2N7002 SHIKUES

Symbol Micros: T2N7002 SHK
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 430mA; 830mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 430mA
Maksymalna tracona moc: 830mW
Obudowa: SOT23
Producent: SHIKUES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: SHIKUES Symbol producenta: 2N7002 12W RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
15000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2930 0,1130 0,0552 0,0439 0,0419
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 430mA
Maksymalna tracona moc: 830mW
Obudowa: SOT23
Producent: SHIKUES
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Montaż: SMD