Tranzystory polowe (wyszukane: 5446)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SPP20N60C3
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 430mOhm; 20,7A; 208W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SPP20N60C3XKSA1; SPP20N60C3HKSA1; SPP20N60C3/SN;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 20V | 430mOhm | 20,7A | 208W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPP20N60C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
295550 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 20V | 430mOhm | 20,7A | 208W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: SPP20N60C3XKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
932 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 20V | 430mOhm | 20,7A | 208W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
DH100P20 DONGHAI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 95mOhm; 20A; 70W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: IRF9540PBF, IRF9540NPBF
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
190 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 95mOhm | 20A | 70W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Donghai | |||||||||||||
STP10NK60Z
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 115W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 750mOhm | 10A | 115W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP10NK60Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
18500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 30V | 750mOhm | 10A | 115W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP10NK60Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
12850 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 30V | 750mOhm | 10A | 115W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP10NK60Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
7008 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 30V | 750mOhm | 10A | 115W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||||||||||
STP10NK60ZFP STMicroelectronics - Tranzystor polowy N-MOSFET
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
883 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 750mOhm | 10A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP10NK60ZFP Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 30V | 750mOhm | 10A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | STMicroelectronics | |||||||||||||
STP14NK50Z
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 500V; 30V; 380mOhm; 14A; 150W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 500V | 30V | 380mOhm | 14A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP14NK50Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 500V | 30V | 380mOhm | 14A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP14NK50Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
157 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 500V | 30V | 380mOhm | 14A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP14NK50Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 500V | 30V | 380mOhm | 14A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||
STP16NF06L
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 16V; 100mOhm; 16A; 45W; -55°C~175°C; obsolete: ten el.został wycofany z produkcji; VBSEMI STP16NF06L-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 16V | 100mOhm | 16A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 16V | 100mOhm | 16A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||
STP40NF10
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 28mOhm; 50A; 150W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 28mOhm | 50A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP40NF10 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
34050 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 28mOhm | 50A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP40NF10 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
4720 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 28mOhm | 50A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||||||||||
STP75NF75
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 75V; 20V; 11mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: STP75NE75;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 75V | 75V | 20V | 11mOhm | 80A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP75NF75 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
5350 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 75V | 20V | 11mOhm | 80A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP75NF75 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
17813 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 75V | 20V | 11mOhm | 80A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | STMicroelectronics | ||||||||||||
STP9NK90Z
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 8A; 160W; -55°C ~ 150°C; WMK09N90C2-CYG
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
105 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 900V | 30V | 1,3Ohm | 8A | 160W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP9NK90Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
525 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 900V | 30V | 1,3Ohm | 8A | 160W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP9NK90Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 900V | 30V | 1,3Ohm | 8A | 160W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STP9NK90Z Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
955 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 900V | 30V | 1,3Ohm | 8A | 160W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | STMicroelectronics | |||||||||||||
30H10K DONGHAI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5.5mOhm; 100A; 60W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: IRLR8726PBF, IRLR8726TRPBF, IRLR8726TRLPBF
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
182 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 352 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 5,5mOhm | 100A | 60W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | Donghai | |||||||||||||
Stan magazynowy:
148 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 148 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 5,5mOhm | 100A | 60W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | Donghai | |||||||||||||
10N65
Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 10N65-LGE; YJ10N65CI-YAN;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 650V | 4V | 30V | 630mOhm | 40A | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | LGE | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-08-20
Ilość szt.: 300
|
|||||||||||||||||||||||
DMN2230U-7 Diodes
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 230mOhm; 2A; 600mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
185 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 230mOhm | 2A | 600mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | DIODES | |||||||||||||
12N65
Tranzystor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 12A; 0,54Ohm; 33.2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65; LNC12N65; HFS12N65S; SMIRF12N65T2TL; FHP12N65C; TSF12N65M; KIA12N65H; FIR12N65FG; SE12N65F; JSC12N65FT; SVF12N65F; TMA12N65H; SPC12N65G; FIR12N65FG; IXFP12N65X2M; JSC12N65FT; SMIRF12N65T1TL; CS12N65FA9H; SVF12N65CKL; CS12N65FA9R; SVF12N65F(S); 12N65KL-TF1-T; JSC12N65FC-220MF; JSC12N65FT-220MF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
37 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 650V | 10V | 30V | 540mOhm | 12A | 33W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | LGE | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-06-20
Ilość szt.: 200
|
|||||||||||||||||||||||
ZXMS6004DN8-13
Tranzystor 2xN-MOSFET; 60V; 600mOhm; 1,3A; 1,56W; -40°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 60V | 600mOhm | 1,3A | 1,56W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOIC08 | DIODES | ||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMS6004DN8-13 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
210000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 60V | 600mOhm | 1,3A | 1,56W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOIC08 | DIODES | ||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMS6004DN8-13 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
135000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 60V | 600mOhm | 1,3A | 1,56W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOIC08 | DIODES | ||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: ZXMS6004DN8-13 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
25000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 60V | 600mOhm | 1,3A | 1,56W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOIC08 | DIODES | ||||||||||||||
EPC2059
Tranzystor GANFET; 170V; 6V; 9mOhm; 24A; -40°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
EPC Symbol Producenta: EPC2059 RoHS Obudowa dokładna: DIE(2.8x1.4) |
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
GANFET | 170V | 6V | 9mOhm | 24A | SMD | -40°C ~ 150°C | EPC | |||||||||||||||
FDC658AP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 75mOhm; 4A; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 75mOhm | 4A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC658AP Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 25V | 75mOhm | 4A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDC658AP Obudowa dokładna: TSOT23-6 |
Magazyn zewnetrzny:
96000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 25V | 75mOhm | 4A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSOT23-6 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDN306P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TCJ2305;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 80mOhm | 2,6A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 80mOhm | 2,6A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN306P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 12V | 8V | 80mOhm | 2,6A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN306P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
87000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 12V | 8V | 80mOhm | 2,6A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
FDN338P SOT23 MSKSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
95 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 150mOhm | 2A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MSK | |||||||||||||
FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 61mOhm; 3A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 61mOhm | 3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN339AN Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
150000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 8V | 61mOhm | 3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN339AN Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 8V | 61mOhm | 3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDS8958A SOP08 ON Semiconductor
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/80mOhm; 7A/5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDS8958A-F085;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 80mOhm | 7A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Fairchild | |||||||||||||
FDV301N UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDV301N Onsemi;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
600 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 50mOhm | 6A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
FQP47P06
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 26mOhm; 47A; 160W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 25V | 26mOhm | 47A | 160W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP47P06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
732 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 25V | 26mOhm | 47A | 160W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP47P06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
319 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 25V | 26mOhm | 47A | 160W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP47P06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1880 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 25V | 26mOhm | 47A | 160W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FQP50N06
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP50N06 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
180 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 25V | 22mOhm | 50A | 120W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FQPF2N60C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 4,7Ohm | 2A | 23W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQPF2N60C RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
6 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 4,7Ohm | 2A | 23W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
HX2301A
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 2,5A; 130mOhm; 0,9W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2600 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/6000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 130mOhm | 2,5A | 900mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HX | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-30
Ilość szt.: 3000
|
|||||||||||||||||||||||
IRF1010E
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1010EPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
345 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 12mOhm | 84A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1010EPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
6635 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 12mOhm | 84A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1010EPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 12mOhm | 84A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
IRF1010ES smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ESPBF, IRF1010ESTRLPBF
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 12mOhm | 84A | 200W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10/50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 12mOhm | 84A | 200W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
IRF1404ZS Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 3,7mOhm; 180A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1404ZSPBF; IRF1404ZSTRLPBF; IRF1404ZSTRRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
98 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 3,7mOhm | 180A | 200W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1404ZSTRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
4800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 3,7mOhm | 180A | 200W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1404ZSTRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
10400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 3,7mOhm | 180A | 200W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF1404ZSTRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
590 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 3,7mOhm | 180A | 200W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF4905PBF JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 80A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF4905PBF; SP001571330;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 20mOhm | 80A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | JSMICRO | |||||||||||||
IRF4905 UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF4905PBF; SP001571330;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
77 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 20mOhm | 70A | 170W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | UMW |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.