Tranzystory polowe (wyszukane: 5463)

1    13  14  15  16  17  18  19  20  21    183
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
AP4410GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 25V; 22mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
AP4410GM RoHS || AP4410GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4410GM RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
440 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,5600 0,8640 0,6820 0,6190 0,5990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 25V 22mOhm 10A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Advanced Power Electronics Corp.
AP4435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 40A; 44,6W; -55°C ~ 150°C;
AP4435GJ-HF RoHS || AP4435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO251 (IPACK)
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4435GJ-HF RoHS
Obudowa dokładna:
TO251 (IPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
36 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,8300 1,7800 1,4700 1,3100 1,2300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 36mOhm 40A 44,6W THT -55°C ~ 150°C TO251 (IPACK) Advanced Power Electronics Corp.
AP4435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
AP4435GM RoHS || AP4435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SO 8
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4435GM RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7400 1,1400 0,8170 0,7150 0,6700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 32mOhm 9A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SO 8 Advanced Power Electronics Corp.
 
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4435GM RoHS
Obudowa dokładna:
SO 8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7800 0,9800 0,7700 0,7130 0,6840
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 32mOhm 9A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SO 8 Advanced Power Electronics Corp.
AP4501AGEM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 28mOhm/150mOhm; 8A/4,6A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP4501AGEM-HF  RoHS || AP4501AGEM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4501AGEM-HF RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,0500 1,1400 0,8960 0,8450 0,8180
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 30V 20V 150mOhm 8A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Advanced Power Electronics Corp.
AP4501AGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/90mOhm; 7A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP4501AGM RoHS || AP4501AGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4501AGM RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
125 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7300 1,1300 0,8130 0,7110 0,6660
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 30V 20V 90mOhm 7A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Advanced Power Electronics Corp.
AP4501GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/90mOhm; 7A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP4501GM RoHS || AP4501GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4501GM RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9000 1,1500 0,8840 0,7980 0,7590
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 30V 20V 90mOhm 7A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Advanced Power Electronics Corp.
AP4503BGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm/45mOhm; 8,2A/6,6A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP4503BGM RoHS || AP4503BGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4503BGM RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
175 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7100 1,1200 0,8020 0,7010 0,6570
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 30V 20V 45mOhm 8,2A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Advanced Power Electronics Corp.
AP4503GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/55mOhm; 6,9A/6,3A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP4503GM RoHS || AP4503GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4503GM RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,5000 1,3900 1,0900 1,0300 0,9980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 30V 20V 55mOhm 6,9A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Advanced Power Electronics Corp.
AP4578GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 90mOhm/150mOhm; 9A/6A; 8,9W; -55°C ~ 150°C;
AP4578GH RoHS || AP4578GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4578GH RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4900 1,5100 1,1600 1,0500 0,9970
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 60V 25V 150mOhm 9A 8,9W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
AP4800DGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 30mOhm; 9A; 2W; -55°C ~ 150°C;
AP4800DGM-HF RoHS || AP4800DGM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP4800DGM-HF RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,5300 1,0000 0,7170 0,6270 0,5880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 30mOhm 9A 2W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Advanced Power Electronics Corp.
AP60T10GS-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 67A; 167W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP60T10GS-HF-3TR;
AP60T10GS-HF-3TR RoHS || AP60T10GS-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO263 (D2PAK)
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP60T10GS-HF-3TR RoHS
Obudowa dokładna:
TO263t/r (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
435 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,8300 3,2100 2,6600 2,4000 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 18mOhm 67A 167W SMD -55°C ~ 150°C TO263 (D2PAK) Advanced Power Electronics Corp.
AP6679GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 75A; 89W; -55°C ~ 150°C;
AP6679GH-HF-3 RoHS || AP6679GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP6679GH-HF-3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,6300 2,2800 1,8900 1,6900 1,5800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 15mOhm 75A 89W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
AP72T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 62A; 60W; -55°C ~ 175°C;
AP72T03GH-HF-3 RoHS || AP72T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP72T03GH-HF-3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
90 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3000 1,2800 1,0100 0,9480 0,9180
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 15mOhm 62A 60W SMD -55°C ~ 175°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
AP80N03GP APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12mOhm; 80A; 83,3W; -55°C ~ 150°C;
AP80N03GP RoHS || AP80N03GP APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO220
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP80N03GP RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,6500 1,6600 1,3000 1,2300 1,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 12mOhm 80A 83,3W THT -55°C ~ 150°C TO220 Advanced Power Electronics Corp.
AP85T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 10mOhm; 75A; 107W; -55°C ~ 175°C;
AP85T03GH-HF-3 RoHS || AP85T03GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP85T03GH-HF-3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
72 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,7600 1,7300 1,4400 1,2800 1,2000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 10mOhm 75A 107W SMD -55°C ~ 175°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
AP9435GG Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; AP9435GG-VB;
AP9435GG-HF RoHS || AP9435GG SOT-89
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9435GG-HF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT-89
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 40+ 150+ 600+
cena netto (PLN) 1,8700 1,2200 0,8990 0,7740 0,7200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 90mOhm 4,2A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 Advanced Power Electronics Corp.
AP9435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 20A; 12,5W; -55°C ~ 150°C;
AP9435GJ ROHS || AP9435GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO251 (IPACK)
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9435GJ ROHS
Obudowa dokładna:
TO251 (IPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
180 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9000 1,1500 0,8840 0,7980 0,7590
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 90mOhm 20A 12,5W THT -55°C ~ 150°C TO251 (IPACK) Advanced Power Electronics Corp.
AP9435GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 100mOhm; 6A; 2,7W; -55°C ~ 150°C;
AP9435GK RoHS || AP9435GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT223
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9435GK RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
70 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,6900 1,6900 1,4000 1,2500 1,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 100mOhm 6A 2,7W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Advanced Power Electronics Corp.
AP9435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 90mOhm; 5,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP9435GM-HF-3TR;
AP9435GM-HF RoHS || AP9435GM-HF APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9435GM-HF RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0700 0,5690 0,4410 0,4070 0,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 90mOhm 5,3A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Advanced Power Electronics Corp.
AP9474GM-HF-3TR APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 13mOhm; 12,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
AP9474GM-HF RoHS || AP9474GM-HF-3TR APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SO-8
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9474GM-HF RoHS
Obudowa dokładna:
SO-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
180 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,4100 1,4600 1,1200 1,0100 0,9630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 13mOhm 12,8A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SO-8 Advanced Power Electronics Corp.
AP9563GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 25V; 60mOhm; 26A; 39W; -55°C ~ 150°C;
AP9563GH RoHS || AP9563GH APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9563GH RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
90 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,7100 1,1200 0,8040 0,7030 0,6590
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 40V 25V 60mOhm 26A 39W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
AP9563GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 25V; 60mOhm; 26A; 39W; -55°C ~ 150°C;
AP9563GJ RoHS || AP9563GJ APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO251 (IPACK)
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9563GJ RoHS
Obudowa dokładna:
TO251 (IPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
120 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 80+ 160+ 800+
cena netto (PLN) 1,9000 1,1500 0,8420 0,8030 0,7580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
80/160
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 40V 25V 60mOhm 26A 39W THT -55°C ~ 150°C TO251 (IPACK) Advanced Power Electronics Corp.
AP9563GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 60mOhm; 6,8A; 2,8W; -55°C ~ 150°C;
AP9563GK RoHS || AP9563GK APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT223
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9563GK RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,9500 1,0800 0,8530 0,8050 0,7790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 40V 20V 60mOhm 6,8A 2,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Advanced Power Electronics Corp.
AP9563GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 25V; 60mOhm; 6A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
AP9563GM RoHS || AP9563GM APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9563GM RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,0100 1,2100 0,9340 0,8430 0,8020
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 40V 25V 60mOhm 6A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 Advanced Power Electronics Corp.
AP9567GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 70mOhm; 22A; 34,7W; -55°C ~ 150°C;
AP9567GH RoHS || AP9567GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9567GH RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
380 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,9100 1,0600 0,8340 0,7570 0,7330
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 40V 20V 70mOhm 22A 34,7W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
AP9926GEO APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 4,6A; 1W; -55°C ~ 150°C;
AP9926GEO RoHS || AP9926GEO APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TSSOP08
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9926GEO RoHS
Obudowa dokładna:
TSSOP08 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
180 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,4200 0,9280 0,6650 0,5810 0,5450
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 20V 12V 40mOhm 4,6A 1W SMD -55°C ~ 150°C TSSOP08 Advanced Power Electronics Corp.
AP9962GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 30mOhm; 32A; 27,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AP9962GH-HF-3TR;
AP9962GH RoHS || AP9962GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9962GH RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 3,9100 2,4600 1,9300 1,7600 1,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 30mOhm 32A 27,8W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
AP9971GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 25A; 39W; -55°C ~ 150°C;
AP9971GH-HF-3 RoHS || AP9971GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9971GH-HF-3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
 
Stan magazynowy:
240 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 1,9000 1,1400 0,8740 0,7870 0,7600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 50mOhm 25A 39W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
AP9977GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 125mOhm; 11A; 21W; -55°C ~ 150°C;
AP9977GH-HF-3 RoHS || AP9977GH-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP TO252
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9977GH-HF-3 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
240 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,0200 1,2100 0,9270 0,8350 0,8060
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 25V 125mOhm 11A 21W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Advanced Power Electronics Corp.
AP9997GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 3,2A; 2,8W; -55°C ~ 150°C;
AP9997GK-HF-3 RoHS || AP9997GK-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP SOT223
Producent:
Advanced Power Electronics Corp.
Symbol Producenta:
AP9997GK-HF-3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
285 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,6200 1,6500 1,3000 1,1800 1,1400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 200mOhm 3,2A 2,8W SMD -55°C ~ 150°C SOT223 Advanced Power Electronics Corp.
1    13  14  15  16  17  18  19  20  21    183

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.