Tranzystory polowe (wyszukane: 5412)

1    6  7  8  9  10  11  12  13  14    181
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
AP2309GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 120mOhm; 3,7A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2309GN; AP2309GN-HF; AP2309GN-HF-3;
AP2309GN-HF-3 Pbf NB.. || AP2309GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2309GN-HF-3 Pbf NB..
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,2600 0,6950 0,4600 0,3830 0,3600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 120mOhm 3,7A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
AP2310GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 120mOhm; 3A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2310GN-HF-3TR;
AP2310GN RoHS || AP2310GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2310GN RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,7900 0,9930 0,7840 0,7120 0,6890
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 120mOhm 3A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
AP2310GN JGSEMI Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 3A; 1,56W; -50°C ~ 125°C; Odpowiednik: AP2310GN-HF-3;
AP2310GN RoHS || AP2310GN JGSEMI SOT23
Producent:
JGSEMI
Symbol Producenta:
AP2310GN RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,2900 0,7120 0,4720 0,3930 0,3690
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 100mOhm 3A 1,56W SMD -50°C ~ 125°C SOT23 JGSEMI
AP2311GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 300mOhm; 1,8A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2311GN; AP2311GH-HF; AP2311GN-HF-3; AP2311GN-HF-VB; AP2311GN-VB;
AP2311GN-HF-3 Pbf B22D || AP2311GN-HF RoHS || AP2311GN RoHS || AP2311GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2311GN-HF-3 Pbf B22D
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1800 0,6250 0,4840 0,4470 0,4280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,8A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
 
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2311GN-HF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
11545 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1800 0,6250 0,4840 0,4470 0,4280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/78000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,8A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
 
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2311GN RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
560 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1800 0,6250 0,4840 0,4470 0,4280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,8A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
AP2313GN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 300mOhm; 2,5A; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2313GN-HF-3TR;
AP2313GN-HF-3 RoHS || AP2313GN-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2313GN-HF-3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1100 0,5880 0,4560 0,4210 0,4030
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 300mOhm 2,5A 830mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
AP2314GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 125mOhm; 3,5A; 830mW; -55°C ~ 150°C;
AP2314GN-HF-3 RoHS || AP2314GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2314GN-HF-3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,9520 0,5210 0,3420 0,2950 0,2720
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 125mOhm 3,5A 830mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
AP2316GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 72mOhm; 4,7A; 1,38W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP2316GN-HF-3TR;
AP2316GN-HF-3 RoHS || AP2316GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2316GN-HF-3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
70 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,9520 0,5210 0,3420 0,2950 0,2720
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 72mOhm 4,7A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
AP2319GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 150mOhm; 3,1A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
AP2319GN-HF-3 RoHS || AP2319GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2319GN-HF-3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
900 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0300 0,5630 0,3690 0,3190 0,2940
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 150mOhm 3,1A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
AP2320GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9Ohm; 250mA; 700mW; -55°C ~ 150°C;
AP2320GN-HF-3 RoHS NN.. || AP2320GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2320GN-HF-3 RoHS NN..
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,6000 0,8810 0,6930 0,6410 0,6150
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 9Ohm 250mA 700mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
AP2324GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 39mOhm; 6A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
AP2324GN-HF RoHS || AP2324GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2324GN-HF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,5200 0,8380 0,6590 0,6100 0,5850
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 39mOhm 6A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
AP2334GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm; 5,6A; 1,38W; -55°C ~ 150°C;
AP2334GN-HF-3 RoHS M5.. || AP2334GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2334GN-HF-3 RoHS M5..
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3500 0,7430 0,5850 0,5410 0,5190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 42mOhm 5,6A 1,38W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
AP2603GY-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 120mOhm; 5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP2603GY RoHS || AP2603GY-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT26
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2603GY RoHS
Obudowa dokładna:
SOT26
karta katalogowa
Stan magazynowy:
124 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,1300 0,6220 0,4110 0,3430 0,3220
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 120mOhm 5A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOT26 Advanced Power Electronics Corp.
AP2608GY-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 2,6Ohm; 570mA; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP2608GY-HF-3 RoHS YF.. || AP2608GY-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT26
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2608GY-HF-3 RoHS YF..
Obudowa dokładna:
SOT26
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3500 0,7420 0,5830 0,5400 0,5180
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 150V 20V 2,6Ohm 570mA 2W SMD -55°C ~ 150°C SOT26 Advanced Power Electronics Corp.
AP2N7002K-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4Ohm; 450mA; 700mW; -55°C ~ 150°C;
AP2N7002K-HF RoHS || AP2N7002K-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT23
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP2N7002K-HF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7700 0,3660 0,2060 0,1560 0,1400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 4Ohm 450mA 700mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Advanced Power Electronics Corp.
AP4410GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 25V; 22mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
AP4410GM RoHS || AP4410GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4410GM RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
440 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,5600 0,8640 0,6820 0,6190 0,5990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 25V 22mOhm 10A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Advanced Power Electronics Corp.
AP4435GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 40A; 44,6W; -55°C ~ 150°C;
AP4435GH-HF RoHS || AP4435GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4435GH-HF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7800 1,1700 0,8370 0,7320 0,6860
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 36mOhm 40A 44,6W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
AP4435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 40A; 44,6W; -55°C ~ 150°C;
AP4435GJ-HF RoHS || AP4435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO251 (IPACK)
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4435GJ-HF RoHS
Obudowa dokładna:
TO251 (IPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
36 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,8300 1,7800 1,4700 1,3100 1,2300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 36mOhm 40A 44,6W THT -55°C ~ 150°C TO251 (IPACK) Advanced Power Electronics Corp.
AP4435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
AP4435GM RoHS || AP4435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SO 8
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4435GM RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7400 1,1400 0,8170 0,7150 0,6700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 32mOhm 9A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SO 8 Advanced Power Electronics Corp.
 
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4435GM RoHS
Obudowa dokładna:
SO 8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7800 0,9800 0,7700 0,7130 0,6840
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 32mOhm 9A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SO 8 Advanced Power Electronics Corp.
AP4501AGEM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 28mOhm/150mOhm; 8A/4,6A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP4501AGEM-HF  RoHS || AP4501AGEM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4501AGEM-HF RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,0500 1,1400 0,8960 0,8450 0,8180
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 30V 20V 150mOhm 8A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Advanced Power Electronics Corp.
AP4501AGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/90mOhm; 7A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP4501AGM RoHS || AP4501AGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4501AGM RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
125 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7300 1,1300 0,8130 0,7110 0,6660
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 30V 20V 90mOhm 7A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Advanced Power Electronics Corp.
AP4501GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/90mOhm; 7A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP4501GM RoHS || AP4501GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4501GM RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9000 1,1500 0,8840 0,7980 0,7590
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 30V 20V 90mOhm 7A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Advanced Power Electronics Corp.
AP4503BGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm/45mOhm; 8,2A/6,6A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP4503BGM RoHS || AP4503BGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4503BGM RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
175 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7100 1,1200 0,8020 0,7010 0,6570
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 30V 20V 45mOhm 8,2A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Advanced Power Electronics Corp.
AP4503GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/55mOhm; 6,9A/6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP4503GM RoHS || AP4503GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4503GM RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,5000 1,3900 1,0900 1,0300 0,9980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 30V 20V 55mOhm 6,9A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Advanced Power Electronics Corp.
AP4578GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 90mOhm/150mOhm; 9A/6A; 8,9W; -55°C ~ 150°C;
AP4578GH RoHS || AP4578GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4578GH RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4900 1,5100 1,1600 1,0500 0,9970
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 60V 25V 150mOhm 9A 8,9W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
AP4800DGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 30mOhm; 9A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP4800DGM-HF RoHS || AP4800DGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4800DGM-HF RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,5300 1,0000 0,7170 0,6270 0,5880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 30mOhm 9A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Advanced Power Electronics Corp.
AP60T10GS-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 67A; 167W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP60T10GS-HF-3TR;
AP60T10GS-HF-3TR RoHS || AP60T10GS-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO263 (D2PAK)
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP60T10GS-HF-3TR RoHS
Obudowa dokładna:
TO263t/r (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
435 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,8300 3,2100 2,6600 2,4000 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 18mOhm 67A 167W SMD -55°C ~ 150°C TO263 (D2PAK) Advanced Power Electronics Corp.
AP6679GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 75A; 89W; -55°C ~ 150°C;
AP6679GH-HF-3 RoHS || AP6679GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP6679GH-HF-3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,6300 2,2800 1,8900 1,6900 1,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 15mOhm 75A 89W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
AP72T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 62A; 60W; -55°C ~ 175°C;
AP72T03GH-HF-3 RoHS || AP72T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP72T03GH-HF-3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
90 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3000 1,2800 1,0100 0,9480 0,9180
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 15mOhm 62A 60W SMD -55°C ~ 175°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
AP80N03GP APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12mOhm; 80A; 83,3W; -55°C ~ 150°C;
AP80N03GP RoHS || AP80N03GP APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO220
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP80N03GP RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,6500 1,6600 1,3000 1,2300 1,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 12mOhm 80A 83,3W THT -55°C ~ 150°C TO220 Advanced Power Electronics Corp.
AP85T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 10mOhm; 75A; 107W; -55°C ~ 175°C;
AP85T03GH-HF-3 RoHS || AP85T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP85T03GH-HF-3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
72 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,7600 1,7300 1,4400 1,2800 1,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 10mOhm 75A 107W SMD -55°C ~ 175°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
1    6  7  8  9  10  11  12  13  14    181

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.