Tranzystory polowe (wyszukane: 5463)

1    14  15  16  17  18  19  20  21  22    183
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
AUIRF1010EZS International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,5mOhm; 84A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRF1010EZSTRL;
AUIRF1010EZS RoHS || AUIRF1010EZS International Rectifier D2PAK
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
AUIRF1010EZS RoHS
Obudowa dokładna:
D2PAK
 
Stan magazynowy:
6 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 8,4600 6,8900 5,9800 5,5400 5,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 8,5mOhm 84A 140W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK International Rectifier
AUIRF1404 International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55°C ~ 175°C;
AUIRF1404 RoHS || AUIRF1404 International Rectifier TO220AB
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
AUIRF1404 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220AB
 
Stan magazynowy:
18 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 11,6800 9,5600 8,3400 7,5800 7,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 4mOhm 202A 333W THT -55°C ~ 175°C TO220AB International Rectifier
AUIRF3710ZSTRL Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRF3710ZSTRL; AUIRF3710ZS;
AUIRF3710ZS RoHS || AUIRF3710ZSTRL D2PAK
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
AUIRF3710ZS RoHS
Obudowa dokładna:
D2PAK
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 17,1200 14,4900 12,9100 11,8900 11,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 18mOhm 59A 160W SMD -55°C ~ 175°C D2PAK International Rectifier
AUIRF4905S International Rectifier Tranzystor P-MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C;
AUIRF4905S RoHS || AUIRF4905S International Rectifier D2PAK
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
AUIRF4905S RoHS
Obudowa dokładna:
D2PAK
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 100+
cena netto (PLN) 23,0000 21,1900 20,0800 19,3400 19,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 55V 20V 20mOhm 70A 170W SMD -55°C ~ 150°C D2PAK International Rectifier
AUIRF7416QTR International Rectifier Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
AUIRF7416QTR RoHS || AUIRF7416QTR International Rectifier SOIC08
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
AUIRF7416QTR RoHS
Obudowa dokładna:
SOIC08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
45 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 6,4800 4,5300 3,7300 3,4700 3,4100
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 35mOhm 10A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOIC08 International Rectifier
AUIRF9540N Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 117mOhm; 23A; 140W; -55°C ~ 175°C;
AUIRF9540N RoHS || AUIRF9540N TO220
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
AUIRF9540N RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
46 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 7,6200 6,0700 5,2000 4,6700 4,4800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 100V 20V 117mOhm 23A 140W THT -55°C ~ 175°C TO220 International Rectifier
AUIRF9Z34N International Rectifier Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 100mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C;
AUIRF9Z34N RoHS || AUIRF9Z34N International Rectifier TO220AB
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
AUIRF9Z34N RoHS
Obudowa dokładna:
TO220AB
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 6,2500 4,3700 3,5900 3,3400 3,2900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 55V 20V 100mOhm 19A 68W THT -55°C ~ 175°C TO-220AB International Rectifier
AUIRFR4104 International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 5,5mOhm; 119A; 140W; -55°C ~ 175°C;
AUIRFR4104 ROHS || AUIRFR4104 International Rectifier TO252 (DPACK)
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
AUIRFR4104 ROHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
cena netto (PLN) 5,0200 3,5000 2,9700 2,7500 2,6400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 5,5mOhm 119A 140W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) International Rectifier
AUIRFR5305 International Rectifier Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRFR5305TRL; AUIRFR5305TR;
AUIRFR5305 RoHS || AUIRFR5305 International Rectifier DPAK
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
AUIRFR5305 RoHS
Obudowa dokładna:
DPAK
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 75+ 150+
cena netto (PLN) 9,4200 7,4400 6,7000 6,3800 6,2800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75/150
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 55V 20V 65mOhm 31A 110W SMD -55°C ~ 175°C DPAK International Rectifier
AUIRFR8401 International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,25mOhm; 100A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRFR8401TRL; AUIRFR8401TR;
AUIRFR8401 RoHS || AUIRFR8401 International Rectifier DPAK
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
AUIRFR8401 RoHS
Obudowa dokładna:
DPAK
 
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,6800 3,9800 3,3800 3,0900 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 4,25mOhm 100A 79W SMD -55°C ~ 175°C DPAK International Rectifier
 
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
AUIRFR8401 RoHS
Obudowa dokładna:
DPAK t/r
 
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,8500 4,1000 3,4800 3,1800 3,0800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 4,25mOhm 100A 79W SMD -55°C ~ 175°C DPAK International Rectifier
AUIRFS8405 International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 193A; 163W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: AUIRFS8405TRL;
AUIRFS8405TRL RoHS || AUIRFS8405 International Rectifier TO263 (D2PAK)
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
AUIRFS8405TRL RoHS
Obudowa dokładna:
TO263t/r (D2PAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,4100 5,1100 4,3800 3,9300 3,7700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 2,3mOhm 193A 163W SMD -55°C ~ 175°C TO263 (D2PAK) International Rectifier
AUIRFZ44N International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C;
AUIRFZ44N RoHS || AUIRFZ44N International Rectifier TO220AB
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
AUIRFZ44N RoHS
Obudowa dokładna:
TO220AB
karta katalogowa
Stan magazynowy:
16 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,4400 5,1400 4,4000 3,9500 3,7900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 55V 20V 17,5mOhm 49A 94W THT -55°C ~ 175°C TO220AB International Rectifier
AUIRLR014N International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 210mOhm; 10A; 28W; -55°C ~ 175°C;
AUIRLR014N RoHS || AUIRLR014N International Rectifier TO252 (DPACK)
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
AUIRLR014N RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
222 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 75+ 225+ 900+
cena netto (PLN) 2,6000 1,6500 1,2500 1,1800 1,1300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75/225
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 55V 16V 210mOhm 10A 28W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) International Rectifier
AUIRLR3705Z International Rectifier Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 12mOhm; 89A; 130W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: AUIRLR3705ZTR; AUIRLR3705ZTRL;
AUIRLR3705Z RoHS || AUIRLR3705Z International Rectifier TO252 (DPACK)
Producent:
International Rectifier
Symbol Producenta:
AUIRLR3705Z RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
cena netto (PLN) 8,9000 6,8300 6,0700 5,7300 5,5600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
75
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 55V 16V 12mOhm 89A 130W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) International Rectifier
BF1202WR Tranzystor 2xN-MOSFET; 10V; 6V; 30mA; 200mW; -65°C ~ 150°C;
BR1202WR 115 RoHS || BF1202WR SOT343R
Producent:
Philips
Symbol Producenta:
BR1202WR 115 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT343R
 
Stan magazynowy:
69 szt.
Ilość szt. 3+ 15+ 69+ 345+ 1725+
cena netto (PLN) 1,3700 0,8080 0,6210 0,5500 0,5260
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
69
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 10V 6V 30mA 200mW SMD -65°C ~ 150°C SOT343R NXP
BM3415E SOT23 BORN Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 4,8A; 1,5W; -50°C ~ 150°C;
BM3415E RoHS || BM3415E SOT23 BORN SOT23
Producent:
BORN
Symbol Producenta:
BM3415E RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
280 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,8280 0,4150 0,2470 0,2050 0,1840
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 65mOhm 4,8A 1,5W SMD -50°C ~ 150°C SOT23 BORN
BS107P DIODES Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 30Ohm; 120mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS107AG; BS107ARL1G; BS107P;
BS107P RoHS || BS107P || BS107P DIODES TO92
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS107P RoHS
Obudowa dokładna:
TO92
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,5400 2,2400 1,7700 1,6100 1,5400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 200V 20V 30Ohm 120mA 500mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS107P RoHS
Obudowa dokładna:
TO92bul
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,5400 2,2400 1,7700 1,6100 1,5400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 200V 20V 30Ohm 120mA 500mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS107P
Obudowa dokładna:
TO92
 
Magazyn zewnetrzny:
7891 szt.
Ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 200V 20V 30Ohm 120mA 500mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIODES
BS170-D26Z (krępowane=forming) Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT;
BS170-D26Z RoHS || BS170FTA || BS170-D26Z (krępowane=forming) TO92formed
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
BS170-D26Z RoHS
Obudowa dokładna:
TO92formed t/r
 
Stan magazynowy:
3720 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,4100 0,7810 0,6170 0,5600 0,5420
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS170FTA
Obudowa dokładna:
TO92formed
 
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8758
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS170FTA
Obudowa dokładna:
TO92formed
 
Magazyn zewnetrzny:
63000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5807
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed ON SEMICONDUCTOR
BS170FTA smd Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5Ohm; 0,15mA; 330mW; -55°C ~ 150°C;
BS170FTA RoHS || BS170FTA smd SOT23
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS170FTA RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
565 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,1200 1,2800 0,9880 0,8910 0,8480
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2403
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 5Ohm 0,15mA 330mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
BS250FTA Tranzystor P-Channel MOSFET; 45V; +/-20V; 90mA; 14Ohm; 330mW; -55°C~150°C;
BS250FTA RoHS || BS250FTA || BS250FTA SOT23
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS250FTA RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3200 1,4100 1,0800 0,9760 0,9290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 45V 20V 14Ohm 90mA 330mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS250FTA
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 45V 20V 14Ohm 90mA 330mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
BS270 Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Tranzystor: N-MOSFET | unipolarny | 60V | 0,4A | Idm: 2A | 0,625W | TO92
BS270 RoHS || BS270 || BS270 TO92
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
BS270 RoHS
Obudowa dokładna:
TO92bul
karta katalogowa
Stan magazynowy:
494 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 30+ 100+ 494+
cena netto (PLN) 1,5900 1,0300 0,7960 0,6750 0,6100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
494
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 400mA 625mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ONSEMI
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
BS270
Obudowa dokładna:
TO92
 
Magazyn zewnetrzny:
12993 szt.
Ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 400mA 625mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ONSEMI
BSC010NE2LSATMA1 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 20V; 1,3mOhm; 100A; 96W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC010NE2LSATMA1;
BSC010NE2LSATMA1 RoHS || BSC010NE2LSATMA1 || BSC010NE2LSATMA1 Infineon TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC010NE2LSATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,2800 4,0300 3,3400 2,9200 2,7800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 25V 20V 1,3mOhm 100A 96W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC010NE2LSATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,7800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 25V 20V 1,3mOhm 100A 96W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC016N04LS G Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC016N04LSGATMA1;
BSC016N04LSGATMA1 RoHS || BSC016N04LS G TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC016N04LSGATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
38 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,8200 5,2100 4,3100 3,7800 3,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 2,3mOhm 100A 139W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC016N06NS Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,9mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C;
BSC016N06NS RoHS || BSC016N06NSATMA1 || BSC016N06NS TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC016N06NS RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
44 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 11,0300 8,7500 7,9100 7,4800 7,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 2,9mOhm 100A 139W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC016N06NSATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 2,9mOhm 100A 139W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC016N06NSATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 2,9mOhm 100A 139W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC018NE2LS Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 69W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC018NE2LSI; BSC018NE2LSATMA1;
BSC018NE2LS RoHS || BSC018NE2LSATMA1 || BSC018NE2LS Infineon TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC018NE2LS RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,3600 2,1100 1,7500 1,5600 1,4600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 25V 20V 2,3mOhm 100A 69W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC018NE2LSATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 25V 20V 2,3mOhm 100A 69W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC019N02KSG Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 3mOhm; 100A; 104W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC019N02KSGAUMA1;
BSC019N02KSG RoHS || BSC019N02KSG Infineon TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC019N02KSG RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 6,5200 4,5600 3,8800 3,5500 3,4300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 3mOhm 100A 104W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC019N04NSGATMA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 1,9mOhm; 100A; 125W; -55°C ~ 150°C;
BSC019N04NSGATMA1 RoHS || BSC019N04NSGATMA1 || BSC019N04NSGATMA1 TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC019N04NSGATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 11,4700 8,8100 7,8300 7,3300 7,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 1,9mOhm 100A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC019N04NSGATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 40V 20V 1,9mOhm 100A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC022N04LS6 Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 3,2mOhm; 139A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BSC022N04LS6ATMA1;
BSC022N04LS6ATMA1 RoHS || BSC022N04LS6 TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC022N04LS6ATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 12,7900 10,5700 9,2600 8,6300 8,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 3,2mOhm 139A 79W SMD -55°C ~ 175°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC024NE2LS INFINEON Tranzystor N-MOSFET; 25V; 20V; 3,4mOhm; 100A; 48W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC024NE2LSATMA1;
BSC024NE2LSATMA1 RoHS || BSC024NE2LSATMA1 || BSC024NE2LS INFINEON TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC024NE2LSATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,8300 3,2100 2,6600 2,4000 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
510
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 25V 20V 3,4mOhm 100A 48W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC024NE2LSATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 25V 20V 3,4mOhm 100A 48W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC027N04LSG Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,1mOhm; 100A; 83W; -55°C ~ 150°C; BSC027N04LS G; BSC027N04LS G; SP000354810
BSC027N04LSG RoHS || BSC027N04LSG TDSON-8
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC027N04LSG RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
81 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,5600 3,0300 2,5100 2,2600 2,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 4,1mOhm 100A 83W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
1    14  15  16  17  18  19  20  21  22    183

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.