Tranzystory polowe (wyszukane: 5457)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDD3N40TM ON Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 3,4Ohm; 2A; 30W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 400V | 30V | 3,4Ohm | 2A | 30W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDD3N50NZTM ON Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 2,5Ohm; 2,5A; 40W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDD3N50NZTM RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5/10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 25V | 2,5Ohm | 2,5A | 40W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | Fairchild | |||||||||||||
FDD4141 UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 18mOhm; 58A; 69W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDD4141 Onsemi;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
95 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1252 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 18mOhm | 58A | 69W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | UMW | |||||||||||||
FDD5690 ON Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 48mOhm; 30A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 48mOhm | 30A | 50W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDD6690A ON Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 19mOhm; 46A; 56W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDD6690A RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 19mOhm | 46A | 56W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDD7N25LZTM
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 570mOhm; 6,2A; 56W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 270 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 250V | 20V | 570mOhm | 6,2A | 56W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD7N25LZTM Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 20V | 570mOhm | 6,2A | 56W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDD8445 ON Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 16,3mOhm; 70A; 79W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 16,3mOhm | 70A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDD8445 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
145000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 16,3mOhm | 70A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | Fairchild | |||||||||||||
FDD8447L ON Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 14mOhm; 57A; 44W; -55°C ~ 150°C; Podobny do : FDD8447L-F085
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
444 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 14mOhm | 57A | 44W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD8447L Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 14mOhm | 57A | 44W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDD8451 ON Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 41mOhm; 28A; 30W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 41mOhm | 28A | 30W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDD86102LZ
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 40mOhm; 35A; 54W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDD86102LZ RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 40mOhm | 35A | 54W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 | Fairchild | |||||||||||||
FDD86252 ON Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 103mOhm; 27A; 89W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 103mOhm | 27A | 89W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDD86252 Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 103mOhm | 27A | 89W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDD8647L ON Semiconductor
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 13,6mOhm; 52A; 43W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDD8647L RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5/10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 13,6mOhm | 52A | 43W | SMD | -55°C ~ 150°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDD8896 TO252(DPAK)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9,2mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: YFW100N03AD;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 9,2mOhm | 94A | 80W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-15
Ilość szt.: 500
|
|||||||||||||||||||||||
FDD8896 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 92mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: FDD8896 Onsemi;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 92mOhm | 94A | 80W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | UMW | |||||||||||||
FDD8896
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; +/-20V; 2,1Ohm; 12A; 165W; -55°C~175°C; Odpowiednik: FDD8896-VB; YFW100N03AD;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2,1Ohm | 12A | 165W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | VBS | |||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2,1Ohm | 12A | 165W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | VBS | |||||||||||||
Stan magazynowy:
496 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 2,1Ohm | 12A | 165W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | VBS | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-18
Ilość szt.: 5000
|
|||||||||||||||||||||||
FDG6317NZ
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-88
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDG6317NZ Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 550mOhm | 2,1A | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 550mOhm | 2,1A | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDG6332C
Tranzystor N/P-MOSFET; 20V; 12V; 300mOhm; 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Oodpowiednik: FDG6332C-F085; FDG6332C_F085;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDG6332C Obudowa dokładna: SC-88 |
Magazyn zewnetrzny:
84000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 20V | 12V | 300mOhm | 300mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 20V | 12V | 300mOhm | 300mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDL100N50F
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; +/-30V; 43mOhm; 100A; 2,5kW; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDL100N50F RoHS Obudowa dokładna: TO264 |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 500V | 30V | 43mOhm | 100A | 2,5kW | THT | -55°C ~ 125°C | TO264 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDL100N50F Obudowa dokładna: TO264 |
Magazyn zewnetrzny:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
MOSFET | 500V | 30V | 43mOhm | 100A | 2,5kW | THT | -55°C ~ 125°C | TO264 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDL100N50F Obudowa dokładna: TO264 |
Magazyn zewnetrzny:
467 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 375 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
MOSFET | 500V | 30V | 43mOhm | 100A | 2,5kW | THT | -55°C ~ 125°C | TO264 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDMS86200
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin Power 56 T/R
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 600 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 3Ohm | 9,6A | 104W | SMD | -55°C ~ 150°C | Power56 | ONSEMI | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMS86200 Obudowa dokładna: Power56 |
Magazyn zewnetrzny:
11136 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 3Ohm | 9,6A | 104W | SMD | -55°C ~ 150°C | Power56 | ONSEMI | |||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDMS86200 Obudowa dokładna: Power56 |
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 3Ohm | 9,6A | 104W | SMD | -55°C ~ 150°C | Power56 | ONSEMI | |||||||||||||
FDN302P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 84mOhm; 2,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN302P RoHS .302.. Obudowa dokładna: SSOT3 |
Stan magazynowy:
480 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 84mOhm | 2,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN302P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 84mOhm | 2,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | ||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDN302P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 84mOhm | 2,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | ||||||||||||||
FDN304P UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm; 2,4A; 1,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDN304P Onsemi;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 100mOhm | 2,4A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
FDN306P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 80mOhm; 2,6A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: TCJ2305;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 80mOhm | 2,6A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 80mOhm | 2,6A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN306P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 12V | 8V | 80mOhm | 2,6A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDN306P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
87000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 12V | 8V | 80mOhm | 2,6A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
FDN306P SOT23 TEC
Tranzystor P-Channel MOSFET; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45W; -55°C~150°C; Odpowiednik: TCJ2305;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | -12V | 8V | 40mOhm | -2,6A | 0,45mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
FDN306P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | -20V | 12V | 8,8Ohm | 18A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VBSEMI ELEC | |||||||||||||
FDN335N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 120mOhm; 1,7A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
498 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 120mOhm | 1,7A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN335N Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 8V | 120mOhm | 1,7A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN335N Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
51000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 8V | 120mOhm | 1,7A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDN336P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 320mOhm; 1,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN336P RoHS Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 320mOhm | 1,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN336P Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 320mOhm | 1,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN336P Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 320mOhm | 1,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDN337N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDN337N RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r |
Stan magazynowy:
218 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1253 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 8V | 110mOhm | 2,2A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN337N Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
450000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 8V | 110mOhm | 2,2A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDN337N Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
1842000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 8V | 110mOhm | 2,2A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDN338P SOT23-3 HUASHUO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2191 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2191 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 140mOhm | 3A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Huashuo Semiconductor | |||||||||||||
Stan magazynowy:
809 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 809 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 140mOhm | 3A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Huashuo Semiconductor | |||||||||||||
FDN338P JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDN338P Onsemi;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
740 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 740 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 210mOhm | 1,6A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JSMICRO | |||||||||||||
Stan magazynowy:
260 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 260 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 210mOhm | 1,6A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JSMICRO | |||||||||||||
FDN338P SOT23 MSKSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 150mOhm; 2A; 1,56W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
95 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 150mOhm | 2A | 1,56W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MSK |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.