Tranzystory polowe (wyszukane: 5467)

1    25  26  27  28  29  30  31  32  33    183
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
HYG450P06LA1D HUAYI Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20A; 62mOhm; 37,5W; -55°C ~ 175°C; Podobny do: IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305TRPBF; IRFR5305TRRPBF; IRFR9024NPBF; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NTRRPBF;
HYG450P06LA1D RoHS || HYG450P06LA1D HUAYI TO252 (DPACK)
Producent:
HUAYI
Symbol Producenta:
HYG450P06LA1D RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
248 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 300+ 1200+
cena netto (PLN) 2,3000 1,4000 1,0700 0,9530 0,9200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 62mOhm 20A 37,5W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) HUAYI
IPA045N10N3GXKSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 7,7mOhm; 64A; 39W; -55°C ~ 175°C;
IPA045N10N3GXKSA1 RoHS || IPA045N10N3GXKSA1 TO220FP
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA045N10N3GXKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220FP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
30 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,9400 5,5300 4,7400 4,2500 4,0800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 7,7mOhm 64A 39W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
IPA057N06N3GXKSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,7mOhm; 60A; 38W; -55°C ~ 175°C;
IPA057N06N3GXKSA1 RoHS || IPA057N06N3GXKSA1 TO220FP
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA057N06N3GXKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220FP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,4800 4,9400 4,0900 3,5900 3,4100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 5,7mOhm 60A 38W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
IPA075N15N3GXKSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 7,9mOhm; 43A; 39W; -55°C ~ 175°C;
IPA075N15N3GXKSA1 RoHS || IPA075N15N3GXKSA1 || IPA075N15N3GXKSA1 TO220FP
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA075N15N3GXKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220FP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 18,7600 15,7900 14,0100 13,1200 12,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 150V 20V 7,9mOhm 43A 39W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA075N15N3GXKSA1
Obudowa dokładna:
TO220FP
 
Magazyn zewnetrzny:
500 szt.
Ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 12,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 150V 20V 7,9mOhm 43A 39W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon (IRF)
IPA083N10N5XKSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 11mOhm; 44A; 36W; -55°C ~ 175°C;
IPA083N10N5XKSA1 RoHS || IPA083N10N5XKSA1 TO220FP
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA083N10N5XKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220FP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,1400 4,6800 3,8800 3,4000 3,2300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 11mOhm 44A 36W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
IPA086N10N3GXKSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15,4mOhm; 45A; 37,5W; -55°C ~ 175°C;
IPA086N10N3GXKSA1 RoHS || IPA086N10N3GXKSA1 || IPA086N10N3GXKSA1 TO220FP
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA086N10N3GXKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220FP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
45 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,0900 3,8900 3,2200 2,8200 2,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 15,4mOhm 45A 37,5W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA086N10N3GXKSA1
Obudowa dokładna:
TO220FP
 
Magazyn zewnetrzny:
1800 szt.
Ilość szt. 500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,7010
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 100V 20V 15,4mOhm 45A 37,5W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
IPA105N15N3GXKSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 11,1mOhm; 37A; 40,5W; -55°C ~ 175°C;
IPA105N15N3GXKSA1 RoHS || IPA105N15N3GXKSA1 TO220FP
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA105N15N3GXKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220FP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 15,4700 12,7900 11,2100 10,4300 9,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 150V 20V 11,1mOhm 37A 40,5W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
IPA180N10N3GXKSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 33mOhm; 28A; 30W; -55°C ~ 175°C;
IPA180N10N3GXKSA1 RoHS || IPA180N10N3GXKSA1 TO220FP
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA180N10N3GXKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220FP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
45 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,2300 4,7600 3,9400 3,4500 3,2800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 33mOhm 28A 30W THT -55°C ~ 175°C TO220FP Infineon Technologies
IPA50R140CP Tranzystor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 320mOhm; 23A; 34W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPA50R140CPXKSA1;
IPA50R140CP RoHS || IPA50R140CP TO220iso
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA50R140CP RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
12 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 16,1100 14,3200 13,2500 12,7100 12,3900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 550V 30V 320mOhm 23A 34W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
IPA50R199CP Tranzystor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 450mOhm; 17A; 139W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPA50R199CPXKSA1;
IPA50R199CP RoHS || IPA50R199CP TO220iso
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA50R199CP RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 11,7600 10,1600 9,2200 8,6300 8,4000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 550V 30V 450mOhm 17A 139W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
IPA60R060C7XKSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 20V; 115mOhm; 16A; 34W; -55°C ~ 150°C;
IPA60R060C7XKSA1 RoHS || IPA60R060C7XKSA1 TO220FP
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA60R060C7XKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220FP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4 szt.
Ilość szt. 1+ 4+ 20+ 40+ 100+
cena netto (PLN) 26,9200 22,1100 19,4700 18,8600 18,3100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 20V 115mOhm 16A 34W THT -55°C ~ 150°C TO220FP Infineon Technologies
IPA60R190C6 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 440mOhm; 20,2A; 151W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPA60R190C6XKSA1;
IPA60R190C6 RoHS || IPA60R190C6XKSA1 || IPA60R190C6 TO220iso
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA60R190C6 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 12,7000 10,9700 9,9600 9,3100 9,0700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 30V 440mOhm 20,2A 151W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA60R190C6XKSA1
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Magazyn zewnetrzny:
138 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 9,0700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 650V 30V 440mOhm 20,2A 151W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
IPA60R280C6 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 660mOhm; 13,8A; 104W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPA60R280C6XKSA1;
IPA60R280C6 RoHS || IPA60R280C6 TO220iso
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA60R280C6 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 10,2300 8,1200 7,3400 6,9400 6,8200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 30V 660mOhm 13,8A 104W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
IPA60R280E6XKSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 660mOhm; 13,8A; 32W; -55°C ~ 150°C;
IPA60R280E6XKSA1 RoHS || IPA60R280E6XKSA1 TO220FP
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA60R280E6XKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220FP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
33 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 8,4700 6,7500 5,7800 5,1900 4,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 30V 660mOhm 13,8A 32W THT -55°C ~ 150°C TO220FP Infineon Technologies
IPA60R380P6 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 889mOhm; 10,6A; 83W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPA60R380P6XKSA1;
IPA60R380P6XKSA1 RoHS || IPA60R380P6XKSA1 || IPA60R380P6 TO220iso
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA60R380P6XKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 9,4200 7,6700 6,6600 6,1700 5,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 30V 889mOhm 10,6A 83W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA60R380P6XKSA1
Obudowa dokładna:
TO220iso
 
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt.
Ilość szt. 250+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 650V 30V 889mOhm 10,6A 83W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
IPA60R950C6XKSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 2,22Ohm; 4,4A; 26W; -55°C ~ 150°C;
IPA60R950C6XKSA1 RoHS || IPA60R950C6XKSA1 TO220FP
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA60R950C6XKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220FP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,0000 3,6700 2,9400 2,5200 2,3800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 30V 2,22Ohm 4,4A 26W THT -55°C ~ 150°C TO220FP Infineon Technologies
IPA65R225C7XKSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 478mOhm; 7A; 29W; -55°C ~ 150°C;
IPA65R225C7XKSA1 RoHS || IPA65R225C7XKSA1 TO220FP
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA65R225C7XKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220FP
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,9900 6,9100 6,1400 5,7400 5,6200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 700V 30V 478mOhm 7A 29W THT -55°C ~ 150°C TO220FP Infineon Technologies
IPA80R1K2P7 Infineon Technologies Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 2,7Ohm; 4,5A; 25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPA80R1K2P7XKSA1; IPA80R1K2P7XKSA1;
IPA80R1K2P7XKSA1 RoHS || IPA80R1K2P7 Infineon Technologies TO220iso
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPA80R1K2P7XKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
47 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,8900 4,5000 3,7200 3,2600 3,1000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 800V 30V 2,7Ohm 4,5A 25W THT -55°C ~ 150°C TO220iso Infineon Technologies
IPAN70R900P7S Tranzystor N-Channel MOSFET; 700V; 30V; 9Ohm; 600mA; 17W; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPAN70R900P7SXKSA1;
IPAN70R900P7SXKSA1 RoHS || IPAN70R900P7S TO220iso
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPAN70R900P7SXKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220iso
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 50+ 250+
cena netto (PLN) 4,1600 2,7500 2,2700 2,1100 1,9800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/250
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET 700V 10V 30V 900mOhm 6A 17W THT -40°C ~ 150°C TO220iso INFINEON
IPB072N15N3G Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 7,7mOhm; 100A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB072N15N3GATMA1; IPB072N15N3GE8187; IPB072N15N3G E8187;
IPB072N15N3G RoHS || IPB072N15N3GATMA1 || IPB072N15N3G Infineon TO263/3
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB072N15N3G RoHS
Obudowa dokładna:
TO263/3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
4 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 16,2200 13,9500 13,0600 12,5900 12,4800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 150V 20V 7,7mOhm 100A 300W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB072N15N3G RoHS
Obudowa dokładna:
TO263/3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 16,2200 13,9500 13,0600 12,5900 12,4800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 150V 20V 7,7mOhm 100A 300W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB072N15N3GATMA1
Obudowa dokładna:
TO263/3
 
Magazyn zewnetrzny:
5015 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 12,4800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 150V 20V 7,7mOhm 100A 300W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB072N15N3GATMA1
Obudowa dokładna:
TO263/3
 
Magazyn zewnetrzny:
61000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 12,4800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 150V 20V 7,7mOhm 100A 300W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
IPB090N06N3G INFINEON Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 9,3mOhm; 50A; 71W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB090N06N3GATMA1;
IPB090N06N3G RoHS || IPB090N06N3GATMA1 || IPB090N06N3G INFINEON TO263/3
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB090N06N3G RoHS
Obudowa dokładna:
TO263/3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
126 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,7300 2,3600 1,8600 1,7000 1,6200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 9,3mOhm 50A 71W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB090N06N3GATMA1
Obudowa dokładna:
TO263/3
 
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 9,3mOhm 50A 71W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB090N06N3GATMA1
Obudowa dokładna:
TO263/3
 
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 9,3mOhm 50A 71W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
IPB107N20N3G INFINEON Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 11mOhm; 88A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPB107N20N3GATMA1;
IPB107N20N3G RoHS || IPB107N20N3GATMA1 || IPB107N20N3G INFINEON TO263/3
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB107N20N3G RoHS
Obudowa dokładna:
TO263/3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
cena netto (PLN) 18,5600 15,9600 14,9500 14,4000 14,2800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 200V 20V 11mOhm 88A 300W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB107N20N3GATMA1
Obudowa dokładna:
TO263/3
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 14,2800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 200V 20V 11mOhm 88A 300W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPB107N20N3GATMA1
Obudowa dokładna:
TO263/3
 
Magazyn zewnetrzny:
26000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 14,2800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 200V 20V 11mOhm 88A 300W SMD -55°C ~ 175°C TO263/3 Infineon Technologies
IPD090N03LG Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13,5mOhm; 40A; 42W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD090N03LGATMA1;
IPD090N03LG RoHS || IPD090N03LGATMA1 || IPD090N03LG Infineon TO252/3 (DPAK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD090N03LG RoHS
Obudowa dokładna:
TO252/3 (DPAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,8800 1,1400 0,8740 0,7880 0,7500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 13,5mOhm 40A 42W SMD -55°C ~ 175°C TO252/3 (DPAK) Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD090N03LGATMA1
Obudowa dokładna:
TO252/3 (DPAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
7564 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 20V 13,5mOhm 40A 42W SMD -55°C ~ 175°C TO252/3 (DPAK) Infineon Technologies
IPD100N06S403ATMA2 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 100A; 150W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD100N06S4-03; IPD100N06S403ATMA2; IPD100N06S403ATMA1;
IPD100N06S403ATMA2 RoHS || IPD100N06S403ATMA2 DPAK
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD100N06S403ATMA2 RoHS
Obudowa dokładna:
DPAK t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
8 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 17,8800 15,0500 13,3500 12,5100 12,0000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET 60V 20V 10V 3,5mOhm 100A 150W SMD -55°C ~ 175°C TO-252-3 INFINEON
IDP78CN10NG TO252-3 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 80mOhm; 13A; 31W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD78CN10NGATMA1;
IPD78CN10NGATMA1 RoHS || IPD78CN10NGATMA1 || IDP78CN10NG TO252-3 TO252/3 (DPAK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD78CN10NGATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252/3 (DPAK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
55 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,7400 1,7200 1,4300 1,2700 1,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 80mOhm 13A 31W SMD -55°C ~ 175°C TO252/3 (DPAK) Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD78CN10NGATMA1
Obudowa dokładna:
TO252/3 (DPAK)
 
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,1900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 100V 20V 80mOhm 13A 31W SMD -55°C ~ 175°C TO252/3 (DPAK) Infineon Technologies
IPD90P04P4L-04 Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 16V; 6,6mOhm; 90A; 125W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD90P04P4L04ATMA1;
IPD90P04P4L-04 RoHS || IPD90P04P4L-04 TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPD90P04P4L-04 RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,6100 6,8400 6,1800 5,8500 5,7400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 40V 16V 6,6mOhm 90A 125W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon Technologies
IPI80N06S407AKSA2 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 7,4mOhm; 80A; 79W; -55°C ~ 175°C;
IPI80N06S407AKSA2 RoHS || IPI80N06S407AKSA2 TO262
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPI80N06S407AKSA2 RoHS
Obudowa dokładna:
TO262
karta katalogowa
Stan magazynowy:
56 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,7600 4,0300 3,2300 3,1300 3,0300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 7,4mOhm 80A 79W THT -55°C ~ 175°C TO262 Infineon Technologies
IPN60R360PFD7S Tranzystor N-MOSFET; 650V; 20V; 705mOhm; 10A; 7W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPN60R360PFD7SATMA1;
IPN60R360PFD7SATMA1 RoHS || IPN60R360PFD7SATMA1 || IPN60R360PFD7S SOT223
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPN60R360PFD7SATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
0 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,3100 2,8600 2,3700 2,1400 2,0500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 20V 705mOhm 10A 7W SMD -40°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPN60R360PFD7SATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 47+ 188+
cena netto (PLN) 4,3100 3,1600 2,5300 2,1800 2,0500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
47
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 20V 705mOhm 10A 7W SMD -40°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPN60R360PFD7SATMA1
Obudowa dokładna:
SOT223
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,0500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 650V 20V 705mOhm 10A 7W SMD -40°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
IPN60R600P7S Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1,145Ohm; 6A; 7W; -40°C ~ 150°C; Odpowiednik: IPN60R600P7SATMA1;
IPN60R600P7SATMA1 RoHS || IPN60R600P7S SOT223
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPN60R600P7SATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,8300 3,2100 2,6600 2,4000 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 650V 30V 1,145mOhm 6A 7W SMD -40°C ~ 150°C SOT223 Infineon Technologies
IPP032N06N3G Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,2mOhm; 120A; 188W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPP032N06N3GXKSA1;
IPP032N06N3GXKSA1 RoHS || IPP032N06N3GXKSA1 || IPP032N06N3G TO220
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPP032N06N3GXKSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TO220
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 6,2700 4,3900 3,5100 3,4100 3,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 3,2mOhm 120A 188W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IPP032N06N3GXKSA1
Obudowa dokładna:
TO220
 
Magazyn zewnetrzny:
550 szt.
Ilość szt. 200+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 3,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 3,2mOhm 120A 188W THT -55°C ~ 175°C TO220 Infineon Technologies
1    25  26  27  28  29  30  31  32  33    183

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.