Tranzystory polowe (wyszukane: 5412)

1    13  14  15  16  17  18  19  20  21    181
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
BSS84DW-7-F Diodes Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C;
BSS84DW-7-F Pbf K84.. || BSS84DW-7-F || BSS84DW-7-F Diodes SOT363
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BSS84DW-7-F Pbf K84..
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3380 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0800 0,5720 0,4430 0,4090 0,3920
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
2xP-MOSFET 50V 50V 20V 10Ohm 130mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BSS84DW-7-F Pbf K84..
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2600 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0800 0,5720 0,4430 0,4090 0,3920
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2600
Ilość (wielokrotność 1)
2xP-MOSFET 50V 50V 20V 10Ohm 130mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BSS84DW-7-F
Obudowa dokładna:
SOT363
 
Magazyn zewnetrzny:
282000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3920
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xP-MOSFET 50V 50V 20V 10Ohm 130mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BSS84DW-7-F
Obudowa dokładna:
SOT363
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3920
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xP-MOSFET 50V 50V 20V 10Ohm 130mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BSS84DW-7-F
Obudowa dokładna:
SOT363
 
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3973
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xP-MOSFET 50V 50V 20V 10Ohm 130mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 DIODES
LBSS84DW1T1G SC-88 LRC Tranzystor 2xP-MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 380mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84DW-7-F;
LBSS84DW1T1G RoHS PD. || LBSS84DW1T1G SC-88 LRC SC-88
Producent:
LRC
Symbol Producenta:
LBSS84DW1T1G RoHS PD.
Obudowa dokładna:
SC-88 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7150 0,3400 0,1910 0,1450 0,1300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
2xP-MOSFET 50V 20V 10Ohm 130mA 380mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 LRC
BSS84PH6327XTSA2 Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12Ohm; 170mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84P-E6327; BSS84P-H6327(Halogen free); BSS84P-L6327(Pb-free); BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH7894XTMA1; BSS84PH6433; BSS84P;
BSS84PH6327XTSA2 RoHS || BSS84P H6327 RoHS || BSS84PH6327XTSA2 || BSS84PH6327XTSA2 SOT23
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS84PH6327XTSA2 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40601 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9520 0,4520 0,2540 0,1930 0,1730
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 12Ohm 170mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS84P H6327 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9520 0,4520 0,2540 0,1930 0,1730
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 12Ohm 170mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS84PH6327XTSA2
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
7547000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1730
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 60V 20V 12Ohm 170mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS84PH6327XTSA2
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
758400 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1730
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 60V 20V 12Ohm 170mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS84PH6327XTSA2
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
209200 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1730
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 60V 20V 12Ohm 170mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
BSS84P Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; +/-20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C~150°C; BSS84E (60V); BSS84 (50V); Zamiennik za BSS84PH6327XTSA2;
BSS84 RoHS || BSS84P SOT23
Producent:
AnBon
Symbol Producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1684 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 2784+
cena netto (PLN) 0,4840 0,1900 0,1110 0,0811 0,0744
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2784
Ilość (wielokrotność 10)
P-MOSFET 50V 10V 20V 10mOhm 130mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 AnBon
 
Producent:
AnBon
Symbol Producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
216 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 2784+
cena netto (PLN) 0,4840 0,1900 0,1110 0,0811 0,0744
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
216
Ilość (wielokrotność 10)
P-MOSFET 50V 10V 20V 10mOhm 130mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 AnBon
BSS84PWH Infineon Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12Ohm; 150mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84PWH6327XTSA1; BSS84PWH6327; SP000917564;
BSS84PWH6327XTSA1 RoHS || BSS84PW H6327 RoHS || BSS84PWH6327XTSA1 || BSS84PWH Infineon SOT323
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS84PWH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15730 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7040 0,3340 0,1880 0,1430 0,1280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 12Ohm 150mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS84PW H6327 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7040 0,3340 0,1880 0,1430 0,1280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 12Ohm 150mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS84PWH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT323
 
Magazyn zewnetrzny:
4995000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 60V 20V 12Ohm 150mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS84PWH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT323
 
Magazyn zewnetrzny:
150000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1280
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 60V 20V 12Ohm 150mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS84PWH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT323
 
Magazyn zewnetrzny:
13900 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1629
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 60V 20V 12Ohm 150mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Infineon Technologies
BSS84W-7-F Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
BSS84W-7-F RoHS || BSS84W-7-F || BSS84W-7-F SOT323
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BSS84W-7-F RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8550 0,4340 0,2630 0,2080 0,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 50V 50V 20V 10Ohm 130mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Infineon Technologies
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BSS84W-7-F
Obudowa dokładna:
SOT323
 
Magazyn zewnetrzny:
1143000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 50V 50V 20V 10Ohm 130mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Infineon Technologies
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BSS84W-7-F
Obudowa dokładna:
SOT323
 
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 50V 50V 20V 10Ohm 130mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Infineon Technologies
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BSS84W-7-F
Obudowa dokładna:
SOT323
 
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 50V 50V 20V 10Ohm 130mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Infineon Technologies
BSS84W Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84W-F2-0000HF;
BSS84W-F2-0000HF RoHS || BSS84W SOT323
Producent:
YY
Symbol Producenta:
BSS84W-F2-0000HF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2165 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2880 0,1110 0,0542 0,0431 0,0412
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
P-MOSFET 60V 20V 9,9Ohm 170mA 150mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
BSS87 Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 7Ohm; 700mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS87,115;
BSS87 RoHS || BSS87 SOT89
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BSS87 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT89
karta katalogowa
Stan magazynowy:
17 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 770+
cena netto (PLN) 1,6500 1,0800 0,7710 0,6730 0,6350
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
770
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 200V 20V 7Ohm 700mA 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 NXP
BSS87H6327 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 240V; 20V; 7,5Ohm; 260mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS87H6327FTSA1; BSS87H6327XTSA1;
BSS87H6327FTSA1 RoHS || BSS87H6327FTSA1 || BSS87H6327 Infineon SOT89
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS87H6327FTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT89 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
237 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,1200 1,2800 0,9850 0,8890 0,8460
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 240V 20V 7,5Ohm 260mA 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS87H6327FTSA1
Obudowa dokładna:
SOT89
 
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8460
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 240V 20V 7,5Ohm 260mA 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 Infineon Technologies
BST82 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 23Ohm; 190mA; 830mW; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BST82.215; BST82,235;
BST82,215 RoHS || BST82 RoHS || BST82,215 || BST82 SOT23
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BST82,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0700 0,5660 0,4390 0,4050 0,3880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 100V 20V 23Ohm 190mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BST82,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0700 0,5660 0,4390 0,4050 0,3880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 100V 20V 23Ohm 190mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BST82 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
308 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1400 0,6040 0,4680 0,4320 0,4140
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 100V 20V 23Ohm 190mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BST82,215
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4140
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 100V 100V 20V 23Ohm 190mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BST82,215
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4140
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 100V 100V 20V 23Ohm 190mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BST82,215
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
861000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4140
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 100V 100V 20V 23Ohm 190mA 830mW SMD -65°C ~ 150°C SOT23 NXP
BUK6D120-60PX Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; +/-20V; 120mOhm; 8A; 15W; -55°C~175°C; Odpowiednik: BUK6D120-60PX; BUK6D120-60PZ;
BUK6D120-60PX RoHS || BUK6D120-60PX || BUK6D120-60PX DFN06
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BUK6D120-60PX RoHS
Obudowa dokładna:
DFN06
karta katalogowa
Stan magazynowy:
290 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,5500 0,8620 0,6810 0,6180 0,5980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 120mOhm 8A 15W SMD -55°C ~ 175°C DFN06 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BUK6D120-60PX
Obudowa dokładna:
DFN06
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 60V 20V 120mOhm 8A 15W SMD -55°C ~ 175°C DFN06 NXP
BUK7K15-80EX Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 80V; 80V; 20V; 38mOhm; 23A; 68W; -55°C ~ 175°C; BUK7K15-80EX
BUK7K15-80EX RoHS || BUK7K15-80EX || BUK7K15-80EX LFPAK
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BUK7K15-80EX RoHS
Obudowa dokładna:
LFPAK
karta katalogowa
Stan magazynowy:
11 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 21+ 84+ 252+
cena netto (PLN) 7,6100 6,0300 5,4300 5,1700 5,0700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
21
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 80V 80V 20V 38mOhm 23A 68W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BUK7K15-80EX
Obudowa dokładna:
LFPAK
 
Magazyn zewnetrzny:
10500 szt.
Ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,0700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xN-MOSFET 80V 80V 20V 38mOhm 23A 68W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK NXP
BUK7M12-60EX Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 27mOhm; 53A; 75W; -55°C ~ 175°C;
BUK7M12-60EX RoHS || BUK7M12-60EX || BUK7M12-60EX LFPAK33 (SOT1210)
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BUK7M12-60EX RoHS
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4 szt.
Ilość szt. 1+ 4+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,0000 6,3100 5,4600 5,1100 5,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 27mOhm 53A 75W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BUK7M12-60EX
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Magazyn zewnetrzny:
121500 szt.
Ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 27mOhm 53A 75W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BUK7M12-60EX
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt.
Ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 27mOhm 53A 75W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
BUK7M15-60EX Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 34mOhm; 43A; 62W; -55°C ~ 175°C;
BUK7M15-60EX RoHS || BUK7M15-60EX || BUK7M15-60EX LFPAK33 (SOT1210)
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BUK7M15-60EX RoHS
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4 szt.
Ilość szt. 1+ 4+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 7,6800 5,8800 4,9800 4,6300 4,5200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 34mOhm 43A 62W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BUK7M15-60EX
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt.
Ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,5200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 34mOhm 43A 62W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
BUK7M27-80EX Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 80V; 20V; 68mOhm; 30A; 62W; -55°C ~ 175°C;
BUK7M27-80EX RoHS || BUK7M27-80EX || BUK7M27-80EX LFPAK33 (SOT1210)
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BUK7M27-80EX RoHS
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4 szt.
Ilość szt. 1+ 4+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,0600 6,3600 5,5000 5,1500 5,0400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 80V 80V 20V 68mOhm 30A 62W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BUK7M27-80EX
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt.
Ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,0400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 80V 80V 20V 68mOhm 30A 62W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BUK7M27-80EX
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,0400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 80V 80V 20V 68mOhm 30A 62W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
BUK7M33-60EX Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 74mOhm; 24A; 44W; -55°C ~ 175°C;
BUK7M33-60EX RoHS || BUK7M33-60EX || BUK7M33-60EX LFPAK33 (SOT1210)
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BUK7M33-60EX RoHS
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4 szt.
Ilość szt. 2+ 4+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,1100 2,4600 1,7100 1,4400 1,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 74mOhm 24A 44W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BUK7M33-60EX
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 74mOhm 24A 44W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
BUK7M3R3-40H Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 7,2mOhm; 80A; 101W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BUK7M3R3-40HX;
BUK7M3R3-40HX RoHS || BUK7M3R3-40HX || BUK7M3R3-40H LFPAK33 (SOT1210)
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BUK7M3R3-40HX RoHS
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,0900 3,8900 3,2200 2,8200 2,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 7,2mOhm 80A 101W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BUK7M3R3-40HX
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Magazyn zewnetrzny:
4500 szt.
Ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 40V 20V 7,2mOhm 80A 101W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BUK7M3R3-40HX
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt.
Ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 40V 20V 7,2mOhm 80A 101W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
BUK7M67-60EX Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 150mOhm; 14A; 31W; -55°C ~ 175°C;
BUK7M67-60EX RoHS || BUK7M67-60EX || BUK7M67-60EX LFPAK33 (SOT1210)
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BUK7M67-60EX RoHS
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4 szt.
Ilość szt. 1+ 4+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,6800 4,1300 3,3800 3,0900 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 150mOhm 14A 31W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BUK7M67-60EX
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 150mOhm 14A 31W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BUK7M67-60EX
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt.
Ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 150mOhm 14A 31W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BUK7M67-60EX
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt.
Ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 150mOhm 14A 31W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
BUK7M6R3-40EX Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 40V; 20V; 12,5mOhm; 70A; 79W; -55°C ~ 175°C;
BUK7M6R3-40EX RoHS || BUK7M6R3-40EX || BUK7M6R3-40EX LFPAK33 (SOT1210)
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BUK7M6R3-40EX RoHS
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,9400 3,2800 2,7200 2,4500 2,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 40V 20V 12,5mOhm 70A 79W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BUK7M6R3-40EX
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt.
Ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 40V 40V 20V 12,5mOhm 70A 79W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
BUK7V4R2-40HX Tranzystor Dual N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,2mOhm; 98A; 85W; -55°C~150°C;
BUK7V4R2-40HX RoHS || BUK7V4R2-40HX LFPAK56D
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BUK7V4R2-40HX RoHS
Obudowa dokładna:
LFPAK56D
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 16,6600 13,2300 12,4400 11,6500 11,1800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5/10
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 40V 20V 4,2mOhm 98A 85W SMD -55°C ~ 150°C LFPAK56D NXP
BUK96180-100A Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 15V; 450mOhm; 11A; 54W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BUK96180-100A,118;
BUK96180-100A,118 RoHS || BUK96180-100A D2PAK
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BUK96180-100A,118 RoHS
Obudowa dokładna:
D2PAK t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
87 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,6800 2,3100 1,9200 1,7100 1,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 100V 15V 450mOhm 11A 54W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK NXP
BUK9M15-60EX Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 10V; 34mOhm; 47A; 75W; -55°C ~ 175°C;
BUK9M15-60EX RoHS || BUK9M15-60EX || BUK9M15-60EX LFPAK33 (SOT1210)
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BUK9M15-60EX RoHS
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 8,4800 6,2700 5,4700 5,2000 4,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 10V 34mOhm 47A 75W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BUK9M15-60EX
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Magazyn zewnetrzny:
4500 szt.
Ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 10V 34mOhm 47A 75W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BUK9M15-60EX
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 10V 34mOhm 47A 75W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BUK9M15-60EX
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt.
Ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 10V 34mOhm 47A 75W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
BUK9M19-60EX Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 10V; 43mOhm; 38A; 62W; -55°C ~ 175°C;
BUK9M19-60EX RoHS || BUK9M19-60EX || BUK9M19-60EX LFPAK33 (SOT1210)
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BUK9M19-60EX RoHS
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 7,6300 5,6400 4,9200 4,6800 4,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 10V 43mOhm 38A 62W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BUK9M19-60EX
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Magazyn zewnetrzny:
4500 szt.
Ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 10V 43mOhm 38A 62W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
BUK9M23-80EX Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 80V; 10V; 58mOhm; 37A; 79W; -55°C ~ 175°C;
BUK9M23-80EX RoHS || BUK9M23-80EX || BUK9M23-80EX LFPAK33 (SOT1210)
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BUK9M23-80EX RoHS
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 8,9600 6,8600 6,0800 5,8200 5,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 80V 80V 10V 58mOhm 37A 79W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BUK9M23-80EX
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 80V 80V 10V 58mOhm 37A 79W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
BUK9M3R3-40H Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 16V; 9,2mOhm; 80A; 101W; -55°C ~ 175°C;
BUK9M3R3-40HX RoHS || BUK9M3R3-40H LFPAK33 (SOT1210)
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BUK9M3R3-40HX RoHS
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,5100 4,2100 3,4800 3,0500 2,9000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 16V 9,2mOhm 80A 101W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
BUK9M52-40EX Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 40V; 10V; 101mOhm; 17,6A; 31W; -55°C ~ 175°C;
BUK9M52-40EX RoHS || BUK9M52-40EX || BUK9M52-40EX LFPAK33 (SOT1210)
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BUK9M52-40EX RoHS
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4 szt.
Ilość szt. 1+ 4+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 6,8200 4,9600 4,0600 3,7100 3,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 40V 10V 101mOhm 17,6A 31W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BUK9M52-40EX
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Magazyn zewnetrzny:
4500 szt.
Ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 40V 40V 10V 101mOhm 17,6A 31W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
BUK9M5R2-30EX Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 30V; 10V; 9,8mOhm; 70A; 79W; -55°C ~ 175°C;
BUK9M5R2-30EX RoHS || BUK9M5R2-30EX || BUK9M5R2-30EX LFPAK33 (SOT1210)
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BUK9M5R2-30EX RoHS
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 8,6400 6,6100 5,8600 5,6100 5,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 30V 10V 9,8mOhm 70A 79W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BUK9M5R2-30EX
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 30V 10V 9,8mOhm 70A 79W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BUK9M5R2-30EX
Obudowa dokładna:
LFPAK33 (SOT1210)
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 1500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 30V 10V 9,8mOhm 70A 79W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK33 (SOT1210) NXP
BUK9V13-40HX Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 10V; 13mOhm; 42A; 46W; -55°C~175°C; Odpowiednik: BUK9V13-40H; BUK9V13-40HX;
BUK9V13-40HX RoHS || BUK9V13-40HX LFPAK56D
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BUK9V13-40HX RoHS
Obudowa dokładna:
LFPAK56D
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 8,2400 6,2600 5,8200 5,4000 5,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5/10
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 40V 10V 13mOhm 42A 46W Surface Mount -55°C ~ 175°C LFPAK56D NXP
BUK9Y21-40E NEXPERIA Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 40V; 10V; 42,2mOhm; 33A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BUK9Y21-40E,115;
BUK9Y21-40E,115 RoHS || BUK9Y21-40E   NEXPERIA LFPAK
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BUK9Y21-40E,115 RoHS
Obudowa dokładna:
LFPAK
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,8300 3,2100 2,6600 2,4000 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 40V 10V 42,2mOhm 33A 45W SMD -55°C ~ 175°C LFPAK NXP
BUZ11-NR4941 Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 40mOhm; 30A; 75W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BUZ11-NR4941; BUZ11_NR4941; BUZ11;
BUZ11-NR4941 RoHS || BUZ11-NR4941 || BUZ11-NR4941 TO220
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
BUZ11-NR4941 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1558 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,6600 3,4200 2,7400 2,3500 2,2200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 50V 50V 20V 40mOhm 30A 75W THT -55°C ~ 150°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
BUZ11-NR4941
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
10230 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,2431
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 50V 50V 20V 40mOhm 30A 75W THT -55°C ~ 150°C TO220 ON SEMICONDUCTOR
1    13  14  15  16  17  18  19  20  21    181

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.