Tranzystory polowe (wyszukane: 5412)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AO8822
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 28mOhm; 7A; 1,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO8822 RoHS Obudowa dokładna: TSSOP08 t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 28mOhm | 7A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSSOP08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD240
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,8mOhm; 70A; 150W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 4,8mOhm | 70A | 150W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD2544
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 107mOhm; 23A; 75W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
55 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 107mOhm | 23A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD2544 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 107mOhm | 23A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD2910
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 42mOhm; 31A; 53,5W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD2910 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 42mOhm | 31A | 53,5W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD2922
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 7A; 17W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD2922 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 270mOhm | 7A | 17W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD2N60
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,4Ohm; 2A; 56,8W; -50°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD2N60 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 4,4Ohm | 2A | 56,8W | SMD | -50°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD2N60 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
42500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 30V | 4,4Ohm | 2A | 56,8W | SMD | -50°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD3N50
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 3Ohm; 2,8A; 57W; -50°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD3N50 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 3Ohm | 2,8A | 57W | SMD | -50°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD3N60
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 3,5Ohm; 2,5A; 56,8W; -50°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 3,5Ohm | 2,5A | 56,8W | SMD | -50°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD3N60 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 30V | 3,5Ohm | 2,5A | 56,8W | SMD | -50°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD403
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 8,5mOhm; 70A; 90W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD403 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
1305 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 8,5mOhm | 70A | 90W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD403 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 8,5mOhm | 70A | 90W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD407
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD407 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
26 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 12A | 50W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD4130
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 30mOhm; 30A; 52W; -55°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
35 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 30mOhm | 30A | 52W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) t/r | UMW | |||||||||||||
AOD4130
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7W; -55°C~150°C; AOD4130; AOD4130-HXY; AOD4130-MS; AOD4130-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 38mOhm | 30A | 34,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) t/r | HXY MOSFET | |||||||||||||
AOD4132
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6mOhm; 85A; 100W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD4132 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 6mOhm | 85A | 100W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD413A
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 66mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
58 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 66mOhm | 12A | 50W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD417
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD417 RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r |
Stan magazynowy:
235 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 55mOhm | 25A | 50W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD417 UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 25A; 50W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AOD417 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 55mOhm | 25A | 50W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | UMW | |||||||||||||
AOD4184A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 50A; 50W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
420 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 12mOhm | 50A | 50W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD4185
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 23mOhm; 40A; 62,5W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD4185 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
1100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 23mOhm | 40A | 62,5W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD4185 JGSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 20mOhm; 40A; 73,5W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: AOD4185 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
190 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 20mOhm | 40A | 73,5W | SMD | -55°C ~ 125°C | TO252 (DPACK) | JGSEMI | |||||||||||||
AOD4185 JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 22mOhm; 44A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AOD4185 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 22mOhm | 44A | 50W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | JSMICRO | |||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 22mOhm | 44A | 50W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | JSMICRO | |||||||||||||
AOD4185 UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 20mOhm; 40A; 62,5W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AOD4185 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 20mOhm | 40A | 62,5W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | UMW | |||||||||||||
AOD4186
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 24mOhm; 35A; 50W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA Symbol Producenta: AOD4186 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
67 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 24mOhm | 35A | 50W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD4189
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 33mOhm; 40A; 62,5W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD4189 RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
4061 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 33mOhm | 40A | 62,5W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD4189 JGSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 45mOhm; 22A; 34,7W; -50°C ~ 125°C; Odpowiednik: AOD4189 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 45mOhm | 22A | 34,7W | SMD | -50°C ~ 125°C | TO252 (DPACK) | JGSEMI | |||||||||||||
AOD4189 UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 29mOhm; 40A; 62,5W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AOD4189 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 29mOhm | 40A | 62,5W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | UMW | |||||||||||||
AOD423 Alpha
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 25V; 9,2mOhm; 70A; 90W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
134 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 250 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 9,2mOhm | 70A | 90W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD424
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6,2mOhm; 45A; 100W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA Symbol Producenta: AOD424 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 6,2mOhm | 45A | 100W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 6,2mOhm | 45A | 100W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD4286
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 126mOhm; 14A; 30W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD4286 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
92 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 126mOhm | 14A | 30W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD442
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 37mOhm; 37A; 60W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD442 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 37mOhm | 37A | 60W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD442 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 37mOhm | 37A | 60W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD444
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 12A; 20W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD444 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 100mOhm | 12A | 20W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | ALPHA&OMEGA |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.