Tranzystory polowe (wyszukane: 5412)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOT430
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 25V; 19mOhm; 80A; 268W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOT430 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 75V | 25V | 19mOhm | 80A | 268W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOT4N60
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOT4N60 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
33 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 2,2Ohm | 4A | 104W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOT5N50
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 1,5Ohm; 5A; 104W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOT5N50 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
45 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 1,5Ohm | 5A | 104W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOT7N65
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 192W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOT7N65 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
12 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 1,56Ohm | 7A | 192W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF10N60
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF10N60 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 750mOhm | 10A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF11N70
Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 870mOhm; 11A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF11N70 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 700V | 30V | 870mOhm | 11A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF11N70 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 700V | 30V | 870mOhm | 11A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF12N60
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 550mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF12N60 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 550mOhm | 12A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF12N60FD
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 650mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 650mOhm | 12A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Stan magazynowy:
22 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 22 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 650mOhm | 12A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Stan magazynowy:
28 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 28 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 650mOhm | 12A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF12N65
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 720mOhm; 12A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF12N65 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 720mOhm | 12A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF12N65 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
2900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 30V | 720mOhm | 12A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF16N50
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 370mOhm; 16A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 370mOhm | 16A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 370mOhm | 16A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF20N60
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 370mOhm; 20A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF20N60 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
35 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 370mOhm | 20A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF240L
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,7mOhm; 85A; 41W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF240L RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 4,7mOhm | 85A | 41W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF2916L
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 62mOhm; 17A; 23,5W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF2916L RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 62mOhm | 17A | 23,5W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF4185
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 23mOhm; 34A; 33W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
AD - Analog Devices Symbol Producenta: AOTF4185 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 23mOhm | 34A | 33W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF4N60
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF4N60 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 2,2Ohm | 4A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF5N50
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 1,5Ohm; 5A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF5N50 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 1,5Ohm | 5A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF7N65
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,56Ohm; 7A; 38,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF7N65 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 1,56Ohm | 7A | 38,5W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF7N65 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 1,56Ohm | 7A | 38,5W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF7N70
Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 1,8Ohm; 7A; 38,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF7N70 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 700V | 30V | 1,8Ohm | 7A | 38,5W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF7T60P
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 1,1Ohm; 7A; 38W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 1,1Ohm | 7A | 38W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF9N70
Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 1,2Ohm; 9A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF9N70 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 700V | 30V | 1,2Ohm | 9A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOTF9N90
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 1,3Ohm; 9A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOTF9N90 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 900V | 30V | 1,3Ohm | 9A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOU2N60
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,4Ohm; 2A; 56,8W; -50°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOU2N60 RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 80 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 4,4Ohm | 2A | 56,8W | THT | -50°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOU2N60 RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 4,4Ohm | 2A | 56,8W | THT | -50°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AP2301GN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 190mOhm; 2,6A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2301AGN;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2260 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 190mOhm | 2,6A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP2302AGN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 60mOhm; 4,6A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2302AGN; AP2302AGN-HF; AP2302AGN-HF-ML; AP2302AGN-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
165 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 60mOhm | 4,6A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP2302GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 115mOhm; 3,2A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2365 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 115mOhm | 3,2A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP2303GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 460mOhm; 1,9A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2303GN; AP2303GN-HF; AP2303GN-HF-3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
160 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 460mOhm | 1,9A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP2304AGN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 190mOhm; 2,5A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
110 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 190mOhm | 2,5A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP2305CGN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 3,2A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 120mOhm | 3,2A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP2306GN-HF-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5,3A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; AP2306GN-HF; AP2309GN-HF-3TR; AP2306GN; AP2306GN-HF-3; AP2309GN-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 50mOhm | 5,3A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/21000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 50mOhm | 5,3A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
Stan magazynowy:
51000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 50mOhm | 5,3A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. | |||||||||||||
AP2307GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Tranzystor P-Channel MOSFET; 16V; 8V; 90mOhm; 4A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2320 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 16V | 8V | 90mOhm | 4A | 1,38W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Advanced Power Electronics Corp. |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.