Tranzystory polowe (wyszukane: 5467)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFI620GPBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 4,1A; 30W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 4,1A | 30W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFI630GPBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 5,9A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 400mOhm | 5,9A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFI640GPBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 180mOhm; 9,8A; 40W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 180mOhm | 9,8A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFI640GPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 180mOhm | 9,8A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFI640GPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
660 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 180mOhm | 9,8A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFI640GPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 180mOhm | 9,8A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFI644GPBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 250V; 20V; 280mOhm; 7,9A; 40W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 250V | 20V | 280mOhm | 7,9A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFI644GPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
320 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 20V | 280mOhm | 7,9A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFI730GPBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 400V; 20V; 1Ohm; 3,7A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 400V | 20V | 1Ohm | 3,7A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFI830GPBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 20V; 1,5Ohm; 3,1A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFI830GPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220FP |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 20V | 1,5Ohm | 3,1A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFI840
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 20V; 850mOhm; 4,6A; 40W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFI840GPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFI840G RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
85 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 20V | 850mOhm | 4,6A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFI840GPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
11750 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 20V | 850mOhm | 4,6A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFI840GPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
590 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 20V | 850mOhm | 4,6A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFI840GLCPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
495 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 20V | 850mOhm | 4,6A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | VISHAY | |||||||||||||
IRFI840GLCPBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 30V; 850mOhm; 4,5A; 40W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFI840GLCPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220FP |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 850mOhm | 4,5A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFI9520GPBF Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 5,2A; 37W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 600mOhm | 5,2A | 37W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFI9520GPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 600mOhm | 5,2A | 37W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFI9530G
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 7,7A; 42W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFI9530GPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 300mOhm | 7,7A | 42W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFI9530GPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
4400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 300mOhm | 7,7A | 42W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFI9530GPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
1904 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 300mOhm | 7,7A | 42W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFI9530GPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
650 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 300mOhm | 7,7A | 42W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | VISHAY | |||||||||||||
IRFI9540GPBF
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 11A; 48W; -55°C ~ 175°C; IRFI9540G; IRFI9540GPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFI9540GPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
180 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 200mOhm | 11A | 48W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFI9540GPBF Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
785 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 200mOhm | 11A | 48W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220iso | VISHAY | |||||||||||||
IRFI9630GPBF VISHAY
Tranzystor P-MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 4,3A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 4,3A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | International Rectifier | |||||||||||||
IRFI9634GPBF Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 250V; 20V; 1Ohm; 4,1A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
43 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 250V | 20V | 1Ohm | 4,1A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFI9634GPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 250V | 20V | 1Ohm | 4,1A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFI9634GPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 250V | 20V | 1Ohm | 4,1A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFI9640GPBF Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 200V; 20V; 500mOhm; 6,1A; 40W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 200V | 20V | 500mOhm | 6,1A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFI9Z34GPBF Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 140mOhm; 12A; 42W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFI9Z34G RoHS Obudowa dokładna: TO220FP |
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 140mOhm | 12A | 42W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFI9Z34GPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
450 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 140mOhm | 12A | 42W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFIB41N15DPBF Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 150V; 30V; 45mOhm; 41A; 200W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 30V | 45mOhm | 41A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFIB6N60APBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 5,5A; 60W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 750mOhm | 5,5A | 60W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFIB7N50APBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 6,6A; 60W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 520mOhm | 6,6A | 60W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFIBC20GPBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 20V; 4,4Ohm; 1,7A; 30W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 20V | 4,4Ohm | 1,7A | 30W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFIBC30GPBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 20V; 2,2Ohm; 2,5A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
44 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 20V | 2,2Ohm | 2,5A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFIBC40GPBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 600V; 20V; 1,2Ohm; 3,5A; 40W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 20V | 1,2Ohm | 3,5A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFIBC40GPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
472 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 1,2Ohm | 3,5A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFIBE30GPBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 2,1A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 800V | 20V | 3Ohm | 2,1A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFIBE30GPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 3Ohm | 2,1A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFIBE30GPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
932 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 3Ohm | 2,1A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFIBE30GPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
1400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 3Ohm | 2,1A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFIBF30GPBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 20V; 3,7Ohm; 1,9A; 35W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 900V | 20V | 3,7Ohm | 1,9A | 35W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFIZ24NPBF Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 70mOhm; 14A; 29W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 70mOhm | 14A | 29W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFIZ24NPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
190 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 70mOhm | 14A | 29W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFIZ34GPBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 20A; 42W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFIZ34EPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFIZ34G RoHS Obudowa dokładna: TO220FP |
Stan magazynowy:
23 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 50mOhm | 20A | 42W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFIZ34GPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 50mOhm | 20A | 42W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFIZ34NPBF Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 40mOhm; 21A; 37W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRFIZ34NPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220FP |
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 40mOhm | 21A | 37W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | International Rectifier | |||||||||||||
IRFIZ46NPBF Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 20mOhm; 33A; 45W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 20mOhm | 33A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFIZ48GPBF Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 18mOhm; 37A; 50W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFIZ48GPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220FP |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 18mOhm | 37A | 50W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFIZ48GPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
6650 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 18mOhm | 37A | 50W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFIZ48GPBF Obudowa dokładna: TO220FP |
Magazyn zewnetrzny:
1490 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 18mOhm | 37A | 50W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220FP | VISHAY | |||||||||||||
IRFL014
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 2,7A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL014PBF; IRFL014TRPBF; IRFL014TRPBF-BE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFL014TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 200mOhm | 2,7A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFL014TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 200mOhm | 2,7A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFL014TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
4550 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 200mOhm | 2,7A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFL014TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
7500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 200mOhm | 2,7A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | VISHAY | |||||||||||||
IRFL014N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 160mOhm; 2,7A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL014NPBF; IRFL014NTRPBF; SP001570856; SP001554878;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
180 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 160mOhm | 2,7A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFL014NTRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
40000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 160mOhm | 2,7A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFL014NTRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
5150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 160mOhm | 2,7A | 2,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | International Rectifier |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.