDY-GE3;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 11,4A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | ||||||||||||
SPD06N80C3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2,1Ohm; 6A; 83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPD06N80C3ATMA1; SPD06N80C3BTMA1;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 800V | 20V | 2,1Ohm | 6A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | Infineon Technologies | ||||||||||||
STP16NF06
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 16A; 45W; -55°C ~ 175°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 100mOhm | 16A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||
STW12NK90Z
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 880mOhm; 11A; 230W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
94 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 900V | 30V | 880mOhm | 11A | 230W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | STMicroelectronics | ||||||||||||
FDN338P SOT23-3 HUASHUO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2191 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2191 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 140mOhm | 3A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Huashuo Semiconductor | ||||||||||||
Stan magazynowy:
809 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 809 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 140mOhm | 3A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Huashuo Semiconductor | ||||||||||||
AS2302
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 60mOhm; 3,5A; 1W; -55°C~150°C; Odpowiednik : SI2302;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/9000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 10V | 60mOhm | 3,5A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | AnBon | ||||||||||||
AS3400
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 51mOhm; 5,6A; 1,2W; -55°C~150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 51mOhm | 5,6A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | AnBon | ||||||||||||
KIRFR9024NTRTBF TO252 KUU
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 8,8A; 50W; -55°C ~ 155°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 200mOhm | 8,8A | 50W | SMA | -55°C ~ 155°C | TO252 | KUU | ||||||||||||
IRLML6344 SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 5A; 29mOhm; 12V; 1,3W; -55°C~150°C; Odpowiednik: YJL3400A-F2-0000HF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 29mOhm | 5A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HOTTECH | ||||||||||||
Producent:
YY Symbol Producenta: YJL3400A-F2-0000HF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 29mOhm | 5A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HOTTECH | ||||||||||||
2N7002 SOT23 YANGJIE
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C; 2N7002-YAN;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 340mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-10-10
Ilość szt.: 9000
|
||||||||||||||||||||||
BSS138 China
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS138-TP; BSS138-13-F; BSS138LT1G-MS MSKSEMI; BSS138-7-F; BSS138TA; BSS138LT1G; BSS138LT3G; BSS138LT7G; BSS138-FAI; BSS138P,215; BSS138NH6327XTSA2; BSS138NH6433XTMA1; BSS138LT1G-HXY;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
YY Symbol Producenta: BSS138 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/27000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 50V | 20V | 6Ohm | 220mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-10-10
Ilość szt.: 15000
|
||||||||||||||||||||||
12N65
Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 12A; 0,54Ohm; 33.2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65; LNC12N65; HFS12N65S; SMIRF12N65T2TL; FHP12N65C; TSF12N65M; KIA12N65H; FIR12N65FG; SE12N65F; JSC12N65FT; SVF12N65F; TMA12N65H; SPC12N65G; FIR12N65FG; IXFP12N65X2M; JSC12N65FT; SMIRF12N65T1TL; CS12N65FA9H; SVF12N65CKL; CS12N65FA9R; SVF12N65F(S); 12N65KL-TF1-T; JSC12N65FC-220MF; JSC12N65FT-220MF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 650V | 30V | 540mOhm | 12A | 33W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | LGE | ||||||||||||
2N7002PS NXP
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002PS.115; 2N7002PS,125;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2990 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 320mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 | NXP | ||||||||||||
AO4822A
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 26mOhm; 8A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4822A RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 26mOhm | 8A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
FDD8896
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Odpowiednik: FDD8896-VB; YFW100N03AD;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2,1Ohm | 12A | 165W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | VBS | ||||||||||||
BS250P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 45V; 20V; 14Ohm; 230mA; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS250KL; BS250P; BS250P-DIC; BS250;
|
|||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BS250P RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 45V | 20V | 14Ohm | 230mA | 700mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92formed | DIODES | ||||||||||||
IRF1010E JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 8,5mOhm; 85A; 200W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF1010EPBF; SP001569818;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 25V | 8,5mOhm | 85A | 200W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | JSMICRO | ||||||||||||
IRF1010E
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1010EPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
385 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 12mOhm | 84A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | ||||||||||||
DMP2305U
SOT-23 MOSFETs ROHS
|
|||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-07-30
Ilość szt.: 3000
|
||||||||||||||||||||||
BUK9V13-40HX
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 10V; 13mOhm; 42A; 46W; -55°C~175°C; Odpowiednik: BUK9V13-40H; BUK9V13-40HX;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5/10 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 40V | 10V | 13mOhm | 42A | 46W | Surface Mount | -55°C ~ 175°C | LFPAK56D | NXP | ||||||||||||
IRF540NS SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38mOhm; 33A; 110W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284;
|
|||||||||||||||||||||||
|
Pozycja dostępna na zamówienie
|
N-MOSFET | 100V | 20V | 38mOhm | 33A | 110W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | SLKOR | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2024-08-02
Ilość szt.: 150
|
||||||||||||||||||||||
IRF7341TRPBF JGSEMI
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRF7341PBF; IRF7341TRPBF; SP001554204; SP001577408;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 50mOhm | 6A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 125°C | SOP08 | JGSEMI | ||||||||||||
IRF7341 JSMICRO
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7341PBF; IRF7341TRPBF; SP001554204; SP001577408;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 55mOhm | 6,3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | JSMICRO | ||||||||||||
IRF7341 SLKOR
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7341PBF; IRF7341TRPBF; SP001554204; SP001577408;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 45mOhm | 5A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | SLKOR | ||||||||||||
Stan magazynowy:
147 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 497 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 45mOhm | 5A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | SLKOR | ||||||||||||
IRF7341TR UMW
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7341PBF; IRF7341TRPBF; SP001554204; SP001577408;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 55V | 20V | 45mOhm | 4,7A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | ||||||||||||
IRF7341 smd
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7431PBF; IRF7341PBF; IRF7341TRPBF; IRF7341TR; IRF7341PBF-GURT; IRF 7341 TRPBF;
|
|||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
290 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1700 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 55V | 20V | 65mOhm | 4,7A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.