Tranzystory polowe (wyszukane: 5467)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7389TR UMW
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm/98mOhm; 7,3A/5,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7389PBF; IRF7389TRPBF; SP001574944; SP001554234;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 98mOhm | 7,3A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
IRF740PBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF740PBF; IRF740;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF740PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 400V | 20V | 550mOhm | 10A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF740PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3460 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 400V | 20V | 550mOhm | 10A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF740PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
13477 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 400V | 20V | 550mOhm | 10A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRF740PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 400V | 20V | 550mOhm | 10A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-30
Ilość szt.: 1000
|
|||||||||||||||||||||||
IRF740A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF740APBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF740AP RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 400V | 30V | 550mOhm | 10A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF740APBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
775 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 400V | 30V | 550mOhm | 10A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF740APBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 400V | 30V | 550mOhm | 10A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
740 DONGHAI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 550mOhm; 10A; 100W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF740PBF; IRF740PBF-BE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 400V | 30V | 550mOhm | 10A | 100W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Donghai | |||||||||||||
IRF740 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF740PBF; IRF740PBF-BE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 420V | 30V | 500mOhm | 11A | 87W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | HXY MOSFET | |||||||||||||
IRFI740G
Tranzystor N-MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 5,4A; 40W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFI740GPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFI740G RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
29 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 400V | 20V | 550mOhm | 5,4A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFI740GPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
4100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 400V | 20V | 550mOhm | 5,4A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFI740GPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 400V | 20V | 550mOhm | 5,4A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFI740GPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 400V | 20V | 550mOhm | 5,4A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | VISHAY | |||||||||||||
IRF740LC
Tranzystor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRF740LCPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF740LCPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 400V | 30V | 550mOhm | 10A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Siliconix | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF740LCPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1697 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 400V | 30V | 550mOhm | 10A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Siliconix | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF740LCPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
11600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 400V | 30V | 550mOhm | 10A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Siliconix | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRF740LCPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
750 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 400V | 30V | 550mOhm | 10A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Siliconix | |||||||||||||
IRF740PBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 420mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF740PBF; IRF740PBF-BE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 400V | 30V | 420mOhm | 10A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | MOSLEADER | |||||||||||||
IRF7401
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7401PBF (95/Tube); IRF7401TRPBF(4000/Tape&Reel); IRF7401PBF-GURT; IRF7401TRPBF-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 30mOhm | 8,7A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: IRF7401TRPBF-VB RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 30mOhm | 8,7A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 30mOhm | 8,7A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 30mOhm | 8,7A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 950 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 30mOhm | 8,7A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
IRF7401TR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: YFW4406AS; IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308; IRF7401TRPBF-VB; IRF7401TR(UMW); IRF7401TRPBF-JSM;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW4406AS RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
180 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 180 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 30mOhm | 8,7A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW4406AS RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 30mOhm | 8,7A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
IRF7401TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 8,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7401PBF; IRF7401TRPBF; SP001566310; SP001551308;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 30mOhm | 8,7A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
IRF7403 smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 8,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7403TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 8,5A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
IRF7404 smd
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 60mOhm; 6,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; LTB:31-JULY-2024; Odpowiednik: IRFR7404TRPBF; IRF7404PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
220 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 60mOhm | 6,7A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7404TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 60mOhm | 6,7A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7404TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 60mOhm | 6,7A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
IRF7406TRPBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; OBSOLETE; Odpowiednik: IRF7406PBF; IRF7406TRPBF; IRF9335PBF; IRF7406PBF-GURT; IRF7406 SMD;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7406TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
170 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 1835 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 70mOhm | 5,8A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
IRF7406
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7406TR; IRF7406PBF; IRF7406TRPBF; IRF9335PBF; IRF7406PBF-GURT; CJQ4459A/SOP8; IRF7406TR(UMW); IRF7406PBF-HXY;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
YFW Symbol Producenta: YFW9435AS RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
490 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 70mOhm | 5,8A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | YFW | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-24
Ilość szt.: 1000
|
|||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-28
Ilość szt.: 1000
|
|||||||||||||||||||||||
IRF7406PBF HXY MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C Odpowiednik: IRF7406PBF; IRF7406TRPBF; IRF7406GTRPBF; SP001551328; SP001554244; SP001563604;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 36mOhm | 9A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | HXY MOSFET | |||||||||||||
IRF7406TRPBF JGSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 80mOhm; 5,5A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRF7406PBF; IRF7406TRPBF; IRF7406GTRPBF; SP001551328; SP001554244; SP001563604;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 80mOhm | 5,5A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 125°C | SOP08 | JGSEMI | |||||||||||||
IRF7406TR UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7406PBF; IRF7406TRPBF; IRF7406GTRPBF; SP001551328; SP001554244; SP001563604;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 70mOhm | 5,8A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 70mOhm | 5,8A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
IRF740S
Tranzystor N-MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF740STRPBF; IRF740STRLPBF; IRF740STRRPBF; IRF740SPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF740S RoHS Obudowa dokładna: D2PAK |
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 400V | 20V | 550mOhm | 10A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | D2PAK | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF740SPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 400V | 20V | 550mOhm | 10A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | D2PAK | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF740SPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
725 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 400V | 20V | 550mOhm | 10A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | D2PAK | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF740STRLPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 400V | 20V | 550mOhm | 10A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | D2PAK | VISHAY | |||||||||||||
IRF7410 smd
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 13mOhm; 16A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7410TRPBF; IRF7410PBF; IRF7410PBF-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7410TR RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
3896 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 13mOhm | 16A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7410TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 12V | 8V | 13mOhm | 16A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7410TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
4200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 12V | 8V | 13mOhm | 16A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF7410TR JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13mOhm; 14A; 3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7410PBF; IRF7410GTRPBF; IRF7410TRPBF; SP001555300; SP001565508; SP001559852;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 13mOhm | 14A | 3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | JSMICRO | |||||||||||||
IRF7413
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7413PBF; IRF7413TRPBF; IRF7413GTRPBF; SP001559860; SP001570386; SP001574926;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
190 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 18mOhm | 13A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF7413TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 26mOhm; 8,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7413PBF; IRF7413TRPBF; IRF7413GTRPBF; SP001559860; SP001570386; SP001574926;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 26mOhm | 8,5A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | HXY MOSFET | |||||||||||||
IRF7413TRPBF JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 15A; 3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7413PBF; IRF7413TRPBF; IRF7413GTRPBF; SP001559860; SP001570386; SP001574926;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 18mOhm | 15A | 3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | JSMICRO | |||||||||||||
IRF7413TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 17mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7413PBF; IRF7413TRPBF; IRF7413GTRPBF; SP001559860; SP001570386; SP001574926;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
76 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 17mOhm | 13A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 17mOhm | 13A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
IRF7413Z
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7413ZTRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 13mOhm | 13A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7413ZTRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 13mOhm | 13A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7413ZTRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2650 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 13mOhm | 13A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF7416 smd
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7416PBF; IRF7416TRPBF; IRF7416PBF-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7416TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
4203 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 10A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7416TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
32000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 10A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7416TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 10A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7416TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
8300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 10A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF7416 HXY MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7416PBF; IRF7416TRPBF; SP001554262; SP001565470;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 36mOhm | 9A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | HXY MOSFET | |||||||||||||
IRF7416TRPBF JGSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 9A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRF7416PBF; IRF7416TRPBF; SP001554262; SP001565470;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 32mOhm | 9A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 125°C | SOP08 | JGSEMI | |||||||||||||
IRF7416TR UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7416PBF; IRF7416TRPBF; SP001554262; SP001565470;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
70 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 10A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.