Tranzystory polowe (wyszukane: 5463)

1    4  5  6  7  8  9  10  11  12    183
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
SKML2402 SHIKUES Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 80mOhm; 2A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2402TRPBF; IRLML2402GTRPBF; SP001552710; SP001572972;
SKML2402 RoHS || SKML2402 SHIKUES SOT23
Producent:
SHIKUES
Symbol Producenta:
SKML2402 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,8280 0,4190 0,2520 0,1990 0,1840
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 10V 80mOhm 2A 700mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 SHIKUES
SKQ50N03BD SHIKUES Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 50A; 30W; -55°C ~ 175°C;
SKQ50N03BD RoHS || SKQ50N03BD SHIKUES DFN08(3.3x3.3)
Producent:
SHIKUES
Symbol Producenta:
SKQ50N03BD RoHS
Obudowa dokładna:
DFN08(3.3x3.3)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3400 0,8790 0,6300 0,5510 0,5160
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 8mOhm 50A 30W SMD -55°C ~ 175°C DFN08(3.3x3.3) SHIKUES
STF14NM50N Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 320mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C;
STF14NM50N RoHS || STF14NM50N || STF14NM50N TO220iso
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STF14NM50N RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,7800 5,4100 4,6300 4,1600 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 500V 25V 320mOhm 12A 25W THT -55°C ~ 150°C TO220iso STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STF14NM50N
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Magazyn zewnetrzny:
1420 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 500V 25V 320mOhm 12A 25W THT -55°C ~ 150°C TO220iso STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STF14NM50N
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Magazyn zewnetrzny:
2950 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 500V 25V 320mOhm 12A 25W THT -55°C ~ 150°C TO220iso STMicroelectronics
STN1HNK60 Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 8,5Ohm; 400mA; 3,3W; -55°C ~ 150°C;
STN1HNK60 RoHS || STN1HNK60 || STN1HNK60 SOT223
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STN1HNK60 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
250 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
cena netto (PLN) 2,1100 1,2800 0,9840 0,8730 0,8430
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 600V 600V 30V 8,5Ohm 400mA 3,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STN1HNK60
Obudowa dokładna:
SOT223
 
Magazyn zewnetrzny:
56000 szt.
Ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8430
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 600V 600V 30V 8,5Ohm 400mA 3,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STN1HNK60
Obudowa dokładna:
SOT223
 
Magazyn zewnetrzny:
124000 szt.
Ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8430
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 600V 600V 30V 8,5Ohm 400mA 3,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 STMicroelectronics
STW70N60M2 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 40mOhm; 68A; 450W; -55°C ~ 150°C;
STW70N60M2 RoHS || STW70N60M2 || STW70N60M2 TO247
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STW70N60M2 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
28 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
cena netto (PLN) 32,6300 30,6300 29,3900 28,7500 28,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 25V 40mOhm 68A 450W THT -55°C ~ 150°C TO247 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STW70N60M2
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
2140 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 28,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 650V 25V 40mOhm 68A 450W THT -55°C ~ 150°C TO247 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STW70N60M2
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
600 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 28,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 650V 25V 40mOhm 68A 450W THT -55°C ~ 150°C TO247 STMicroelectronics
STW88N65M5 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 29mOhm; 84A; 450W; -55°C ~ 150°C;
STW88N65M5 RoHS || STW88N65M5 || STW88N65M5 TO247
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STW88N65M5 RoHS
Obudowa dokładna:
TO247
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 10+ 20+ 40+
cena netto (PLN) 60,3500 56,8400 55,9700 55,3300 54,8600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 25V 29mOhm 84A 450W THT -55°C ~ 150°C TO247 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STW88N65M5
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
5498 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 54,8600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 650V 25V 29mOhm 84A 450W THT -55°C ~ 150°C TO247 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STW88N65M5
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
1740 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 54,8600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 650V 25V 29mOhm 84A 450W THT -55°C ~ 150°C TO247 STMicroelectronics
 
Producent:
ST
Symbol Producenta:
STW88N65M5
Obudowa dokładna:
TO247
 
Magazyn zewnetrzny:
2060 szt.
Ilość szt. 30+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 54,8600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 650V 25V 29mOhm 84A 450W THT -55°C ~ 150°C TO247 STMicroelectronics
SUM90P10-19L-E3 Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C;
SUM90P10-19L-E3 RoHS || SUM90P10-19L-E3 || SUM90P10-19L-E3 TO263 (D2PAK)
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SUM90P10-19L-E3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO263t/r (D2PAK)
 
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 96+
cena netto (PLN) 14,8300 13,1800 12,1900 11,7000 11,4100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
96
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 100V 20V 21mOhm 90A 375W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) VISHAY
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SUM90P10-19L-E3
Obudowa dokładna:
TO263 (D2PAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
76000 szt.
Ilość szt. 800+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 11,4100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
800
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 100V 20V 21mOhm 90A 375W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) VISHAY
WPM2015 SOT23 Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 2,4A; 110mOhm; 1,1W; -55°C~150°C; Odpowiednik: HXY MOSFET WPM2015; WILLSEMI WPM2015-3/TR; VBSEMI WPM2015-3/TR; WPM2015-HXY;
WPM2015-3/TR RoHS || WPM2015-HXY RoHS || WPM2015 SOT23 SOT23
Producent:
kuu semiconductor
Symbol Producenta:
WPM2015-3/TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 0,9190 0,4330 0,2410 0,1940 0,1670
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 110mOhm 2,4A 1,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 KUU
 
Producent:
HXY MOSFET
Symbol Producenta:
WPM2015-HXY RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,9630 0,4820 0,2870 0,2380 0,2140
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 110mOhm 2,4A 1,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 KUU
IRF7401TR Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: YFW4406AS; IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308; IRF7401TRPBF-VB; IRF7401TR(UMW); IRF7401TRPBF-JSM;
YFW4406AS RoHS || IRF7401TR SOP08
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
YFW4406AS RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
180 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 40+ 180+ 720+
cena netto (PLN) 1,8400 1,2000 0,8870 0,7550 0,7080
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
180
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 30mOhm 8,7A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 UMW
 
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
YFW4406AS RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 40+ 180+ 720+
cena netto (PLN) 1,8400 1,2000 0,8870 0,7550 0,7080
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 30mOhm 8,7A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 UMW
2N6027 Tranzystor PUT; 300mW; -50°C ~ 100°C; Odpowiednik: 2N6027G; 2N6027RL1G; 2N6027RLRAG; 2N6027G-T92-B;
2N6027G-T92-B RoHS || 2N6027 TO92
Producent:
UTC
Symbol Producenta:
2N6027G-T92-B RoHS
Obudowa dokładna:
TO92ammoformed
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,5500 0,8560 0,6740 0,6240 0,5980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
PUT 40V 150mA 300mW THT -50°C ~ 100°C TO92 UTC
2N7000 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000BU (bulk); 2N7000-G; 2N7000-D26Z; 2N7000TA;
2N7000BU RoHS || 2N7000TA || 2N7000-D26Z || 2N7000 TO92
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
2N7000BU RoHS
Obudowa dokładna:
TO92bul
 
Stan magazynowy:
350 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0700 0,5680 0,4400 0,4060 0,3890
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/2000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
2N7000TA
Obudowa dokładna:
TO92
 
Magazyn zewnetrzny:
41000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3890
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
2N7000TA
Obudowa dokładna:
TO92
 
Magazyn zewnetrzny:
102000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3890
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
2N7000-D26Z
Obudowa dokładna:
TO92
 
Magazyn zewnetrzny:
114000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3890
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 9Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
2N7000 TO92(ammo formed PIN) LGE Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000-LGE; (ONS: 2N7000TA; 2N7000-D26Z; 2N7000-D74Z; 2N7000-D75Z);
2N7000 RoHS || 2N7000 TO92(ammo formed PIN) LGE TO92ammoformed
Producent:
LGE
Symbol Producenta:
2N7000 RoHS
Obudowa dokładna:
TO92bul
 
Stan magazynowy:
6010 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,6000 0,2400 0,1390 0,1160 0,1090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/10000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 5,3Ohm 200mA 400mW THT -55°C ~ 150°C TO92ammoformed
2N7000 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE;
2N7000 RoHS || 2N7000 TO92
Producent:
LGE
Symbol Producenta:
2N7000 RoHS
Obudowa dokładna:
TO92bul
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 2000+
cena netto (PLN) 0,6600 0,2610 0,1500 0,1250 0,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000/2000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 6Ohm 200mA 350mW THT -55°C ~ 150°C TO92 LGE
2N7002-7-F Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES;
2N7002-7-F RoHS || 2N7002-7-F || 2N7002-TP || 2N7002-7-F SOT23
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
2N7002-7-F RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
154920 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4470 0,1760 0,1030 0,0753 0,0688
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 210mA 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
2N7002-7-F
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
2790000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0688
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 210mA 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Producent:
Micro Commercial Components Corp.
Symbol Producenta:
2N7002-TP
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
1686000 szt.
Ilość szt. 12000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0688
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 210mA 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
2N7002-7-F
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
4083000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,0688
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 210mA 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
2N7002 N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000mΩ
2N7002 RoHS || 2N7002 SOT23
Producent:
MIC
Symbol Producenta:
2N7002 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2250 0,0841 0,0450 0,0336 0,0310
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 60V 60V 30V 5Ohm 300mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT-23 MIC
2N7002 GALAXY Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
2N7002 RoHS || 2N7002 GALAXY SOT23
Producent:
GALAXY
Symbol Producenta:
2N7002 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3010 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3670 0,1450 0,0845 0,0618 0,0565
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 200mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 GALAXY
7002 SOT23 GAOGE Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 4Ohm; 340mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
7002 RoHS || 7002 SOT23 GAOGE SOT23
Producent:
GAOGE
Symbol Producenta:
7002 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5496 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2630 0,0985 0,0527 0,0394 0,0363
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 60V 4Ohm 340mA SMA -55°C ~ 150°C SOT23 GAOGE
2N7002 HXY MOSFET Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
2N7002 RoHS || 2N7002 HXY MOSFET SOT23
Producent:
HXY MOSFET
Symbol Producenta:
2N7002 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3200 0,1230 0,0602 0,0478 0,0457
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 60V 20V 3Ohm 300mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HXY MOSFET
2N7002 JSMICRO Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
2N7002 RoHS || 2N7002 JSMICRO SOT23
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol Producenta:
2N7002 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4350 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3680 0,1450 0,0847 0,0620 0,0566
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 JSMICRO
2N7002 JUXING Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
2N7002 RoHS || 2N7002 JUXING SOT23
Producent:
JUXING
Symbol Producenta:
2N7002 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3440 0,1360 0,0791 0,0579 0,0529
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 60V 20V 4Ohm 300mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 JUXING
K2N7002-7-F KUU Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 3Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002; K2N7002T-7-F;
K2N7002-7-F RoHS || K2N7002-7-F KUU SOT23
Producent:
kuu semiconductor
Symbol Producenta:
K2N7002-7-F RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 600+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4720 0,2170 0,1180 0,0865 0,0787
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
600
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 3mOhm 115mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 KUU
2N7002 LGE Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002-LGE
2N7002 RoHS || 2N7002 LGE SOT23
Producent:
LGE
Symbol Producenta:
2N7002 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2880 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3260 0,1260 0,0613 0,0488 0,0466
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 60V 7,5Ohm 115mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 LGE
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-20
Ilość szt.: 3000
                     
2N7002 MLCCBASE Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C;
2N7002 RoHS || 2N7002 MLCCBASE SOT23
Producent:
MLCCBASE
Symbol Producenta:
2N7002 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3280 0,1290 0,0754 0,0552 0,0504
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 60V 20V 7Ohm 115mA 225mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 MLCCBASE
2N7002LT1G Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002LT3G (10Kpcs/T&R); 2N7002LT1H; 2N7002LT7G;
2N7002LT1G RoHS || 2N7002LT7G || 2N7002LT1G || 2N7002LT1G SOT23
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
2N7002LT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7590 0,3610 0,2030 0,1540 0,1380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
2N7002LT7G
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
7000 szt.
Ilość szt. 7000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
2N7002LT1G
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
14856000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 115mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
2N7002 SHIKUES Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 430mA; 830mW; -55°C ~ 150°C;
2N7002 12W RoHS || 2N7002 SHIKUES SOT23
Producent:
SHIKUES
Symbol Producenta:
2N7002 12W RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2930 0,1130 0,0552 0,0439 0,0419
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 60V 20V 4Ohm 430mA 830mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 SHIKUES
2N7002 SLKOR Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
2N7002 RoHS || 2N7002 SLKOR SOT23
Producent:
SLKOR
Symbol Producenta:
2N7002 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
8600 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3450 0,1360 0,0794 0,0581 0,0531
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 60V 20V 7,5Ohm 115mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 SLKOR
2N7002PS SOT363=TSSOP6 Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 420mW; -55°C ~ 150°C;
2N7002PS M8.. RoHS || 2N7002PS SOT363=TSSOP6 SOT363
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
2N7002PS M8.. RoHS
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1995 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9190 0,4360 0,2450 0,1860 0,1670
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 60V 20V 2Ohm 320mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 NXP
2N7002 UMW Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
2N7002 RoHS || 2N7002 UMW SOT23
Producent:
UMW
Symbol Producenta:
2N7002 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 6000+
cena netto (PLN) 0,2790 0,1070 0,0519 0,0411 0,0399
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/6000
Ilość (wielokrotność 10)
N-MOSFET 60V 20V 7Ohm 115mA 225mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 UMW
2N7002-TP Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
2N7002-TP RoHS || 2N7002-TP SOT23-3
Producent:
Micro Commercial Components Corp.
Symbol Producenta:
2N7002-TP RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
21000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7870 0,3740 0,2100 0,1600 0,1430
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 7,5Ohm 115mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 Micro Comercial Components Corp.
2N7002A-7 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 220mA; 540mW; -55°C ~ 150°C;
2N7002A-7 RoHS || 2N7002A-7 || 2N7002A || 2N7002A-7 SOT23
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
2N7002A-7 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2450 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8140 0,3870 0,2180 0,1650 0,1480
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 6Ohm 220mA 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
2N7002A-7
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt.
Ilość szt. 15000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1480
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 6Ohm 220mA 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Producent:
-
Symbol Producenta:
2N7002A
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
5600 szt.
Ilość szt. 20+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1480
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 6Ohm 220mA 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
1    4  5  6  7  8  9  10  11  12    183

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.