Tranzystory polowe (wyszukane: 5457)

1    18  19  20  21  22  23  24  25  26    182
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
FDD3N40TM ON Semiconductor Tranzystor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 3,4Ohm; 2A; 30W; -55°C ~ 150°C;
FDD3N40TM RoHS || FDD3N40TM ON Semiconductor DPAK
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDD3N40TM RoHS
Obudowa dokładna:
DPAK t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,9800 3,8000 3,1400 2,7600 2,6200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 400V 30V 3,4Ohm 2A 30W SMD -55°C ~ 150°C DPAK ON SEMICONDUCTOR
FDD3N50NZTM ON Semiconductor Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 2,5Ohm; 2,5A; 40W; -55°C ~ 150°C;
FDD3N50NZTM RoHS || FDD3N50NZTM ON Semiconductor DPAK
Producent:
Fairchild
Symbol Producenta:
FDD3N50NZTM RoHS
Obudowa dokładna:
DPAK t/r
 
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 2+ 5+ 10+ 50+ 250+
cena netto (PLN) 3,9800 2,9500 2,4800 1,9300 1,7300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5/10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 500V 25V 2,5Ohm 2,5A 40W SMD -55°C ~ 150°C DPAK Fairchild
FDD4141 UMW Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 18mOhm; 58A; 69W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDD4141 Onsemi;
FDD4141 RoHS || FDD4141 UMW TO252 (DPACK)
Producent:
UMW
Symbol Producenta:
FDD4141 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
95 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3000 1,4600 1,1500 1,0500 1,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1252
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 40V 20V 18mOhm 58A 69W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) UMW
FDD5690 ON Semiconductor Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 48mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 150°C;
FDD5690 RoHS || FDD5690 ON Semiconductor TO252
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDD5690 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,9400 3,7700 3,1200 2,7400 2,6000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 48mOhm 30A 50W SMD -55°C ~ 150°C TO252 ON SEMICONDUCTOR
FDD6690A ON Semiconductor Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 19mOhm; 46A; 56W; -55°C ~ 175°C;
FDD6690A RoHS || FDD6690A ON Semiconductor DPAK
Producent:
Fairchild
Symbol Producenta:
FDD6690A RoHS
Obudowa dokładna:
DPAK t/r
 
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,4900 3,3000 2,6500 2,2700 2,1400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 19mOhm 46A 56W SMD -55°C ~ 175°C DPAK ON SEMICONDUCTOR
FDD7N25LZTM Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 570mOhm; 6,2A; 56W; -55°C ~ 150°C;
FDD7N25LZTM RoHS || FDD7N25LZTM || FDD7N25LZTM TO252
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDD7N25LZTM RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 270+
cena netto (PLN) 4,8500 3,3800 2,8700 2,6200 2,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
270
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 250V 20V 570mOhm 6,2A 56W SMD -55°C ~ 150°C TO252 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDD7N25LZTM
Obudowa dokładna:
TO252
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 250V 20V 570mOhm 6,2A 56W SMD -55°C ~ 150°C TO252 ON SEMICONDUCTOR
FDD8445 ON Semiconductor Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 16,3mOhm; 70A; 79W; -55°C ~ 175°C;
FDD8445 RoHS || FDD8445 || FDD8445 ON Semiconductor DPAK
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDD8445 RoHS
Obudowa dokładna:
DPAK t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,0000 3,8100 3,1600 2,7700 2,6300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 16,3mOhm 70A 79W SMD -55°C ~ 175°C DPAK Fairchild
 
Producent:
Fairchild
Symbol Producenta:
FDD8445
Obudowa dokładna:
DPAK
 
Magazyn zewnetrzny:
145000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,6300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 40V 20V 16,3mOhm 70A 79W SMD -55°C ~ 175°C DPAK Fairchild
FDD8447L ON Semiconductor Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 14mOhm; 57A; 44W; -55°C ~ 150°C; Podobny do : FDD8447L-F085
FDD8447L RoHS || FDD8447L || FDD8447L ON Semiconductor DPAK
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDD8447L RoHS
Obudowa dokładna:
DPAK t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
444 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 3,9500 2,6300 2,1700 1,9600 1,8800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 14mOhm 57A 44W SMD -55°C ~ 150°C DPAK ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDD8447L
Obudowa dokładna:
DPAK
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,8800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 40V 20V 14mOhm 57A 44W SMD -55°C ~ 150°C DPAK ON SEMICONDUCTOR
FDD8451 ON Semiconductor Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 41mOhm; 28A; 30W; -55°C ~ 150°C;
FDD8451 RoHS || FDD8451 ON Semiconductor DPAK
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDD8451 RoHS
Obudowa dokładna:
DPAK
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 4,5600 3,3400 2,6800 2,3000 2,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 41mOhm 28A 30W SMD -55°C ~ 150°C DPAK ON SEMICONDUCTOR
FDD86102LZ Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 40mOhm; 35A; 54W; -55°C ~ 150°C;
FDD86102LZ RoHS || FDD86102LZ TO252
Producent:
Fairchild
Symbol Producenta:
FDD86102LZ RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
 
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,2600 4,0200 3,3200 2,9100 2,7700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 40mOhm 35A 54W SMD -55°C ~ 150°C TO252 Fairchild
FDD86252 ON Semiconductor Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 103mOhm; 27A; 89W; -55°C ~ 150°C;
FDD86252 RoHS || FDD86252 || FDD86252 ON Semiconductor DPAK
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDD86252 RoHS
Obudowa dokładna:
DPAK t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,5400 4,9900 4,1300 3,6200 3,4400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 150V 20V 103mOhm 27A 89W SMD -55°C ~ 150°C DPAK ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDD86252
Obudowa dokładna:
DPAK
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,4400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 150V 20V 103mOhm 27A 89W SMD -55°C ~ 150°C DPAK ON SEMICONDUCTOR
FDD8647L ON Semiconductor Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 13,6mOhm; 52A; 43W; -55°C ~ 150°C;
FDD8647L RoHS || FDD8647L ON Semiconductor DPAK
Producent:
Fairchild
Symbol Producenta:
FDD8647L RoHS
Obudowa dokładna:
DPAK t/r
 
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,0400 3,3200 2,9700 2,5400 2,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5/10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 13,6mOhm 52A 43W SMD -55°C ~ 150°C DPAK ON SEMICONDUCTOR
FDD8896 TO252(DPAK) Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9,2mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: YFW100N03AD;
YFW100N03AD RoHS || FDD8896 TO252(DPAK) DPAK
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
YFW100N03AD RoHS
Obudowa dokładna:
DPAK t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 40+ 150+ 600+
cena netto (PLN) 1,6800 1,1000 0,8080 0,6950 0,6470
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 9,2mOhm 94A 80W SMD -55°C ~ 175°C DPAK ON SEMICONDUCTOR
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-15
Ilość szt.: 500
                     
FDD8896 UMW Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 92mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: FDD8896 Onsemi;
FDD8896 RoHS || FDD8896 UMW TO252 (DPACK)
Producent:
UMW
Symbol Producenta:
FDD8896 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,6500 1,6600 1,3800 1,2300 1,1500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 92mOhm 94A 80W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) UMW
FDD8896 Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Odpowiednik: FDD8896-VB; YFW100N03AD;
FDD8896 RoHS || FDD8896-VB RoHS || FDD8896 TO252
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
FDD8896 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,6100 2,2900 1,8100 1,6400 1,5700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 2,1Ohm 12A 165W SMD -55°C ~ 175°C TO252 VBS
 
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
FDD8896-VB RoHS
Obudowa dokładna:
TO252t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
300 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,6100 2,2900 1,8100 1,6400 1,5700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 2,1Ohm 12A 165W SMD -55°C ~ 175°C TO252 VBS
 
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
FDD8896-VB RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
496 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,6100 2,2900 1,8100 1,6400 1,5700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 2,1Ohm 12A 165W SMD -55°C ~ 175°C TO252 VBS
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-18
Ilość szt.: 5000
                     
FDG6317NZ Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88
FDG6317NZ || FDG6317NZ RoHS || FDG6317NZ SC-88
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDG6317NZ
Obudowa dokładna:
SC-88
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2650
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 20V 12V 550mOhm 2,1A 300mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDG6317NZ RoHS
Obudowa dokładna:
SC-88 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9280 0,5130 0,3410 0,2850 0,2650
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 550mOhm 2,1A 300mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 ON SEMICONDUCTOR
FDG6332C Tranzystor N/P-MOSFET; 20V; 12V; 300mOhm; 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Oodpowiednik: FDG6332C-F085; FDG6332C_F085;
FDG6332C || FDG6332C RoHS 32. || FDG6332C SC-88
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDG6332C
Obudowa dokładna:
SC-88
 
Magazyn zewnetrzny:
84000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,6980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N/P-MOSFET 20V 12V 300mOhm 300mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDG6332C RoHS 32.
Obudowa dokładna:
SC-88 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,8100 1,1900 0,8520 0,7450 0,6980
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 20V 12V 300mOhm 300mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 ON SEMICONDUCTOR
FDL100N50F Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; +/-30V; 43mOhm; 100A; 2,5kW; -55°C~150°C;
FDL100N50F RoHS || FDL100N50F || FDL100N50F TO264
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDL100N50F RoHS
Obudowa dokładna:
TO264
 
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 20+ 40+
cena netto (PLN) 83,1600 72,2900 65,2200 62,6100 60,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET 500V 30V 43mOhm 100A 2,5kW THT -55°C ~ 125°C TO264 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDL100N50F
Obudowa dokładna:
TO264
 
Magazyn zewnetrzny:
100 szt.
Ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 60,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
MOSFET 500V 30V 43mOhm 100A 2,5kW THT -55°C ~ 125°C TO264 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDL100N50F
Obudowa dokładna:
TO264
 
Magazyn zewnetrzny:
467 szt.
Ilość szt. 375+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 60,7000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
375
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
MOSFET 500V 30V 43mOhm 100A 2,5kW THT -55°C ~ 125°C TO264 ON SEMICONDUCTOR
FDMS86200 Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin Power 56 T/R
FDMS86200 RoHS || FDMS86200 || FDMS86200 Power56
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDMS86200 RoHS
Obudowa dokładna:
Power56
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 8,3100 6,5900 5,6100 5,1500 4,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
600
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 150V 20V 3Ohm 9,6A 104W SMD -55°C ~ 150°C Power56 ONSEMI
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDMS86200
Obudowa dokładna:
Power56
 
Magazyn zewnetrzny:
11136 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 150V 20V 3Ohm 9,6A 104W SMD -55°C ~ 150°C Power56 ONSEMI
 
Producent:
Fairchild
Symbol Producenta:
FDMS86200
Obudowa dokładna:
Power56
 
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 4,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 150V 20V 3Ohm 9,6A 104W SMD -55°C ~ 150°C Power56 ONSEMI
FDN302P Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 84mOhm; 2,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
FDN302P RoHS .302.. || FDN302P || FDN302P SSOT3
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDN302P RoHS .302..
Obudowa dokładna:
SSOT3
 
Stan magazynowy:
480 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 2,3800 1,4300 1,0900 0,9840 0,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 84mOhm 2,4A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SSOT3
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDN302P
Obudowa dokładna:
SSOT3
 
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 20V 12V 84mOhm 2,4A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SSOT3
 
Producent:
Fairchild
Symbol Producenta:
FDN302P
Obudowa dokładna:
SSOT3
 
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 20V 12V 84mOhm 2,4A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SSOT3
FDN304P UMW Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDN304P Onsemi;
FDN304P RoHS || FDN304P UMW SOT23
Producent:
UMW
Symbol Producenta:
FDN304P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8750 0,4150 0,2340 0,1770 0,1590
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 100mOhm 2,4A 1,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 UMW
FDN306P Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TCJ2305;
FDN306P RoHS || FDN306P RoHS 306. || FDN306P || FDN306P SSOT3
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDN306P RoHS
Obudowa dokładna:
SSOT3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,4400 0,8000 0,6320 0,5730 0,5550
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 12V 8V 80mOhm 2,6A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SSOT3 Fairchild
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDN306P RoHS 306.
Obudowa dokładna:
SSOT3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 1,4400 0,9480 0,6810 0,5830 0,5550
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 12V 8V 80mOhm 2,6A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SSOT3 Fairchild
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDN306P
Obudowa dokładna:
SSOT3
 
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5550
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 12V 8V 80mOhm 2,6A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SSOT3 Fairchild
 
Producent:
Fairchild
Symbol Producenta:
FDN306P
Obudowa dokładna:
SSOT3
 
Magazyn zewnetrzny:
87000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5550
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 12V 8V 80mOhm 2,6A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SSOT3 Fairchild
FDN306P SOT23 TEC Tranzystor P-Channel MOSFET; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45W; -55°C~150°C; Odpowiednik: TCJ2305;
FDN306P RoHS || FDN306P SOT23 TEC SOT23
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
FDN306P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,2500 0,6820 0,4470 0,3860 0,3560
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET -12V 8V 40mOhm -2,6A 0,45mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 TECH PUBLIC
FDN306P Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P-VB;
FDN306P RoHS || FDN306P SOT23
Producent:
VBsemi
Symbol Producenta:
FDN306P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 150+ 750+ 3000+
cena netto (PLN) 1,0700 0,5200 0,3700 0,3210 0,3060
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET -20V 12V 8,8Ohm 18A 2,5W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VBSEMI ELEC
FDN335N Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 120mOhm; 1,7A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
FDN335N RoHS || FDN335N || FDN335N SOT23
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDN335N RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
498 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 1,9000 1,1400 0,8740 0,7870 0,7600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 8V 120mOhm 1,7A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDN335N
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 20V 8V 120mOhm 1,7A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDN335N
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 20V 8V 120mOhm 1,7A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
FDN336P Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 320mOhm; 1,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
FDN336P RoHS || FDN336P || FDN336P SuperSOT3
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDN336P RoHS
Obudowa dokładna:
SuperSOT3
 
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3200 0,8420 0,5910 0,5130 0,4800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 320mOhm 1,3A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SuperSOT3 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDN336P
Obudowa dokładna:
SuperSOT3
 
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5531
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 20V 8V 320mOhm 1,3A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SuperSOT3 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDN336P
Obudowa dokładna:
SuperSOT3
 
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5254
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 20V 8V 320mOhm 1,3A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SuperSOT3 ON SEMICONDUCTOR
FDN337N Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
FDN337N RoHS || FDN337N || FDN337N SOT23-3
Producent:
Fairchild
Symbol Producenta:
FDN337N RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
 
Stan magazynowy:
218 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1253+
cena netto (PLN) 1,4300 0,9380 0,6730 0,5760 0,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1253
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 8V 110mOhm 2,2A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
FDN337N
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
450000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 8V 110mOhm 2,2A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
Fairchild
Symbol Producenta:
FDN337N
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
1842000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 8V 110mOhm 2,2A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 ON SEMICONDUCTOR
FDN338P SOT23-3 HUASHUO Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C;
FDN338P RoHS || FDN338P SOT23-3 HUASHUO SOT23
Producent:
HUASHUO
Symbol Producenta:
FDN338P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2191 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2191+
cena netto (PLN) 0,7320 0,3470 0,1940 0,1470 0,1330
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2191
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 140mOhm 3A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Huashuo Semiconductor
 
Producent:
HUASHUO
Symbol Producenta:
FDN338P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
809 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 150+ 809+ 4045+
cena netto (PLN) 0,7320 0,2920 0,1790 0,1430 0,1330
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
809
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 140mOhm 3A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Huashuo Semiconductor
FDN338P JSMICRO Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDN338P Onsemi;
FDN338P RoHS || FDN338P JSMICRO SOT23
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol Producenta:
FDN338P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
740 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 150+ 740+ 3700+
cena netto (PLN) 0,6880 0,2740 0,1680 0,1350 0,1250
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
740
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 210mOhm 1,6A 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 JSMICRO
 
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol Producenta:
FDN338P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
260 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 260+ 1300+
cena netto (PLN) 0,6880 0,3240 0,1800 0,1470 0,1250
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
260
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 210mOhm 1,6A 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 JSMICRO
FDN338P SOT23 MSKSEMI Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C;
FDN338P RoHS || FDN338P SOT23 MSKSEMI SOT23
Producent:
MSKSEMI
Symbol Producenta:
FDN338P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
95 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,8240 0,4130 0,2460 0,2040 0,1830
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 150mOhm 2A 1,56W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 MSK
1    18  19  20  21  22  23  24  25  26    182

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.