Tranzystory polowe (wyszukane: 5467)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDS8949 Fairchild
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 43mOhm; 6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDS8949-F085;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 40V | 20V | 43mOhm | 6A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS8949 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnetrzny:
52500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 40V | 20V | 43mOhm | 6A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | Fairchild | |||||||||||||
FDS8958A SOP08 ON Semiconductor
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 42mOhm/80mOhm; 7A/5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDS8958A-F085;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 80mOhm | 7A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Fairchild | |||||||||||||
FDS8978
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 29mOhm; 7,5A; 1,6W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS8978 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 29mOhm | 7,5A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDS9431A
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 220mOhm; 3,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDS9431A-F085;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS9431A RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 220mOhm | 3,5A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS9431A RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 220mOhm | 3,5A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS9431A RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
583 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 583 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 220mOhm | 3,5A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS9431A RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
4470 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500/5000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 220mOhm | 3,5A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS9431A Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 220mOhm | 3,5A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDS9431A
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 22mOhm; 7,5A; 2,4W; -50°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 4,5V | 12V | 22mOhm | 7,5A | 2,4W | SMD | -50°C ~ 150°C | SOP08 | TECH PUBLIC | ||||||||||||
FDS9435A
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 80mOhm; 5,3A; 2,5W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 80mOhm | 5,3A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOP08 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS9435A Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 25V | 80mOhm | 5,3A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOP08 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS9435A Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 25V | 80mOhm | 5,3A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOP08 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS9435A Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 25V | 80mOhm | 5,3A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOP08 | Fairchild | |||||||||||||
FDS9926A
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 10V; 50mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
165 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 10V | 50mOhm | 6,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDS9945
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 3,5A; 2W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS9945 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 200mOhm | 3,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS9945 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 200mOhm | 3,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDS9958TRPBF SO8 ON Semiconductor
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 60V; 20V; 190mOhm; 2,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDS9958-F085;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS9958 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
45 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 60V | 20V | 190mOhm | 2,9A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Fairchild | |||||||||||||
FDT439N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 72mOhm; 6,3A; 3W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDT439N RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
3868 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 8V | 72mOhm | 6,3A | 3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Fairchild | |||||||||||||
FDT86102LZ
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 46mOhm; 6,6A; 2,2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2/20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 46mOhm | 6,6A | 2,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223-4 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDT86106LZ
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 189mOhm; 3,2A; 2,2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDT86106LZ RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 189mOhm | 3,2A | 2,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDT86246
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 425mOhm; 2A; 2,2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDT86246 RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 425mOhm | 2A | 2,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDT86246 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 425mOhm | 2A | 2,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | Fairchild | |||||||||||||
FDU7N60NZTU
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 1,25Ohm; 5,5A; 90W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDU7N60NZTU RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 25V | 1,25Ohm | 5,5A | 90W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDU7N60NZTU RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 70 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 25V | 1,25Ohm | 5,5A | 90W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | Fairchild | |||||||||||||
FDV301N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 9Ohm; 220mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDV301N-NB9V008;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDV301N RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
36540 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 25V | 8V | 9Ohm | 220mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDV301N RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
193 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1047 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 25V | 8V | 9Ohm | 220mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDV301N RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
833 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1953 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 25V | 8V | 9Ohm | 220mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDV301N Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
15400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 25V | 8V | 9Ohm | 220mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDV301N Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
2785 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 25V | 8V | 9Ohm | 220mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDV301N Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
6642000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 25V | 8V | 9Ohm | 220mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDV301N UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 6A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDV301N Onsemi;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
600 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 50mOhm | 6A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
FDV302P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 25V; 8V; 18Ohm; 120mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
260 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 25V | 8V | 18Ohm | 120mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Fairchild | |||||||||||||
FDV303N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 800mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDV303N RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
7152 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 25V | 8V | 800mOhm | 680mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDV303N Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
11175000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 25V | 8V | 800mOhm | 680mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDV303N SHIKUES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 80mOhm; 2A; Odpowiednik: FDV303N Onsemi;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 80mOhm | 2A | SMD | SOT23 | SHIKUES | |||||||||||||||
FDV303N UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 8V; 42mOhm; 680mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDV303N Onsemi;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 25V | 8V | 42mOhm | 680mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
FDV304P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 25V; 8V; 2Ohm; 460mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; FDV 304 P;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDV304P RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
13170 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 25V | 8V | 2Ohm | 460mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDV304P Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 25V | 8V | 2Ohm | 460mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDV304P Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
12078000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 25V | 8V | 2Ohm | 460mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDV304P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 25V; 8V; 2Ohm; 460mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; FDV 304 P; YFW2307A;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW2307A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 25V | 8V | 1,1Ohm | 460mA | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT-23 | YFW | |||||||||||||
FDV304P UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4.2A; 1.4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDV304P Onsemi;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 120mOhm | 4,2A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
FDY1002PZ
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 8V; 1,8Ohm; 830mA; 625mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDY1002PZ RoHS G.. Obudowa dokładna: SOT666 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 20V | 8V | 1,8Ohm | 830mA | 625mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT666 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDY1002PZ Obudowa dokładna: SOT666 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 20V | 8V | 1,8Ohm | 830mA | 625mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT666 | Fairchild | |||||||||||||
FDY100PZ
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 2,7Ohm; 350mA; 625mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDY101PZ RoHS Obudowa dokładna: SOT523 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 2,7Ohm | 350mA | 625mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT523 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDY101PZ
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 20Ohm; 150mA; 625mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDY101PZ RoHS Obudowa dokładna: SOT523 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 20Ohm | 150mA | 625mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT523 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDY2000PZ
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 8V; 2,7Ohm; 350mA; 625mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDY2000PZ RoHS Obudowa dokładna: SOT666 |
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 20V | 8V | 2,7Ohm | 350mA | 625mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT666 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDY300NZ
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 1,25Ohm; 600mA; 625mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDY300NZ RoHS Obudowa dokładna: SOT523 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 1,25Ohm | 600mA | 625mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT523 | Fairchild | |||||||||||||
FDY4000CZ Fairchild
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V/8V; 1,25Ohm/2,7Ohm; 600mA/350mA; 625mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 20V | 12V | 2,7Ohm | 600mA | 625mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT666 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDZ371PZ
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 3,7A; 1,7W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 150mOhm | 3,7A | 1,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | WLCSP4 (1x1) | ON SEMICONDUCTOR |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.