Tranzystory polowe (wyszukane: 5467)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
HYG450P06LA1D HUAYI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20A; 62mOhm; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305TRPBF; IRFR5305TRRPBF; IRFR9024NPBF; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NTRRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
248 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 62mOhm | 20A | 37,5W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | HUAYI | |||||||||||||
IPA045N10N3GXKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 7,7mOhm; 64A; 39W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 7,7mOhm | 64A | 39W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPA057N06N3GXKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,7mOhm; 60A; 38W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 5,7mOhm | 60A | 38W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPA075N15N3GXKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 7,9mOhm; 43A; 39W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 7,9mOhm | 43A | 39W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA075N15N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 7,9mOhm | 43A | 39W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IPA083N10N5XKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 11mOhm; 44A; 36W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 11mOhm | 44A | 36W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPA086N10N3GXKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15,4mOhm; 45A; 37,5W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 15,4mOhm | 45A | 37,5W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA086N10N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
1800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 15,4mOhm | 45A | 37,5W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPA105N15N3GXKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 11,1mOhm; 37A; 40,5W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 11,1mOhm | 37A | 40,5W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPA180N10N3GXKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 33mOhm; 28A; 30W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 33mOhm | 28A | 30W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPA50R140CP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 320mOhm; 23A; 34W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPA50R140CPXKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
12 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 550V | 30V | 320mOhm | 23A | 34W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPA50R199CP
Tranzystor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 450mOhm; 17A; 139W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPA50R199CPXKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 550V | 30V | 450mOhm | 17A | 139W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPA60R060C7XKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 115mOhm; 16A; 34W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 20V | 115mOhm | 16A | 34W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPA60R190C6
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 440mOhm; 20,2A; 151W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPA60R190C6XKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 440mOhm | 20,2A | 151W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA60R190C6XKSA1 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
138 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 30V | 440mOhm | 20,2A | 151W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPA60R280C6
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 660mOhm; 13,8A; 104W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPA60R280C6XKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 660mOhm | 13,8A | 104W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPA60R280E6XKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 660mOhm; 13,8A; 32W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
33 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 660mOhm | 13,8A | 32W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPA60R380P6
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 889mOhm; 10,6A; 83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPA60R380P6XKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 889mOhm | 10,6A | 83W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPA60R380P6XKSA1 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 30V | 889mOhm | 10,6A | 83W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPA60R950C6XKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 2,22Ohm; 4,4A; 26W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 2,22Ohm | 4,4A | 26W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPA65R225C7XKSA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 478mOhm; 7A; 29W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 700V | 30V | 478mOhm | 7A | 29W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPA80R1K2P7 Infineon Technologies
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 2,7Ohm; 4,5A; 25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPA80R1K2P7XKSA1; IPA80R1K2P7XKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
47 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 800V | 30V | 2,7Ohm | 4,5A | 25W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPAN70R900P7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 9Ohm; 600mA; 17W; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPAN70R900P7SXKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 700V | 10V | 30V | 900mOhm | 6A | 17W | THT | -40°C ~ 150°C | TO220iso | INFINEON | ||||||||||||
IPB072N15N3G Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 7,7mOhm; 100A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB072N15N3GATMA1; IPB072N15N3GE8187; IPB072N15N3G E8187;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 7,7mOhm | 100A | 300W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263/3 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 7,7mOhm | 100A | 300W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263/3 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB072N15N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/3 |
Magazyn zewnetrzny:
5015 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 7,7mOhm | 100A | 300W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263/3 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB072N15N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/3 |
Magazyn zewnetrzny:
61000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 7,7mOhm | 100A | 300W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263/3 | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPB090N06N3G INFINEON
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 9,3mOhm; 50A; 71W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB090N06N3GATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
126 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 9,3mOhm | 50A | 71W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263/3 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB090N06N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/3 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 9,3mOhm | 50A | 71W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263/3 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB090N06N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/3 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 9,3mOhm | 50A | 71W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263/3 | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPB107N20N3G INFINEON
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 11mOhm; 88A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB107N20N3GATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 11mOhm | 88A | 300W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263/3 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB107N20N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/3 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 11mOhm | 88A | 300W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263/3 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPB107N20N3GATMA1 Obudowa dokładna: TO263/3 |
Magazyn zewnetrzny:
26000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 11mOhm | 88A | 300W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263/3 | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPD090N03LG Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13,5mOhm; 40A; 42W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD090N03LGATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 13,5mOhm | 40A | 42W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD090N03LGATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
7564 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 13,5mOhm | 40A | 42W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPD100N06S403ATMA2
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 100A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
8 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 60V | 20V | 10V | 3,5mOhm | 100A | 150W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO-252-3 | INFINEON | ||||||||||||
IDP78CN10NG TO252-3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 80mOhm; 13A; 31W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD78CN10NGATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
55 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 80mOhm | 13A | 31W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPD78CN10NGATMA1 Obudowa dokładna: TO252/3 (DPAK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 80mOhm | 13A | 31W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252/3 (DPAK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPD90P04P4L-04
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 16V; 6,6mOhm; 90A; 125W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD90P04P4L04ATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 16V | 6,6mOhm | 90A | 125W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPI80N06S407AKSA2
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,4mOhm; 80A; 79W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
56 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 7,4mOhm | 80A | 79W | THT | -55°C ~ 175°C | TO262 | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPN60R360PFD7S
Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 705mOhm; 10A; 7W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPN60R360PFD7SATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 20V | 705mOhm | 10A | 7W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 47 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 20V | 705mOhm | 10A | 7W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPN60R360PFD7SATMA1 Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 20V | 705mOhm | 10A | 7W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPN60R600P7S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,145Ohm; 6A; 7W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPN60R600P7SATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 1,145mOhm | 6A | 7W | SMD | -40°C ~ 150°C | SOT223 | Infineon Technologies | |||||||||||||
IPP032N06N3G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,2mOhm; 120A; 188W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPP032N06N3GXKSA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3,2mOhm | 120A | 188W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IPP032N06N3GXKSA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
550 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3,2mOhm | 120A | 188W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.