Tranzystory polowe (wyszukane: 5412)

1    9  10  11  12  13  14  15  16  17    181
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
BSH105 Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 8V; 375mOhm; 1,05A; 417mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH105,215; BSH105,235;
Symbol Micros: TBSH105 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSH105,215 RoHS || BSH105,215 || BSH105,235 || BSH105 SOT23
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH105,215 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
4144 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,4100 0,7790 0,6130 0,5670 0,5440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 20V 8V 375mOhm 1,05A 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH105,215 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
96000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 20V 20V 8V 375mOhm 1,05A 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH105,235 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
Ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 20V 20V 8V 375mOhm 1,05A 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH105,235 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
Ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 20V 20V 8V 375mOhm 1,05A 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
BSH108 Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 30V; 20V; 240mOhm; 1,9A; 830mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH108,215;
Symbol Micros: TBSH108 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSH108 RoHS || BSH108,215 || BSH108 SOT23
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH108 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
360 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2180+
cena netto (PLN) 0,9100 0,5020 0,3330 0,2770 0,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2180
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 30V 20V 240mOhm 1,9A 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH108 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
1500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9100 0,5040 0,3340 0,2790 0,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 30V 20V 240mOhm 1,9A 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH108,215 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3292
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 30V 30V 20V 240mOhm 1,9A 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH108,215 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3135
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 30V 30V 20V 240mOhm 1,9A 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
BSH111 Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 10V; 8Ohm; 335mA; 830mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH111BKR; BSH111,235;
Symbol Micros: TBSH111 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSH111 RoHS || BSH111BKR || BSH111 SOT23
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH111 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,4100 1,4500 1,1100 0,9970 0,9630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 55V 55V 10V 8Ohm 335mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH111BKR Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
81000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 55V 55V 10V 8Ohm 335mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH111BKR Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
222000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 55V 55V 10V 8Ohm 335mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH111BKR Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 55V 55V 10V 8Ohm 335mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
BSH114 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 1,15Ohm; 850mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH114,235; BSH114,215; BSH114-VB;
Symbol Micros: TBSH114 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSH114,215 RoHS || BSH114 SOT23-3
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH114,215 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
63 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 4,6200 3,0500 2,5100 2,2500 2,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20/200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 100V 20V 1,15Ohm 850mA 830mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
BSH201 Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 4,25Ohm; 300mA; 417mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH201,215; BSH205.215;
Symbol Micros: TBSH201 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSH201,215 RoHS || BSH201,215 || BSH201 SOT23-3
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH201,215 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2520 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1600 0,6130 0,4750 0,4380 0,4200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 60V 20V 4,25Ohm 300mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH201,215 Obudowa dokładna:
SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 60V 20V 4,25Ohm 300mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH201,215 Obudowa dokładna:
SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
18000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 60V 20V 4,25Ohm 300mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH201,215 Obudowa dokładna:
SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
273000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 60V 20V 4,25Ohm 300mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
BSH202 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 30V; 20V; 1,35Ohm; 520mA; 417mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH202,215;
Symbol Micros: TBSH202 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSH202 RoHS || BSH202 SOT23
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH202 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 1,2200 0,7810 0,5500 0,4670 0,4440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 30V 20V 1,35Ohm 520mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
BSH203 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 30V; 8V; 1,65Ohm; 470mA; 417mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH203,215;
Symbol Micros: TBSH203 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSH203,215 RoHS WJ. || BSH203,215 || BSH203 SOT23-3
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH203,215 RoHS WJ. Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
190 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2300 0,6720 0,4410 0,3980 0,3510
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 30V 8V 1,65Ohm 470mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH203,215 Obudowa dokładna:
SOT23-3  
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3510
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 30V 30V 8V 1,65Ohm 470mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
BSH205 Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 12V; 8V; 750mOhm; 750mA; 417mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH205G2R; BSH205,215; BSH205G2VL; BSH205215;
Symbol Micros: TBSH205 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSH205G2 RoHS || BSH205G2R || BSH205 SOT23
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSH205G2 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
5265 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,1100 0,6140 0,4080 0,3400 0,3170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/6000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 12V 12V 8V 750mOhm 750mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH205G2R Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 12V 12V 8V 750mOhm 750mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH205G2R Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
357000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 12V 12V 8V 750mOhm 750mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSH205G2R Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3170
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 12V 12V 8V 750mOhm 750mA 417mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
BSL207SPH6327 Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 65mOhm; 6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSL207SPH6327XTSA1;
Symbol Micros: TBSL207sph info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSL207SPH6327 Pbf sPA || BSL207SPH6327XTSA1 || BSL207SPH6327 TSOP06
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL207SPH6327 Pbf sPA Obudowa dokładna:
TSOP06 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
465 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,3500 0,7470 0,5900 0,5350 0,5180
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 65mOhm 6A 2W SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 NXP
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL207SPH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
TSOP06  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6866
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 20V 12V 65mOhm 6A 2W SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 NXP
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL207SPH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
TSOP06  
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7150
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 20V 12V 65mOhm 6A 2W SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 NXP
BSL211SPH6327 Infineon Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSL211SPH6327XTSA1;
Symbol Micros: TBSL211sp info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSL211SPH6327 RoHS || BSL211SPH6327XTSA1 || BSL211SPH6327 Infineon TSOP06
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL211SPH6327 RoHS Obudowa dokładna:
TSOP06 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7300 1,1300 0,8100 0,7080 0,6640
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 110mOhm 4,7A 2W SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL211SPH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
TSOP06  
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6640
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 20V 12V 110mOhm 4,7A 2W SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
BSL215CH6327XTSA1 Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm/280mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSL215CH6327XTSA1; BSL215C H6327; SP001101000; BSL215CH6327;
Symbol Micros: TBSL215c info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSL215CH6327 RoHS || BSL215CH6327XTSA1 RoHS || BSL215CH6327XTSA1 || BSL215CH6327XTSA1 TSOP06
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL215CH6327 RoHS Obudowa dokładna:
TSOP06 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
16 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9500 1,1800 0,9060 0,8180 0,7780
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 20V 12V 280mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL215CH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TSOP06 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4260 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9500 1,1800 0,9060 0,8180 0,7780
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 20V 12V 280mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL215CH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
TSOP06  
Magazyn zewnetrzny:
102000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7780
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N/P-MOSFET 20V 12V 280mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL215CH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
TSOP06  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7780
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N/P-MOSFET 20V 12V 280mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
BSL307SPH6327 Infineon Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 74mOhm; 5,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSL307SPH6327XTSA1;
Symbol Micros: TBSL307sp info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSL307SPH6327XTSA1 RoHS || BSL307SPH6327XTSA1 || BSL307SPH6327 Infineon TSOP06
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL307SPH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
TSOP06 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1650 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,9900 1,8900 1,4900 1,3600 1,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 74mOhm 5,5A 2W SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL307SPH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
TSOP06  
Magazyn zewnetrzny:
63000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 30V 20V 74mOhm 5,5A 2W SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSL307SPH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
TSOP06  
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 30V 20V 74mOhm 5,5A 2W SMD -55°C ~ 150°C TSOP06 Infineon Technologies
BSN20 NXP Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 28Ohm; 173mA; 830mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSN20,215; BSN20,235;
Symbol Micros: TBSN20 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSN20 RoHS || BSN20 NXP SOT23
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSN20 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r  
Stan magazynowy:
2900 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9410 0,4770 0,2890 0,2290 0,2090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 50V 50V 20V 28Ohm 173mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
BSN20-7 Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 2Ohm; 500mA; 600mW; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSN20-7 Diodes info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSN20-7 RoHS || BSN20-7 || BSN20-7 SOT23
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta:
BSN20-7 RoHS Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2255 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8100 0,4110 0,2490 0,1970 0,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 50V 20V 2Ohm 500mA 600mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta:
BSN20-7 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
303000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1853
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 50V 20V 2Ohm 500mA 600mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta:
BSN20-7 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
54000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1876
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 50V 20V 2Ohm 500mA 600mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta:
BSN20-7 Obudowa dokładna:
SOT23  
Magazyn zewnetrzny:
75000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 50V 20V 2Ohm 500mA 600mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
BSO080P03S Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 8mOhm; 14,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
Symbol Micros: TBSO080p03s info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSO080P03S RoHS || BSO080P03S SOP08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSO080P03S RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,9100 4,1400 3,5200 3,2200 3,1100
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
1020
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 25V 8mOhm 14,9A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSO080P03S RoHS Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
410 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,4300 3,8100 3,2300 2,9600 2,8600
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 25V 8mOhm 14,9A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Infineon Technologies
BSO220N03MDG INFINEON Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 27mOhm; 7,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSO220N03MDGXUMA1;
Symbol Micros: TBSO220n03mdg info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSO220N03MDG RoHS || BSO220N03MDG INFINEON SOIC08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSO220N03MDG RoHS Obudowa dokładna:
SOIC08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
90 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4900 1,3800 1,0900 1,0300 0,9950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 30V 20V 27mOhm 7,7A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOIC08 Infineon Technologies
BSO613SPV G Infineon Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 130mOhm; 3,44A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSO613SPVGHUMA1; BSO613SPVGXUMA1;
Symbol Micros: TBSO613spv info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BS0613SPV G RoHS || BSO613SPV G Infineon SOIC08
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BS0613SPV G RoHS Obudowa dokładna:
SOIC08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,6300 2,2800 1,8900 1,6900 1,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 130mOhm 3,44A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOIC08 Infineon Technologies
BSP125 Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 60Ohm; 120mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP125H6327XTSA1; BSP125H6433XTMA1; BSP125H6327; BSP125L6327HTSA1; BSP125H6327XTSA1S;
Symbol Micros: TBSP125 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSP125-L6327 RoHS || BSP125H6433XTMA1 || BSP125 SOT223
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP125-L6327 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,5000 1,3900 1,0900 1,0300 0,9980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 600V 20V 60Ohm 120mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP125H6433XTMA1 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
Ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 600V 20V 60Ohm 120mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
BSP129H6327XTSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 20Ohm; 350mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP129H6327; BSP129H6327XTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129H6906XTSA1; BSP129L6906HTSA1; BSP129H6327XTSA1/SN; BSP129;
Symbol Micros: TBSP129 info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
BSP129H6327XTSA1 RoHS || BSP129H6327XTSA1 || BSP129H6327XTSA1 SOT223-3
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP129H6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223-4 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 3,8200 2,5400 2,1000 1,9000 1,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 240V 20V 20Ohm 350mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-3 Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP129H6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1775 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 3,8200 2,5400 2,1000 1,9000 1,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 240V 20V 20Ohm 350mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-3 Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP129H6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223-3  
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 240V 20V 20Ohm 350mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-3 Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP129H6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223-3  
Magazyn zewnetrzny:
2400 szt.
Ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 240V 20V 20Ohm 350mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-3 Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP129H6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223-3  
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 240V 20V 20Ohm 350mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-3 Infineon (IRF)
BSP135 Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 60Ohm; 120mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP135H6327; BSP135H6327XTSA1; BSP135H6906XTSA1; BSP135H6433XTMA1; BSP135H6327/SN;
Symbol Micros: TBSP135 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSP135H6327XTSA1 RoHS || BSP135H6327XTSA1 || BSP135 SOT223
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP135H6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,5600 5,0000 4,1400 3,6300 3,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 600V 20V 60Ohm 120mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP135H6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
81000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 600V 20V 60Ohm 120mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP135H6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
126000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 600V 20V 60Ohm 120mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP135H6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
2800 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,4500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 600V 20V 60Ohm 120mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
BSP149 Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3,5Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP149H6327XTSA1; BSP149H6327; BSP149 L6327;
Symbol Micros: TBSP149 info
karta katalogowa
Dodaj do ulubionych
BSP149H6327XTSA1 RoHS || BSP149H6327XTSA1 || BSP149 SOT223-3
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP149H6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223-3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 4,0000 2,5100 2,0900 1,8600 1,7400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 200V 20V 3,5Ohm 660mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-3 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP149H6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 4,0000 2,5100 2,0900 1,8600 1,7400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 200V 20V 3,5Ohm 660mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-3 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP149H6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223-3  
Magazyn zewnetrzny:
245000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,7400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 200V 20V 3,5Ohm 660mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-3 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP149H6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223-3  
Magazyn zewnetrzny:
27000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,7400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 200V 20V 3,5Ohm 660mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-3 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP149H6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223-3  
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,7400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 200V 20V 3,5Ohm 660mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-3 Infineon Technologies
BSP170P Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 300mOhm; 1,9A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP170PH6327XTSA1; BSP170P H6327;
Symbol Micros: TBSP170p info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSP170PH6327XTSA1 || BSP170PH6327 RoHS || BSP170P SOT223
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP170PH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
155000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,9A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP170PH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
105000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,9A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP170PH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
5625 szt.
Ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,9A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP170PH6327 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,6500 1,6600 1,3800 1,2300 1,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 300mOhm 1,9A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
BSP171P Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,9A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP171PH6327XTSA1; BSP171P H6327
Symbol Micros: TBSP171 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSP171P H6327 RoHS || BSP171PH6327XTSA1 || BSP171P SOT223
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP171P H6327 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1530 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,7800 1,7600 1,3900 1,2700 1,2100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 450mOhm 1,9A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP171PH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
103000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 20V 450mOhm 1,9A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP171PH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
55000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 20V 450mOhm 1,9A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP171PH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
31025 szt.
Ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 20V 450mOhm 1,9A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
BSP250 Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 3A; 5W; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP250,115; BSP250,135;
Symbol Micros: TBSP250 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSP250,115 RoHS || BSP250,115 || BSP250,135 || BSP250 SOT223
Producent:
NXP Symbol Producenta:
BSP250,115 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r  
Stan magazynowy:
485 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,2700 2,0700 1,6300 1,4900 1,4200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 400mOhm 3A 5W SMD -65°C ~ 150°C SOT223 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSP250,115 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
63000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 30V 20V 400mOhm 3A 5W SMD -65°C ~ 150°C SOT223 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSP250,135 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt.
Ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 30V 20V 400mOhm 3A 5W SMD -65°C ~ 150°C SOT223 NXP
 
Producent:
Nexperia Symbol Producenta:
BSP250,115 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
144000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 30V 20V 400mOhm 3A 5W SMD -65°C ~ 150°C SOT223 NXP
BSP296NH6327XTSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 800mOhm; 1,2A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP296NH6433XTMA1;
Symbol Micros: TBSP296N info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSP296NH6327XTSA1 RoHS || BSP296NH6327XTSA1 || BSP296NH6327XTSA1 SOT223-4
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP296NH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223-4 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1136 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,9400 1,8700 1,4700 1,3400 1,2800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 800mOhm 1,2A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-4 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP296NH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223-4  
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 100V 20V 800mOhm 1,2A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-4 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP296NH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223-4  
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 100V 20V 800mOhm 1,2A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-4 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP296NH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223-4  
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 100V 20V 800mOhm 1,2A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-4 Infineon Technologies
BSP297 Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 3Ohm; 660mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP297H6327XTSA1; BSP297H6327XTSA1/SN;
Symbol Micros: TBSP297 info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSP297 RoHS || BSP297H6327XTSA1 || BSP297 SOT223
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP297 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,9000 1,8200 1,5100 1,3500 1,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 200V 20V 3Ohm 660mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP297H6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 200V 20V 3Ohm 660mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP297H6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
6981 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 200V 20V 3Ohm 660mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP297H6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223  
Magazyn zewnetrzny:
10575 szt.
Ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,2600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		N-MOSFET 200V 20V 3Ohm 660mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
BSP299H Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 4Ohm; 400mA; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP299H6327XUSA1; BSP299L6327HUSA1; BSP299 H6327; BSP299H6327XUSA1/SN;
Symbol Micros: TBSP299h info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSP299 H6327 RoHS || BSP299H SOT223-4
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP299 H6327 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223-4 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 6,1800 4,3200 3,6700 3,3600 3,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 500V 20V 4Ohm 400mA 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223-4 Infineon Technologies
BSP315P Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 1,4Ohm; 1,17A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSP315P; BSP315PH6327XTSA1; BSP315P H6327; BSP315PH6327;
Symbol Micros: TBSP315p info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
BSP315PH6327XTSA1 RoHS || BSP315PH6327XTSA1 || BSP315P SOT223t/r
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP315PH6327XTSA1 RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,6300 2,3000 1,8200 1,6500 1,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 1,4Ohm 1,17A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223t/r Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP315PH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223t/r  
Magazyn zewnetrzny:
130000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 20V 1,4Ohm 1,17A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223t/r Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP315PH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223t/r  
Magazyn zewnetrzny:
10250 szt.
Ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 20V 1,4Ohm 1,17A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223t/r Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon Symbol Producenta:
BSP315PH6327XTSA1 Obudowa dokładna:
SOT223t/r  
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro. 		P-MOSFET 60V 20V 1,4Ohm 1,17A 1,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223t/r Infineon (IRF)
BSP315P JGSEMI Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 230mOhm; 2A; 2W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: BSP315P-E6327; BSP315PH6327XTSA1;
Symbol Micros: TBSP315p JGS info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych Odpowiedniki
BSP315P RoHS || BSP315P JGSEMI SOT223
Producent:
JGSEMI Symbol Producenta:
BSP315P RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 1,5300 1,0100 0,7240 0,6200 0,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 230mOhm 2A 2W SMD -55°C ~ 125°C SOT223 JGSEMI
BSP315P SOT223 TEC Tranzystor P-Channel MOSFET; -60V; +/-20V; 130mOhm; -3A; 2W; -55°C~150°C; Podobny do: BSP315P; BSP315P-VB; BSP315PH6327; BSP315PH6327XTSA1;
Symbol Micros: TBSP315p TEC info
karta katalogowa
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
BSP315P RoHS || BSP315P SOT223 TEC SOT223
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta:
BSP315P RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2000 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3000 1,4600 1,1500 1,0500 1,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET -60V 20V 130mOhm -3A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 TECH PUBLIC
 
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta:
BSP315P RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
7 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3000 1,4600 1,1500 1,0500 1,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
7
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET -60V 20V 130mOhm -3A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 TECH PUBLIC
 
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta:
BSP315P RoHS Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
493 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3000 1,4600 1,1500 1,0500 1,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
493
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET -60V 20V 130mOhm -3A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 TECH PUBLIC
1    9  10  11  12  13  14  15  16  17    181

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.