2N7002 HXY MOSFET

Symbol Micros: T2N7002 HXY
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 300mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: 2N7002-7-F; 2N7002,215; 2N7002-T1-E3; 2N7002-T1-GE3; 2N7002TA; 2N7002LT1G; 2N7002LT3G; 2N7002LT7G; 2N7002H6327XTSA2; 2N7002-TP;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 300mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: HXY MOSFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: HXY MOSFET Symbol producenta: 2N7002 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3200 0,1230 0,0602 0,0478 0,0457
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 3Ohm
Maksymalny prąd drenu: 300mA
Maksymalna tracona moc: 350mW
Obudowa: SOT23
Producent: HXY MOSFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: 60V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD