Tranzystory polowe (wyszukane: 5463)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SKML2402 SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 80mOhm; 2A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2402TRPBF; IRLML2402GTRPBF; SP001552710; SP001572972;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 10V | 80mOhm | 2A | 700mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | SHIKUES | |||||||||||||
SKQ50N03BD SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 50A; 30W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 8mOhm | 50A | 30W | SMD | -55°C ~ 175°C | DFN08(3.3x3.3) | SHIKUES | |||||||||||||
STF14NM50N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 320mOhm; 12A; 25W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 25V | 320mOhm | 12A | 25W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STF14NM50N Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
1420 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 25V | 320mOhm | 12A | 25W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STF14NM50N Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
2950 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 25V | 320mOhm | 12A | 25W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | STMicroelectronics | |||||||||||||
STN1HNK60
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 600V; 30V; 8,5Ohm; 400mA; 3,3W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
250 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 600V | 30V | 8,5Ohm | 400mA | 3,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | STMicroelectronics | ||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STN1HNK60 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
56000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 600V | 30V | 8,5Ohm | 400mA | 3,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | STMicroelectronics | ||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STN1HNK60 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
124000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 600V | 30V | 8,5Ohm | 400mA | 3,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | STMicroelectronics | ||||||||||||
STW70N60M2
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 40mOhm; 68A; 450W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
28 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 25V | 40mOhm | 68A | 450W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STW70N60M2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
2140 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 25V | 40mOhm | 68A | 450W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STW70N60M2 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 25V | 40mOhm | 68A | 450W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | STMicroelectronics | |||||||||||||
STW88N65M5
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 25V; 29mOhm; 84A; 450W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 25V | 29mOhm | 84A | 450W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STW88N65M5 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
5498 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 25V | 29mOhm | 84A | 450W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STW88N65M5 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
1740 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 25V | 29mOhm | 84A | 450W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | STMicroelectronics | |||||||||||||
Producent:
ST Symbol Producenta: STW88N65M5 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
2060 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 25V | 29mOhm | 84A | 450W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | STMicroelectronics | |||||||||||||
SUM90P10-19L-E3
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 90A; 375W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SUM90P10-19L-E3 RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 96 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 21mOhm | 90A | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SUM90P10-19L-E3 Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
76000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 21mOhm | 90A | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
WPM2015 SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 2,4A; 110mOhm; 1,1W; -55°C~150°C; Odpowiednik: HXY MOSFET WPM2015; WILLSEMI WPM2015-3/TR; VBSEMI WPM2015-3/TR; WPM2015-HXY;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 110mOhm | 2,4A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | KUU | |||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 110mOhm | 2,4A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | KUU | |||||||||||||
IRF7401TR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: YFW4406AS; IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308; IRF7401TRPBF-VB; IRF7401TR(UMW); IRF7401TRPBF-JSM;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW4406AS RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
180 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 180 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 30mOhm | 8,7A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW4406AS RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 30mOhm | 8,7A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
2N6027
Tranzystor PUT; 300mW; -50°C ~ 100°C; Odpowiednik: 2N6027G; 2N6027RL1G; 2N6027RLRAG; 2N6027G-T92-B;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
PUT | 40V | 150mA | 300mW | THT | -50°C ~ 100°C | TO92 | UTC | |||||||||||||||
2N7000
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000BU (bulk); 2N7000-G; 2N7000-D26Z; 2N7000TA;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7000BU RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
350 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/2000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7000TA Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
41000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7000TA Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
102000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7000-D26Z Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
114000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 9Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
2N7000 TO92(ammo formed PIN) LGE
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7000-LGE; (ONS: 2N7000TA; 2N7000-D26Z; 2N7000-D74Z; 2N7000-D75Z);
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
LGE Symbol Producenta: 2N7000 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
6010 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/10000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5,3Ohm | 200mA | 400mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92ammoformed | |||||||||||||
2N7000
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000/2000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 6Ohm | 200mA | 350mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | LGE | ||||||||||||||
2N7002-7-F
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 210mA; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-13-F; 2N7002-T1-E3; 2N7002TA; 2N7002_D87Z; 2N7002-13P; 2N7002-D87Z; 2N7002-7-F-ES;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
154920 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 210mA | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | ||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: 2N7002-7-F Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
2790000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 210mA | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | ||||||||||||
Producent:
Micro Commercial Components Corp. Symbol Producenta: 2N7002-TP Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
1686000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 210mA | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | ||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: 2N7002-7-F Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
4083000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 210mA | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | ||||||||||||
2N7002
N-Channel(with ESD) MOSFET 0.43A 60V 4000mΩ
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
MIC Symbol Producenta: 2N7002 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 30V | 5Ohm | 300mA | 830mW | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT-23 | MIC | ||||||||||||
2N7002 GALAXY
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3010 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 200mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | GALAXY | ||||||||||||
7002 SOT23 GAOGE
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 4Ohm; 340mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5496 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 60V | 4Ohm | 340mA | SMA | -55°C ~ 150°C | SOT23 | GAOGE | |||||||||||||||
2N7002 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
2N7002 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4350 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JSMICRO | ||||||||||||
2N7002 JUXING
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4Ohm | 300mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JUXING | |||||||||||||
K2N7002-7-F KUU
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 60V; 20V; 3Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002; K2N7002T-7-F;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: K2N7002-7-F RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 600 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 3mOhm | 115mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | KUU | ||||||||||||
2N7002 LGE
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; 2N7002-LGE
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2880 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 60V | 7,5Ohm | 115mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | LGE | ||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-20
Ilość szt.: 3000
|
|||||||||||||||||||||||
2N7002 MLCCBASE
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 7Ohm | 115mA | 225mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | MLCCBASE | |||||||||||||
2N7002LT1G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002LT3G (10Kpcs/T&R); 2N7002LT1H; 2N7002LT7G;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7002LT7G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
7000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2N7002LT1G Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
14856000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 13,5Ohm | 115mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
2N7002 SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 430mA; 830mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4Ohm | 430mA | 830mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | SHIKUES | |||||||||||||
2N7002 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
8600 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 7,5Ohm | 115mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | SLKOR | |||||||||||||
2N7002PS SOT363=TSSOP6
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 320mA; 420mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1995 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 320mA | 420mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | NXP | |||||||||||||
2N7002 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7Ohm; 115mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/6000 Ilość (wielokrotność 10) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 7Ohm | 115mA | 225mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
2N7002-TP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,5Ohm; 115mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
21000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 7,5Ohm | 115mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | Micro Comercial Components Corp. | |||||||||||||
2N7002A-7
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 220mA; 540mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2450 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 6Ohm | 220mA | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: 2N7002A-7 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 6Ohm | 220mA | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: 2N7002A Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
5600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 6Ohm | 220mA | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.