2N7002 GALAXY

Symbol Micros: T2N7002 GAL
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 13,5Ohm; 115mA; 200mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 13,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 115mA
Maksymalna tracona moc: 200mW
Obudowa: SOT23
Producent: GALAXY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Producent: GALAXY Symbol producenta: 2N7002 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3010 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3670 0,1450 0,0845 0,0618 0,0565
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 13,5Ohm
Maksymalny prąd drenu: 115mA
Maksymalna tracona moc: 200mW
Obudowa: SOT23
Producent: GALAXY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Maksymalne napięcie dren-bramka: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -50°C ~ 150°C
Montaż: SMD