7002 SOT23 GAOGE

Symbol Micros: T2N7002 GAO
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 4Ohm; 340mA; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 340mA
Obudowa: SOT23
Producent: GAOGE
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Producent: GAOGE Symbol producenta: 7002 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
5596 szt.
ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2460 0,0920 0,0492 0,0368 0,0339
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 4Ohm
Maksymalny prąd drenu: 340mA
Obudowa: SOT23
Producent: GAOGE
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMA