Tranzystory polowe (wyszukane: 5467)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF3710S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710SPBF; IRF3710STRLPBF; IRF3710SPBF-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3710STRLPBF RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) |
Stan magazynowy:
394 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 23mOhm | 57A | 200W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3710STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 23mOhm | 57A | 200W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
IRF3710Z
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710ZPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3710ZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2974 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 18mOhm | 59A | 160W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3710ZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
940 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 18mOhm | 59A | 160W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 18mOhm | 59A | 160W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
IRF3710ZSTRLPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3710ZSTRLPBF; IRF3710ZSPBF; IRF3710ZSTRRPBF; IRF3710ZSPBF-GURT; IRF3710ZSTRLPBF; IRF3710ZSTRLPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3710ZSTR RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) |
Stan magazynowy:
795 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 18mOhm | 59A | 160W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3710ZSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
65600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 18mOhm | 59A | 160W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3710ZSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
9600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 18mOhm | 59A | 160W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3710ZSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1050 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 18mOhm | 59A | 160W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
IRF3711PBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 9,5mOhm; 100A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3711PBF; SP001561720;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 9,5mOhm | 100A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | MOSLEADER | |||||||||||||
IRF3711S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 8,5mOhm; 110A; 120W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 20V | 8,5mOhm | 110A | 120W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
IRF3805
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 3,3mOhm; 220A; 330W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF3805PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 3,3mOhm | 220A | 330W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
IRF3805SPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C~175°C; IRF3805STRLPBF; IRF3805S-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5mOhm | 270mA | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | VBsemi | |||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5mOhm | 270mA | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | VBsemi | |||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 40 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5mOhm | 270mA | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | VBsemi | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF3805STRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
1600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5mOhm | 270mA | 375W | SMD | -55°C ~ 175°C | D2PAK | VBsemi | |||||||||||||
IRF4104S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 5,5mOhm; 120A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF4104SPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 5,5mOhm | 120A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4104SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
950 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 5,5mOhm | 120A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4104SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 5,5mOhm | 120A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon Technologies | |||||||||||||
IRF4905
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 74A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF4905PBF; IRF 4905 PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4905 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
4852 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 20mOhm | 74A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4905PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
82750 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 20mOhm | 74A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4905PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
36744 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 20mOhm | 74A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4905PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
6515 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 20mOhm | 74A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF4905PBF JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 80A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF4905PBF; SP001571330;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 20mOhm | 80A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | JSMICRO | |||||||||||||
IRF4905 UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF4905PBF; SP001571330;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
77 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 20mOhm | 70A | 170W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | UMW | |||||||||||||
IRF4905LPBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 20mOhm | 70A | 170W | THT | -55°C ~ 150°C | TO262 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4905LPBF Obudowa dokładna: TO262 |
Magazyn zewnetrzny:
493 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 20mOhm | 70A | 170W | THT | -55°C ~ 150°C | TO262 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4905LPBF Obudowa dokładna: TO262 |
Magazyn zewnetrzny:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 20mOhm | 70A | 170W | THT | -55°C ~ 150°C | TO262 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF4905STRLPBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF4905STRLPBF; IRF4905SPBF-GURT; IRF4905STRRPBF; IRF4905S smd;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4905STRLPBF RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) |
Stan magazynowy:
2400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 20mOhm | 70A | 170W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4905STRLPBF RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800/4000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 20mOhm | 70A | 170W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4905STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
52000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 20mOhm | 70A | 170W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF4905STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
6300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 20mOhm | 70A | 170W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF4905STRLPBF JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 65A; 280W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF4905SPBF; IRF4905STRLPBF; IRF4905STRRPBF; SP001563360; SP001559632; SP001576684;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
32 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 20mOhm | 65A | 280W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | JSMICRO | |||||||||||||
IRF4905STRL UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 70A; 170W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF4905SPBF; IRF4905STRLPBF; IRF4905STRRPBF; SP001563360; SP001559632; SP001576684;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 20mOhm | 70A | 170W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | UMW | |||||||||||||
IRF510PBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 540mOhm; 5,6A; 43W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF510PBF; IRF510;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF510 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
164 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 540mOhm | 5,6A | 43W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF510PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 540mOhm | 5,6A | 43W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF510PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
824 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 540mOhm | 5,6A | 43W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRF510PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 540mOhm | 5,6A | 43W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRF510PBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 500mOhm; 7,7A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF510PBF; IRF510PBF-BE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 500mOhm | 7,7A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | MOSLEADER | |||||||||||||
IRF510S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 540mOhm; 5,6A; 43W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF510STRLPBF; IRF510SPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF510S RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 540mOhm | 5,6A | 43W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF510STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 540mOhm | 5,6A | 43W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF510SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1767 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 540mOhm | 5,6A | 43W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
IRF520
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 9,2A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF520PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF520 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
1150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 270mOhm | 9,2A | 60W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF520PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1858 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 270mOhm | 9,2A | 60W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF520PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
780 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 270mOhm | 9,2A | 60W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRF520PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 270mOhm | 9,2A | 60W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRF520PBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 10A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF520PBF; IRF520PBF-BE3; IRF520NPBF; SP001571310;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 200mOhm | 10A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | MOSLEADER | |||||||||||||
IRF520N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 9,7A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF520NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF520N RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
130 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/750 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 200mOhm | 9,7A | 48W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF520NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
34632 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 200mOhm | 9,7A | 48W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF520NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1410 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 200mOhm | 9,7A | 48W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF5210PBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5210PBF; IRF5210;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/450 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 60mOhm | 40A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5210PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 60mOhm | 40A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5210PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
20865 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 60mOhm | 40A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5210PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3060 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 60mOhm | 40A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF5210PBF JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF5210PBF; SP001559642;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 55mOhm | 40A | 200W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | JSMICRO | |||||||||||||
IRF5210STRLPBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 38A; 170W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF5210STRLPBF; IRF5210SPBF; IRF5210STRRPBF; IRF5210SPBF-GURT; IRF5210S SMD;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5210STRLPBF RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 60mOhm | 38A | 170W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5210STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
84800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 60mOhm | 38A | 170W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5210STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
25600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 60mOhm | 38A | 170W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5210STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
6140 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 60mOhm | 38A | 170W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Stan magazynowy:
330 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 60mOhm | 38A | 170W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-07-31
Ilość szt.: 800
|
|||||||||||||||||||||||
IRF530NS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF530NSPBF; IRF530NSPBF-GURT; IRF530NSTRLPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 90mOhm | 17A | 70W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF530NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
67200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 90mOhm | 17A | 70W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF530NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
10400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 90mOhm | 17A | 70W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF530NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1550 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 90mOhm | 17A | 70W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
IRF530S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 160mOhm; 14A; 88W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF530SPBF; IRF530STRLPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF530S RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
190 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 160mOhm | 14A | 88W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF530SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 160mOhm | 14A | 88W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF530SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1202 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 160mOhm | 14A | 88W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
IRF5305PBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305PBF; IRF5305TRLPBF; IRF5305TRPBF; IRF5305LPBF; IRF5305;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRF5305 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
1246 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 60mOhm | 31A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5305PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
121934 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 60mOhm | 31A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5305PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
40911 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 60mOhm | 31A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5305PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3880 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 60mOhm | 31A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF5305PBF UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305PBF; SP001564354;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 60mOhm | 31A | 110W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | UMW | |||||||||||||
IRF5305STRLPBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF5305SPBF; IRF5305STRLPBF; IRF5305STRRPBF; IRF5305SPBF-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5305STRL RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 80 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 60mOhm | 31A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5305STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
91800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 60mOhm | 31A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5305STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
3200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 60mOhm | 31A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF5305STRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
910 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 60mOhm | 31A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF530N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 17A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF530NPBF; IRF 530 N PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF530N RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 110mOhm | 17A | 79W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF530NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
483 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 110mOhm | 17A | 79W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.