Tranzystory polowe (wyszukane: 5457)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N7002ET1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 310mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002ET1E3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 310mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
2N7002EW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 340mA; 200mW; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 60V | 20V | 30V | 5,3Ohm | 340mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | AnBon | ||||||||||||
2N7002H6327XTSA2 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
17910 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4Ohm | 300mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | Infineon Technologies | |||||||||||||
2N7002K JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 500mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002K-7; 2N7002K,215; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3; 2N7002KT1G; 2N7002KT3G; 2N7002KT7G; 2N7002K-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 500mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JSMICRO | |||||||||||||
2N7002K SOT23 MDD
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 50V; 3Ohm; 500mA; 300mW; -50°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 10) |
MOSFET | 60V | 50V | 20V | 3Ohm | 600mA | 300mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | MDD | ||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
MOSFET | 60V | 50V | 20V | 3Ohm | 600mA | 300mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | MDD | ||||||||||||
2N7002KT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002KT1G; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7002KT1G RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
980 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7002KT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7002KT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
2436000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
2N7002KW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 310mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002KW-FAI; 2N7002KW-YAN; 2N7002KW-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 310mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7002KW Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
63000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 310mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7002KW Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
381000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 310mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
2N7002KW-Q Yangzhou Yangjie Elec.
N-Channel MOSFET; 60V; 340mA; 350mW; 3 Ohm; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1240 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5Ohm | 340mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | |||||||||||||
2N7002P,215
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 360mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002P,215; 2N7002P,235; 2N7002P.215; 2N7002P;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2845 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 360mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: 2N7002P,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
178000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 360mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: 2N7002P,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
120000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 360mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: 2N7002P,215 Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
42000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 360mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | NXP | |||||||||||||
2N7002PS NXP
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002PS.115; 2N7002PS,125;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2990 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 320mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: 2N7002PS,125 Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
42000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 320mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: 2N7002PS,115 Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
2067000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 320mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: 2N7002PS,115 Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 320mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 | NXP | |||||||||||||
2N7002PW NXP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002PW,115; 2N7002PW.115;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 310mA | 310mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: 2N7002PW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 310mA | 310mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: 2N7002PW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
708000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 310mA | 310mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: 2N7002PW,115 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
84000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 310mA | 310mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | NXP | |||||||||||||
2N7002T-7-F SOT-523 DIODES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-523 T/R
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
79 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 150mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT523 | DIODES | ||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: 2N7002T-7-F Obudowa dokładna: SOT523 |
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 150mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT523 | DIODES | ||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: 2N7002T-7-F Obudowa dokładna: SOT523 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 150mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT523 | DIODES | ||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: 2N7002T-7-F Obudowa dokładna: SOT523 |
Magazyn zewnetrzny:
129000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 150mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT523 | DIODES | ||||||||||||
K2N7002W-7-F KUU
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: K2N7002W-7-F RoHS Obudowa dokładna: SOT323 t/r |
Stan magazynowy:
600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 600 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | KUU | ||||||||||||
2N7002WT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5Ohm; 310mA; 280mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002W;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
11490 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5Ohm | 310mA | 280mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7002WT1G Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5Ohm | 310mA | 280mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7002WT1G Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
111000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5Ohm | 310mA | 280mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
2N7008-G Microchip
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 30V; 7,5Ohm; 230mA; 1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 30V | 7,5Ohm | 230mA | 1W | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | MICROCHIP | ||||||||||||
2SJ162
Tranzystor P-Channel MOSFET; 160V; 15V; 7A; 100W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 160V | 15V | 7A | 100W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | Renesas | ||||||||||||||
2SJ360
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 1,2Ohm; 1A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SJ360(F); 2SJ360(TE12L,F); 2SJ360-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: 2SJ360 RoHS Obudowa dokładna: SOT89 t/r |
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 1,2Ohm | 1A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | TOSHIBA | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-20
Ilość szt.: 100
|
|||||||||||||||||||||||
2SK1118
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 600V; 30V; 1,25Ohm; 6A; 45W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
PMC-Sierra Symbol Producenta: 2SK1118 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
18 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 24 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 600V | 30V | 1,25Ohm | 6A | 45W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | |||||||||||||
2SK209-GR
Tranzystor N-Channel JFET; 50V; 14mA; 150mW; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: 2SK209-GR(TE85L,F);
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
450 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-JFET | 50V | 14mA | 150mW | SMD | -55°C ~ 125°C | SC-59 | TOSHIBA | |||||||||||||||
2SK2746
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 1,7Ohm; 7A; 150W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
17 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 17 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 800V | 800V | 30V | 1,7Ohm | 7A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | TOSHIBA | ||||||||||||
2SK2883
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 3,6Ohm; 3A; 75W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 800V | 800V | 30V | 3,6Ohm | 3A | 75W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220/FL | TOSHIBA | ||||||||||||
2SK2963(TE12L,F)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 950mOhm; 1A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
37 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 950mOhm | 1A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | TOSHIBA | ||||||||||||
2SK3018 KUU
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: K2SK3018-7-F;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: 2SK3018 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 13Ohm | 100mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ||||||||||||||
2SK3018-TP
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 13Ohm; 100mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 13Ohm | 100mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Micro Comercial Components Corp. | |||||||||||||
2SK3565
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 2,5Ohm; 5A; 45W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SK3565(Q,M); 2SK3565(STA4,Q,M);
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 900V | 900V | 30V | 2,5Ohm | 5A | 45W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | TOSHIBA | ||||||||||||
2SK3666-3-TB-E SOT23-3
Tranzystor N-Channel JFET; 30V; 30V; 200Ohm; 10mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
175 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 250 Ilość (wielokrotność 1) |
N-JFET | 30V | 30V | 200Ohm | 10mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
2SK3878 TOSHIBA
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S); TSA9N90M; TSA9N9OM; 2SK3878(STA1.E.S); podobny do STW11NK100Z;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
110 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 900V | 900V | 30V | 1,3Ohm | 9A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | TOSHIBA | ||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-19
Ilość szt.: 500
|
|||||||||||||||||||||||
2SK3878 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 150W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SK3878(F); 2SK3878(STA1,E,S);
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMicro Semiconductor Symbol Producenta: 2SK3878 RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 900V | 30V | 1,3Ohm | 9A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | JSMICRO | |||||||||||||
Producent:
JSMicro Semiconductor Symbol Producenta: 2SK3878 RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 900V | 30V | 1,3Ohm | 9A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | JSMICRO | |||||||||||||
2SK4013
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 800V; 30V; 1,7Ohm; 6A; 45W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2SK4013(STA4,Q,M);
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 800V | 800V | 30V | 1,7Ohm | 6A | 45W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | TOSHIBA | ||||||||||||
Producent:
Toshiba Symbol Producenta: 2SK4013(STA4,Q,M) Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
450 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 800V | 30V | 1,7Ohm | 6A | 45W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | TOSHIBA | ||||||||||||
2V7002LT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2V7002LT3G; 2V7002LT1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-5 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2V7002LT1G Obudowa dokładna: SOT23-5 |
Magazyn zewnetrzny:
1776000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-5 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2V7002LT1G Obudowa dokładna: SOT23-5 |
Magazyn zewnetrzny:
297000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-5 | ON SEMICONDUCTOR |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.