Tranzystory polowe (wyszukane: 5412)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AO4425
Tranzystor P-Channel MOSFET; 38V; 25V; 13,5mOhm; 14A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4425 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 38V | 25V | 13,5mOhm | 14A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4435
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 36mOhm; 14A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4435 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 36mOhm | 14A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4437
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 25mOhm; 11A; 3W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 25mOhm | 11A | 3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4441 UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 4A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO4441 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 130mOhm | 4A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
AO4447A
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8,2mOhm; 18,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4447A RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 8,2mOhm | 18,5A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4447A UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8,2mOhm; 18,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO4447A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 8,2mOhm | 18,5A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
AO4455
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 9,5mOhm; 17A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4455 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
95 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 9,5mOhm | 17A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4459
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 72mOhm; 6,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4459 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 700 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 72mOhm | 6,5A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4468 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 23mOhm; 10,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO4468 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 23mOhm | 10,5A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
AO4485 UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 20mOhm; 10A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO4485 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 60 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 20mOhm | 10A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
Stan magazynowy:
140 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 140 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 20mOhm | 10A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
AO4486
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 151mOhm; 4,2A; 3,1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4486 RoHS Obudowa dokładna: SOP08 |
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 151mOhm | 4,2A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4612
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 79mOhm/145mOhm; 4,5A/3,2A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4612 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 60V | 20V | 145mOhm | 4,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4614B
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 45mOhm/65mOhm; 6A/5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4614B RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 40V | 20V | 65mOhm | 6A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4616
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 28mOhm/40mOhm; 8A/7A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4616 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 40mOhm | 8A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4620
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm/55mOhm; 7,2A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4620 RoHS Obudowa dokładna: SOP08 |
Stan magazynowy:
94 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 55mOhm | 7,2A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4800B
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 12V; 50mOhm; 6,9A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4800B RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
170 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 12V | 50mOhm | 6,9A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4801A
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 12V; 80mOhm; 5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4801A RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 30V | 12V | 80mOhm | 5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4803A
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 74mOhm; 5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4803A RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 30V | 20V | 74mOhm | 5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4813
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm; 7,1A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4813 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 30V | 20V | 40mOhm | 7,1A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4822A
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 26mOhm; 8A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4822A RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 26mOhm | 8A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4828
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 4,5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4828 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 100mOhm | 4,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4832
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 19mOhm; 10A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4832 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
39 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 19mOhm | 10A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4832 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 19mOhm | 10A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4862
Tranzystor 2xN-MOSFET; 30V; 20V; 78mOhm; 4,5A; 1,7W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4862 RoHS Obudowa dokładna: SOIC08t/r |
Stan magazynowy:
197 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 78mOhm | 4,5A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4884
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 20mOhm; 10A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4884 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 40V | 20V | 20mOhm | 10A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO4884 UMW
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 16mOhm; 10A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO4884 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 40V | 20V | 16mOhm | 10A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
AO4892
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 100V; 20V; 126mOhm; 4A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO4892 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 100V | 20V | 126mOhm | 4A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO7407
Tranzystor P-Channel MOSFET; -20V; 10V; 125mOhm; -5A; 290mW; -50°C~150°C; Podobny do: AO7407-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | -20V | 10V | 125mOhm | -5A | 290mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SC70-3 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
AO8810 TSSOP8
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 8V; 30mOhm; 7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO8810 RoHS Obudowa dokładna: TSSOP08 t/r |
Stan magazynowy:
96 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 8V | 30mOhm | 7A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSSOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO8814
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 34mOhm; 7,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 34mOhm | 7,5A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSSOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO8820
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 50mOhm | 7A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSSOP08 | ALPHA&OMEGA |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.