Tranzystory polowe (wyszukane: 5412)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSS84DW-7-F Diodes
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3380 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | DIODES | ||||||||||||
Stan magazynowy:
2600 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2600 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | DIODES | ||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84DW-7-F Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
282000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | DIODES | ||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84DW-7-F Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | DIODES | ||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84DW-7-F Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | DIODES | ||||||||||||
LBSS84DW1T1G SC-88 LRC
Tranzystor 2xP-MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 380mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84DW-7-F;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 380mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 | LRC | |||||||||||||
BSS84PH6327XTSA2
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12Ohm; 170mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84P-E6327; BSS84P-H6327(Halogen free); BSS84P-L6327(Pb-free); BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH7894XTMA1; BSS84PH6433; BSS84P;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40601 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Stan magazynowy:
6000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
7547000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
758400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PH6327XTSA2 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
209200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 170mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSS84P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84E (60V); BSS84 (50V); Zamiennik za BSS84PH6327XTSA2;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1684 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2784 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 50V | 10V | 20V | 10mOhm | 130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | AnBon | ||||||||||||
Stan magazynowy:
216 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 216 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 50V | 10V | 20V | 10mOhm | 130mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | AnBon | ||||||||||||
BSS84PWH Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12Ohm; 150mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84PWH6327XTSA1; BSS84PWH6327; SP000917564;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15730 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 150mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 150mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PWH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
4995000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 150mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PWH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
150000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 150mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS84PWH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
13900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 12Ohm | 150mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSS84W-7-F
Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | ||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84W-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
1143000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | ||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84W-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | ||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BSS84W-7-F Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 10Ohm | 130mA | 200mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Infineon Technologies | ||||||||||||
BSS84W
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84W-F2-0000HF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2165 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 9,9Ohm | 170mA | 150mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. | |||||||||||||
BSS87
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 7Ohm; 700mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS87,115;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
17 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 770 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 7Ohm | 700mA | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | NXP | |||||||||||||
BSS87H6327 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 7,5Ohm; 260mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS87H6327FTSA1; BSS87H6327XTSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
237 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 240V | 20V | 7,5Ohm | 260mA | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSS87H6327FTSA1 Obudowa dokładna: SOT89 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 240V | 20V | 7,5Ohm | 260mA | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT89 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BST82
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 23Ohm; 190mA; 830mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BST82.215; BST82,235;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BST82,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 23Ohm | 190mA | 830mW | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BST82,215 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 23Ohm | 190mA | 830mW | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BST82 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
308 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 23Ohm | 190mA | 830mW | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BST82,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 23Ohm | 190mA | 830mW | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BST82,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 23Ohm | 190mA | 830mW | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BST82,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
861000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 23Ohm | 190mA | 830mW | SMD | -65°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | ||||||||||||
BUK6D120-60PX
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; +/-20V; 120mOhm; 8A; 15W; -55°C~175°C; Odpowiednik: BUK6D120-60PX; BUK6D120-60PZ;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
290 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 120mOhm | 8A | 15W | SMD | -55°C ~ 175°C | DFN06 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK6D120-60PX Obudowa dokładna: DFN06 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 120mOhm | 8A | 15W | SMD | -55°C ~ 175°C | DFN06 | NXP | |||||||||||||
BUK7K15-80EX
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 80V; 80V; 20V; 38mOhm; 23A; 68W; -55°C ~ 175°C; BUK7K15-80EX
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
11 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 21 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 80V | 80V | 20V | 38mOhm | 23A | 68W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK7K15-80EX Obudowa dokładna: LFPAK |
Magazyn zewnetrzny:
10500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 80V | 80V | 20V | 38mOhm | 23A | 68W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK | NXP | ||||||||||||
BUK7M12-60EX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 27mOhm; 53A; 75W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 27mOhm | 53A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK7M12-60EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
121500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 27mOhm | 53A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK7M12-60EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 27mOhm | 53A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
BUK7M15-60EX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 34mOhm; 43A; 62W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 34mOhm | 43A | 62W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK7M15-60EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 34mOhm | 43A | 62W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
BUK7M27-80EX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 80V; 20V; 68mOhm; 30A; 62W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 80V | 80V | 20V | 68mOhm | 30A | 62W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK7M27-80EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 80V | 80V | 20V | 68mOhm | 30A | 62W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK7M27-80EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 80V | 80V | 20V | 68mOhm | 30A | 62W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
BUK7M33-60EX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 74mOhm; 24A; 44W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 74mOhm | 24A | 44W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK7M33-60EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 74mOhm | 24A | 44W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
BUK7M3R3-40H
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 7,2mOhm; 80A; 101W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BUK7M3R3-40HX;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 7,2mOhm | 80A | 101W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK7M3R3-40HX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
4500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 7,2mOhm | 80A | 101W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK7M3R3-40HX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 7,2mOhm | 80A | 101W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | |||||||||||||
BUK7M67-60EX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 150mOhm; 14A; 31W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 150mOhm | 14A | 31W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK7M67-60EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 150mOhm | 14A | 31W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK7M67-60EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 150mOhm | 14A | 31W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK7M67-60EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 150mOhm | 14A | 31W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
BUK7M6R3-40EX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 40V; 20V; 12,5mOhm; 70A; 79W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 40V | 20V | 12,5mOhm | 70A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK7M6R3-40EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 40V | 20V | 12,5mOhm | 70A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
BUK7V4R2-40HX
Tranzystor Dual N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,2mOhm; 98A; 85W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5/10 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 40V | 20V | 4,2mOhm | 98A | 85W | SMD | -55°C ~ 150°C | LFPAK56D | NXP | |||||||||||||
BUK96180-100A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 15V; 450mOhm; 11A; 54W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BUK96180-100A,118;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
87 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 15V | 450mOhm | 11A | 54W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | NXP | ||||||||||||
BUK9M15-60EX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 10V; 34mOhm; 47A; 75W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 10V | 34mOhm | 47A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK9M15-60EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
4500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 10V | 34mOhm | 47A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK9M15-60EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 10V | 34mOhm | 47A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK9M15-60EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 10V | 34mOhm | 47A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
BUK9M19-60EX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 10V; 43mOhm; 38A; 62W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 10V | 43mOhm | 38A | 62W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK9M19-60EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
4500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 10V | 43mOhm | 38A | 62W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
BUK9M23-80EX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 80V; 10V; 58mOhm; 37A; 79W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 80V | 80V | 10V | 58mOhm | 37A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK9M23-80EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 80V | 80V | 10V | 58mOhm | 37A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
BUK9M3R3-40H
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 16V; 9,2mOhm; 80A; 101W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 16V | 9,2mOhm | 80A | 101W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | |||||||||||||
BUK9M52-40EX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 40V; 10V; 101mOhm; 17,6A; 31W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 40V | 10V | 101mOhm | 17,6A | 31W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK9M52-40EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
4500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 40V | 10V | 101mOhm | 17,6A | 31W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
BUK9M5R2-30EX
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 30V; 10V; 9,8mOhm; 70A; 79W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 30V | 10V | 9,8mOhm | 70A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK9M5R2-30EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 30V | 10V | 9,8mOhm | 70A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BUK9M5R2-30EX Obudowa dokładna: LFPAK33 (SOT1210) |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 30V | 10V | 9,8mOhm | 70A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK33 (SOT1210) | NXP | ||||||||||||
BUK9V13-40HX
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 10V; 13mOhm; 42A; 46W; -55°C~175°C; Odpowiednik: BUK9V13-40H; BUK9V13-40HX;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5/10 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 40V | 10V | 13mOhm | 42A | 46W | Surface Mount | -55°C ~ 175°C | LFPAK56D | NXP | |||||||||||||
BUK9Y21-40E NEXPERIA
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 40V; 10V; 42,2mOhm; 33A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BUK9Y21-40E,115;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 40V | 10V | 42,2mOhm | 33A | 45W | SMD | -55°C ~ 175°C | LFPAK | NXP | ||||||||||||
BUZ11-NR4941
Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 40mOhm; 30A; 75W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941; BUZ11;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1558 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 40mOhm | 30A | 75W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BUZ11-NR4941 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
10230 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 50V | 50V | 20V | 40mOhm | 30A | 75W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.