Tranzystory polowe (wyszukane: 5467)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF9540 SLKOR
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 110mOhm; 20A; 58W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9540PBF; IRF9540NPBF; SP001560174;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 110mOhm | 20A | 58W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | SLKOR | |||||||||||||
IRF9540NLPBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 117mOhm; 23A; 110W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 110W | THT | -55°C ~ 150°C | TO262 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9540NLPBF Obudowa dokładna: TO262 |
Magazyn zewnetrzny:
4863 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 110W | THT | -55°C ~ 150°C | TO262 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF9540NSTRLPBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 117mOhm; 23A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9540NSPBF; IRF9540NSTRLPBF; IRF9540NSTRRPBF; IRF9540NSPBF-GURT; IRF9540NSTRR; IRF9540NS;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9540NSTRLPBF RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) |
Stan magazynowy:
195 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9540NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
29600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9540NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
15200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9540NSTRRPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF9620
Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 1,5Ohm; 3,5A; 40W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9620PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF9620 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 200V | 20V | 1,5Ohm | 3,5A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9620PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 200V | 20V | 1,5Ohm | 3,5A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9620PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 200V | 20V | 1,5Ohm | 3,5A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRF9630SPBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 6,5A; 74W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9630SPBF; IRF9630STRLPBF; IRF9630STRRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF9630S RoHS Obudowa dokładna: D2PAK |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 6,5A | 74W | SMD | -55°C ~ 150°C | D2PAK | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9630SPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
450 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 6,5A | 74W | SMD | -55°C ~ 150°C | D2PAK | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9630SPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
950 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 6,5A | 74W | SMD | -55°C ~ 150°C | D2PAK | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRF9630SPBF Obudowa dokładna: D2PAK |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 6,5A | 74W | SMD | -55°C ~ 150°C | D2PAK | VISHAY | |||||||||||||
IRF9640PBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 500mOhm; 11A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9640PBF; IRF9640;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF9640 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 200V | 20V | 500mOhm | 11A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRF9640 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
350 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/350 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 200V | 20V | 500mOhm | 11A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRF9640PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 200V | 20V | 500mOhm | 11A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9640PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1075 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 200V | 20V | 500mOhm | 11A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRF9640S
Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 500mOhm; 11A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9640SPBF; IRF9640STRLPBF; IRF9640STRRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF9640S RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 200V | 20V | 500mOhm | 11A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9640SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
650 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 200V | 20V | 500mOhm | 11A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRF9640SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 200V | 20V | 500mOhm | 11A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
IRF9910
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 20V; 18,3mOhm/11,3mOhm; 10A/12A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9910PBF; IRF9910TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 20V | 18,3mOhm | 12A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF9910TRPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 4,3Ohm; 10A; 2,7W; -55°C~150°C; IRF9910TRPBF-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 1,3Ohm | 10A | 2,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VBS | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-30
Ilość szt.: 100
|
|||||||||||||||||||||||
IRF9953
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 30V | 20V | 400mOhm | 2,3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF9956 smd
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 3,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9956TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 200mOhm | 3,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF9956TR UMW
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 3,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9956PBF; IRF9956TRPBF; SP001565670; SP001565688;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 200mOhm | 3,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
IRF9Z24PBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 11A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z24;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF9Z24 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 280mOhm | 11A | 60W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9Z24PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
750 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 280mOhm | 11A | 60W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRF9Z24PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 280mOhm | 11A | 60W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRF9Z24NPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 85mOhm; 20A; 90W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9Z24PBF; IRF9Z24PBF-BE3; IRF9Z24NPBF; SP001555934;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 85mOhm | 20A | 90W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | MOSLEADER | |||||||||||||
IRF9Z24NS
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 175mOhm; 12A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z24NSPBF; IRF9Z24NSTRLPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 175mOhm | 12A | 45W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | International Rectifier | |||||||||||||
IRF9Z34
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 140mOhm; 18A; 88W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z34PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF9Z34 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
180 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 140mOhm | 18A | 88W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRF9Z34N
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 100mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z34NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
277 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/400 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 100mOhm | 19A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 100mOhm | 19A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9Z34NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1665 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 100mOhm | 19A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9Z34NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2740 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 100mOhm | 19A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9Z34NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2416 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 100mOhm | 19A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
IRF9Z34NPBF JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 20W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9Z34PBF; IRF9Z34NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
93 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 102mOhm | 20A | 20W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | JSMICRO | |||||||||||||
IRF9Z34N UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 102mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z34PBF; IRF9Z34NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 100mOhm | 19A | 68W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
IRF9Z34NSTRLPBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 100mOhm; 19A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9Z34NS; IRF9Z34NSPBF; IRF9Z34NSTRRPBF; IRF9Z34NSTRLPBF; IRF9Z34NSPBF-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9Z34NSTR RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
350 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 100mOhm | 19A | 68W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9Z34NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1510 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 100mOhm | 19A | 68W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9Z34NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
8800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 100mOhm | 19A | 68W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFB11N50A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 11A; 170W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFB11N50APBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 520mOhm | 11A | 170W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFB11N50APBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 520mOhm | 11A | 170W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFB11N50APBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 30V | 520mOhm | 11A | 170W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFB11N50APBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
935 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 30V | 520mOhm | 11A | 170W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFB11N50APBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 30V | 520mOhm | 11A | 170W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRFB260NPBF Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 40mOhm | 56A | 380W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB260NPBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
880 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 40mOhm | 56A | 380W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB260NPBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
4467 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 40mOhm | 56A | 380W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Infineon Technologies | |||||||||||||
IRFB3006
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,5mOhm; 270A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3006PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
42 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5mOhm | 270A | 375W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3006PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
890 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5mOhm | 270A | 375W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3006GPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
935 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5mOhm | 270A | 375W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3006PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,5mOhm | 270A | 375W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFB3077PBF TO220AB
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 210A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3077PBF; IRFB3077PBFXKMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
14 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 75V | 20V | 3,3mOhm | 210A | 370W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3077PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
152698 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 3,3mOhm | 210A | 370W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3077PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
5421 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 3,3mOhm | 210A | 370W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFB3207Z
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,1mOhm; 170A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3207ZPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 75V | 20V | 4,1mOhm | 170A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3207ZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1566 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 4,1mOhm | 170A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3207ZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
180 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 4,1mOhm | 170A | 300W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
IRFB3306
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 4,2mOhm; 160A; 230W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3306PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/800 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4,2mOhm | 160A | 230W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4,2mOhm | 160A | 230W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3306PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2767 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4,2mOhm | 160A | 230W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3306PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 4,2mOhm | 160A | 230W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFB3607
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 80A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3607PBF; SP001551746;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3607 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
670 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 75V | 20V | 9mOhm | 80A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3607PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
5731 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 9mOhm | 80A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3607PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2590 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 9mOhm | 80A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFB3806
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15,8mOhm; 43A; 71W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3806PBF; IRFZ48PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 15,8mOhm | 43A | 71W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3806PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
5040 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 15,8mOhm | 43A | 71W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3806PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
440 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 15,8mOhm | 43A | 71W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFB4020
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 100mOhm; 18A; 100W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4020PBF; IRFB4020PBFXKMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
92 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 100mOhm | 18A | 100W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4020PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
9063 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 100mOhm | 18A | 100W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4020PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
630 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 100mOhm | 18A | 100W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFB4115
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 11mOhm; 104A; 380W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4115PBF; SP001565902;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4115 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 11mOhm | 104A | 380W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4115PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
4545 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 11mOhm | 104A | 380W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4115PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
940 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 11mOhm | 104A | 380W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.