Tranzystory polowe (wyszukane: 5457)

1    1  2  3  4  5  6  7  8  9    182
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
2N7002ET1G Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 310mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002ET1E3;
2N7002ET1G RoHS || 2N7002ET1G SOT23-3
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
2N7002ET1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7980 0,3790 0,2130 0,1620 0,1450
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 3Ohm 310mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
2N7002EW Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 340mA; 200mW; -55°C~150°C;
2N7002EW RoHS || 2N7002EW SOT323
Producent:
AnBon
Symbol Producenta:
2N7002EW RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 4000+
cena netto (PLN) 0,8100 0,3520 0,2210 0,1890 0,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET 60V 20V 30V 5,3Ohm 340mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 AnBon
2N7002H6327XTSA2 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 500mW; -55°C ~ 150°C;
2N7002H6327XTSA2 RoHS || 2N7002H6327XTSA2 Infineon SOT363
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
2N7002H6327XTSA2 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
17910 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9360 0,4750 0,2880 0,2280 0,2080
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 4Ohm 300mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
2N7002K JSMICRO Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP;
2N7002K RoHS || 2N7002K JSMICRO SOT23
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol Producenta:
2N7002K RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4580 0,2100 0,1140 0,0856 0,0764
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 3Ohm 500mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 JSMICRO
2N7002K SOT23 MDD Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 50V; 3Ohm; 500mA; 300mW; -50°C ~ 150°C;
2N7002K RoHS || 2N7002K SOT23 MDD SOT23
Producent:
MDD(Microdiode Electronics)
Symbol Producenta:
2N7002K RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3890 0,1530 0,0895 0,0655 0,0598
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 10)
MOSFET 60V 50V 20V 3Ohm 600mA 300mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 MDD
 
Producent:
MDD(Microdiode Electronics)
Symbol Producenta:
2N7002K RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3890 0,1530 0,0895 0,0655 0,0598
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
MOSFET 60V 50V 20V 3Ohm 600mA 300mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 MDD
2N7002KT1G Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002KT1G; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3;
2N7002KT1G RoHS || 2N7002KT1G || 2N7002KT1G SOT23
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
2N7002KT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
980 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6050 0,2870 0,1620 0,1230 0,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 4Ohm 300mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
2N7002KT1G
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 4Ohm 300mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
2N7002KT1G
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
2436000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 4Ohm 300mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
2N7002KW Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 310mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002KW-FAI; 2N7002KW-YAN; 2N7002KW-TP;
2N7002KW RoHS || 2N7002KW || 2N7002KW SOT323
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
2N7002KW RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,0500 0,5810 0,3860 0,3220 0,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 3Ohm 310mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
2N7002KW
Obudowa dokładna:
SOT323
 
Magazyn zewnetrzny:
63000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 3Ohm 310mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
2N7002KW
Obudowa dokładna:
SOT323
 
Magazyn zewnetrzny:
381000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 3Ohm 310mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 ON SEMICONDUCTOR
2N7002KW-Q Yangzhou Yangjie Elec. N-Channel MOSFET; 60V; 340mA; 350mW; 3 Ohm; -55°C ~ 150°C;
2N7002KWQ RoHS || 2N7002KW-Q  Yangzhou Yangjie Elec. SOT323
Producent:
YY
Symbol Producenta:
2N7002KWQ RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1240 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4670 0,2140 0,1170 0,0872 0,0778
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 2,5Ohm 340mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
2N7002P,215 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 360mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002P,215; 2N7002P,235; 2N7002P.215; 2N7002P;
2N7002P,215 RoHS || 2N7002P,215 || 2N7002P,215 SOT23-3
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
2N7002P,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2845 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5820 0,2670 0,1450 0,1090 0,0970
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 360mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
2N7002P,215
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
178000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0970
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 360mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
2N7002P,215
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
120000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0970
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 360mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
2N7002P,215
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
42000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0970
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 360mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
2N7002PS NXP Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002PS.115; 2N7002PS,125;
2N7002PS RoHS || 2N7002PS,125 || 2N7002PS,115 || 2N7002PS NXP SC-88
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
2N7002PS RoHS
Obudowa dokładna:
SC-88 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2990 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0500 0,5540 0,4300 0,3970 0,3800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 60V 20V 2Ohm 320mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
2N7002PS,125
Obudowa dokładna:
SC-88
 
Magazyn zewnetrzny:
42000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xN-MOSFET 60V 20V 2Ohm 320mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
2N7002PS,115
Obudowa dokładna:
SC-88
 
Magazyn zewnetrzny:
2067000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xN-MOSFET 60V 20V 2Ohm 320mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
2N7002PS,115
Obudowa dokładna:
SC-88
 
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xN-MOSFET 60V 20V 2Ohm 320mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 NXP
2N7002PW NXP Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002PW,115; 2N7002PW.115;
2N7002PW,115 RoHS || 2N7002PW,115 || 2N7002PW NXP SOT323
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
2N7002PW,115 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7540 0,3580 0,2010 0,1530 0,1370
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 310mA 310mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
2N7002PW,115
Obudowa dokładna:
SOT323
 
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1370
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 310mA 310mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
2N7002PW,115
Obudowa dokładna:
SOT323
 
Magazyn zewnetrzny:
708000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1370
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 310mA 310mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
2N7002PW,115
Obudowa dokładna:
SOT323
 
Magazyn zewnetrzny:
84000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1370
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 310mA 310mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 NXP
2N7002T-7-F SOT-523 DIODES Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R
2N7002T-7-F RoHS || 2N7002T-7-F || 2N7002T-7-F SOT-523 DIODES SOT523
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
2N7002T-7-F RoHS
Obudowa dokładna:
SOT523
karta katalogowa
Stan magazynowy:
79 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,4870 0,2220 0,1200 0,0896 0,0811
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 150mW SMD -55°C ~ 150°C SOT523 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
2N7002T-7-F
Obudowa dokładna:
SOT523
 
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1334
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 150mW SMD -55°C ~ 150°C SOT523 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
2N7002T-7-F
Obudowa dokładna:
SOT523
 
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 150mW SMD -55°C ~ 150°C SOT523 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
2N7002T-7-F
Obudowa dokładna:
SOT523
 
Magazyn zewnetrzny:
129000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1329
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 150mW SMD -55°C ~ 150°C SOT523 DIODES
K2N7002W-7-F KUU Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
K2N7002W-7-F RoHS || K2N7002W-7-F KUU SOT323
Producent:
kuu semiconductor
Symbol Producenta:
K2N7002W-7-F RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
 
Stan magazynowy:
600 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 600+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6550 0,3110 0,1750 0,1300 0,1190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
600
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 KUU
2N7002WT1G Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 310mA; 280mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002W;
2N7002WT1G RoHS || 2N7002WT1G || 2N7002WT1G SOT323
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
2N7002WT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
11490 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5780 0,2740 0,1540 0,1170 0,1050
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 2,5Ohm 310mA 280mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
2N7002WT1G
Obudowa dokładna:
SOT323
 
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1050
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 2,5Ohm 310mA 280mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
2N7002WT1G
Obudowa dokładna:
SOT323
 
Magazyn zewnetrzny:
111000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1050
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 2,5Ohm 310mA 280mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 ON SEMICONDUCTOR
2N7008-G Microchip Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 30V; 7,5Ohm; 230mA; 1W; -55°C ~ 150°C;
2N7008-G RoHS || 2N7008-G Microchip TO92
Producent:
Microchip
Symbol Producenta:
2N7008-G RoHS
Obudowa dokładna:
TO92bul
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 25+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,7300 2,3400 1,9900 1,7300 1,6200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 30V 7,5Ohm 230mA 1W THT -55°C ~ 150°C TO92 MICROCHIP
2SJ162 Tranzystor P-Channel MOSFET; 160V; 15V; 7A; 100W; -55°C ~ 150°C;
2SJ162 RoHS || 2SJ162 TO 3P
Producent:
RENESAS
Symbol Producenta:
2SJ162 RoHS
Obudowa dokładna:
TO 3P
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 24,9500 22,3800 21,7800 21,1600 20,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 160V 15V 7A 100W THT -55°C ~ 150°C TO 3P Renesas
2SJ360 Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 1,2Ohm; 1A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SJ360(F); 2SJ360(TE12L,F); 2SJ360-VB;
2SJ360 RoHS || 2SJ360 SOT89
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
2SJ360 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT89 t/r
 
Stan magazynowy:
70 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,9200 1,8300 1,5200 1,3600 1,2700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 60V 20V 1,2Ohm 1A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 TOSHIBA
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-20
Ilość szt.: 100
                     
2SK1118 Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 600V; 30V; 1,25Ohm; 6A; 45W; -55°C ~ 150°C;
2SK1118 RoHS || 2SK1118 TO220iso
Producent:
PMC-Sierra
Symbol Producenta:
2SK1118 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Stan magazynowy:
18 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 24+ 96+ 288+
cena netto (PLN) 8,7300 6,9300 6,2100 5,9300 5,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
24
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 600V 600V 30V 1,25Ohm 6A 45W THT -55°C ~ 150°C TO220iso
2SK209-GR Tranzystor N-Channel JFET; 50V; 14mA; 150mW; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: 2SK209-GR(TE85L,F);
2SK209-GR(TE85L,F) RoHS || 2SK209-GR SC-59
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
2SK209-GR(TE85L,F) RoHS
Obudowa dokładna:
SC-59 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
450 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,4500 0,8060 0,6360 0,5780 0,5590
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-JFET 50V 14mA 150mW SMD -55°C ~ 125°C SC-59 TOSHIBA
2SK2746 Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 1,7Ohm; 7A; 150W; -55°C ~ 150°C;
2SK2746 || 2SK2746 TO 3P
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
2SK2746
Obudowa dokładna:
TO 3P
karta katalogowa
Stan magazynowy:
17 szt.
Ilość szt. 1+ 2+ 5+ 10+ 17+
cena netto (PLN) 9,6300 8,1700 6,9400 6,3400 6,0200
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
17
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 800V 800V 30V 1,7Ohm 7A 150W THT -55°C ~ 150°C TO 3P TOSHIBA
2SK2883 Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 3,6Ohm; 3A; 75W; -55°C ~ 150°C;
2SK2883 RoHS || 2SK2883 TO220/FL
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
2SK2883 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220/FL
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 1+ 2+ 3+ 5+ 25+
cena netto (PLN) 6,7200 5,6400 5,1800 4,7300 3,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 800V 800V 30V 3,6Ohm 3A 75W THT -55°C ~ 150°C TO220/FL TOSHIBA
2SK2963(TE12L,F) Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 950mOhm; 1A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
2SK2963 RoHS || 2SK2963(TE12L,F) SOT89
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
2SK2963 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT89
karta katalogowa
Stan magazynowy:
37 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,6600 3,9700 3,3700 3,0800 2,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 100V 20V 950mOhm 1A 1,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 TOSHIBA
2SK3018 KUU Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: K2SK3018-7-F;
2SK3018 RoHS || 2SK3018 KUU SOT23
Producent:
kuu semiconductor
Symbol Producenta:
2SK3018 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,5140 0,2350 0,1270 0,0947 0,0857
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 13Ohm 100mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23
2SK3018-TP Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
2SK3018-TP RoHS || 2SK3018-TP SOT323
Producent:
Micro Commercial Components Corp.
Symbol Producenta:
2SK3018-TP RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6050 0,2870 0,1620 0,1230 0,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 13Ohm 100mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Micro Comercial Components Corp.
2SK3565 Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 2,5Ohm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SK3565(Q,M); 2SK3565(STA4,Q,M);
2SK3565 RoHS || 2SK3565 TO220iso
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
2SK3565 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
60 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,4400 5,1400 4,4000 3,9500 3,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 900V 900V 30V 2,5Ohm 5A 45W THT -55°C ~ 150°C TO220iso TOSHIBA
2SK3666-3-TB-E SOT23-3 Tranzystor N-Channel JFET; 30V; 30V; 200Ohm; 10mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
2SK3666-2-TB-E RoHS || 2SK3666-3-TB-E SOT23-3 SOT23-3
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
2SK3666-2-TB-E RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
175 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 250+ 1000+
cena netto (PLN) 1,4500 0,9490 0,6800 0,5860 0,5570
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
250
Ilość (wielokrotność 1)
N-JFET 30V 30V 200Ohm 10mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
2SK3878 TOSHIBA Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z;
2SK3878(STA1,E,S) RoHS || 2SK3878 TOSHIBA TO 3P
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
2SK3878(STA1,E,S) RoHS
Obudowa dokładna:
TO 3P
karta katalogowa
Stan magazynowy:
110 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 25+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 10,6400 8,4400 7,5500 7,2200 7,0900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25/500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 900V 900V 30V 1,3Ohm 9A 150W THT -55°C ~ 150°C TO 3P TOSHIBA
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-19
Ilość szt.: 500
                     
2SK3878 JSMICRO Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S);
2SK3878 RoHS || 2SK3878 JSMICRO TO 3P
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol Producenta:
2SK3878 RoHS
Obudowa dokładna:
TO 3P
 
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 8,3900 6,6600 5,9100 5,6500 5,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 900V 30V 1,3Ohm 9A 150W THT -55°C ~ 150°C TO 3P JSMICRO
 
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol Producenta:
2SK3878 RoHS
Obudowa dokładna:
TO 3P
 
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,3900 6,6600 6,0200 5,6900 5,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 900V 30V 1,3Ohm 9A 150W THT -55°C ~ 150°C TO 3P JSMICRO
2SK4013 Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 1,7Ohm; 6A; 45W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SK4013(STA4,Q,M);
2SK4013 RoHS || 2SK4013(STA4,Q,M) || 2SK4013 TO220iso
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
2SK4013 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,8000 5,1900 4,3000 3,7700 3,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 800V 800V 30V 1,7Ohm 6A 45W THT -55°C ~ 150°C TO220iso TOSHIBA
 
Producent:
Toshiba
Symbol Producenta:
2SK4013(STA4,Q,M)
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Magazyn zewnetrzny:
450 szt.
Ilość szt. 150+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 800V 800V 30V 1,7Ohm 6A 45W THT -55°C ~ 150°C TO220iso TOSHIBA
2V7002LT1G Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2V7002LT3G; 2V7002LT1;
2V7002LT1G RoHS || 2V7002LT1G || 2V7002LT1G SOT23-5
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
2V7002LT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-5/t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9320 0,4730 0,2860 0,2270 0,2070
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-5 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
2V7002LT1G
Obudowa dokładna:
SOT23-5
 
Magazyn zewnetrzny:
1776000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2070
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-5 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
2V7002LT1G
Obudowa dokładna:
SOT23-5
 
Magazyn zewnetrzny:
297000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2070
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-5 ON SEMICONDUCTOR
1    1  2  3  4  5  6  7  8  9    182

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.