Tranzystory polowe (wyszukane: 5467)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFR320 smd
Tranzystor N-MOSFET; 400V; 20V; 1,8Ohm; 3,1A; 42W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR320TRPBF; IRFR320PBF; IRFR320TRLPBF; IRFR320TRRPBF; IRFR320PBF-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFR320 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Stan magazynowy:
120 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 400V | 20V | 1,8Ohm | 3,1A | 42W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFR320TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
11999 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 400V | 20V | 1,8Ohm | 3,1A | 42W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFR320PBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
11957 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 400V | 20V | 1,8Ohm | 3,1A | 42W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFR320TRLPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 400V | 20V | 1,8Ohm | 3,1A | 42W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | VISHAY | |||||||||||||
IRFR3303
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 31mOhm; 33A; 57W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
57 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 31mOhm | 33A | 57W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFR3410TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 39mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR3410TRPBF; IRFR3410PBF; IRFR3410PBF-GURT; IRFR3410TRLPBF; IRFR3410TR-VB; IRFR3410TRLPBF; IRFR3410TRPBF-VB; IRFR3410;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 39mOhm | 31A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR3410TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 39mOhm | 31A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR3410TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
1100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 39mOhm | 31A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFR3411TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 30A; 42W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR3411PBF; IRFR3411TRPBF; SP001560590; SP001564934;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 55mOhm | 30A | 42W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | HXY MOSFET | |||||||||||||
IRFR3504ZTRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 50A; 54W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRFR3504ZPBF; IRFR3504ZTRLPBF; IRFR3504ZTRPBF; IRFR3504ZTRRPBF; SP001555064; SP001552130; SP001556956;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 12mOhm | 50A | 54W | SMD | -55°C ~ 125°C | TO252 (DPACK) | JGSEMI | |||||||||||||
IRFR3504ZTRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 15mOhm; 80A; 44,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR3504ZPBF; IRFR3504ZTRLPBF; IRFR3504ZTRPBF; IRFR3504ZTRRPBF; SP001555064; SP001552130; SP001556956;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 15mOhm | 80A | 44,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | MOSLEADER | |||||||||||||
IRFR3607TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 80A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR3607TRPBF; IRFR3607PBF-GURT; IRFR3607PBF; CJU60SN08/TO-252-2L; IRFR3607TRPBF-ML; IRFR3607TRPBF-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 75V | 20V | 9mOhm | 80A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR3607TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
688000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 9mOhm | 80A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR3607TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
14000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 9mOhm | 80A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR3607TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
1550 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 9mOhm | 80A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFR3607TRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 9mOhm; 60A; 56W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR3607PBF; IRFR3607TRPBF; SP001571628; SP001567010;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 75V | 20V | 9mOhm | 60A | 56W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | MOSLEADER | |||||||||||||
IRFR3707ZTRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13mOhm; 55A; 40W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRFR3707ZPBF; IRFR3707ZTRLPBF; IRFR3707ZTRPBF; IRFR3707ZTRRPBF; SP001567546; SP001578160; SP001564908;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 13mOhm | 55A | 40W | SMD | -55°C ~ 125°C | TO252 (DPACK) | JGSEMI | |||||||||||||
IRFR3707ZTRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 14mOhm; 60A; 41W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR3707ZPBF; IRFR3707ZTRLPBF; IRFR3707ZTRPBF; IRFR3707ZTRRPBF; SP001567546; SP001578160; SP001564908;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 14mOhm | 60A | 41W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | MOSLEADER | |||||||||||||
IRFR3707ZTR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 12,5mOhm; 56A; 50W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR3707ZPBF; IRFR3707ZTRLPBF; IRFR3707ZTRPBF; IRFR3707ZTRRPBF; SP001567546; SP001578160; SP001564908;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 12,5mOhm | 56A | 50W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | UMW | |||||||||||||
IRFR3709Z
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5mOhm; 90A; 181W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRFR3709ZTRRPBF; IRFR3709ZTRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 5mOhm | 90A | 181W | THT | -55°C ~ 175°C | TO252 | TECH PUBLIC | ||||||||||||
IRFR3710ZPBF Infineon
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 56A; 140W; -55°C~175°C; Odpowiednik: IRFR3710ZTRPBF; IRFR3710ZTRLPBF; IRFR3710ZPBF-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRFR3710ZTRPBF RoHS Obudowa dokładna: DPAK t/r |
Stan magazynowy:
180 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 18mOhm | 56A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR3710ZTRPBF Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
1632000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 18mOhm | 56A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR3710ZTRPBF Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 18mOhm | 56A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR3710ZTRLPBF Obudowa dokładna: DPAK |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 18mOhm | 56A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | DPAK | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFR3710ZTRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 19mOhm; 35A; 62W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRFR3710ZPBF; IRFR3710ZTRLPBF; IRFR3710ZTRPBF; IRFR3710ZTRRPBF; SP001555090; SP001567664; SP001560638; SP001567124;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 19mOhm | 35A | 62W | SMD | -55°C ~ 125°C | TO252 (DPACK) | JGSEMI | |||||||||||||
IRFR3710ZTRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 30mOhm; 50A; 85W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR3710ZPBF; IRFR3710ZTRLPBF; IRFR3710ZTRPBF; IRFR3710ZTRRPBF; SP001555090; SP001567664; SP001560638; SP001567124;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 30mOhm | 50A | 85W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | MOSLEADER | |||||||||||||
IRFR3806
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 15,8mOhm; 43A; 71W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR3806PBF; IRFR3806TRPBF; IRFR3806PBF-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR3806TR RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
3343 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 15,8mOhm | 43A | 71W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR3806TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
46000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 15,8mOhm | 43A | 71W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR3806TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 15,8mOhm | 43A | 71W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR3806TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
9400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 15,8mOhm | 43A | 71W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFR3806TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 15,8mOhm; 43A; 71W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR3806PBF; IRFR3806TRPBF; SP001567646; SP001564890;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
84 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 15,8mOhm | 43A | 71W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | UMW | |||||||||||||
IRFR3910PBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 105mOhm; 20A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR3910PBF; IRFR3910TRLPBF; IRFR3910TRPBF; IRFR3910TRRPBF; SP001571594; SP001573318; SP001560674;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 105mOhm | 20A | 34,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | HXY MOSFET | |||||||||||||
IRFR3910TRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 125mOhm; 12A; 34,7W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRFR3910PBF; IRFR3910TRLPBF; IRFR3910TRPBF; IRFR3910TRRPBF; SP001571594; SP001573318; SP001560674;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 125mOhm | 12A | 34,7W | SMD | -55°C ~ 125°C | TO252 (DPACK) | JGSEMI | |||||||||||||
IRFR3910TRPBF JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 115mOhm; 15A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR3910PBF; IRFR3910TRLPBF; IRFR3910TRPBF; IRFR3910TRRPBF; SP001571594; SP001573318; SP001560674;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 115mOhm | 15A | 50W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | JSMICRO | |||||||||||||
IRFR3910TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 115mOhm; 16A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR3910PBF; IRFR3910TRLPBF; IRFR3910TRPBF; IRFR3910TRRPBF; SP001571594; SP001573318; SP001560674;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 115mOhm | 16A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | UMW | |||||||||||||
IRFR4104
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 5,5mOhm; 119A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR4104PBF; IRFR4104TRLPBF; IRFR104TRRPBF; IRFR4104TRPBF; IRFR4104PBF-GURT; IRFR4104TRPBF-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 5,5mOhm | 119A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR4104TRLPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 5,5mOhm | 119A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR4104TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 5,5mOhm | 119A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR4104TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
1250 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 5,5mOhm | 119A | 140W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFR4104TRPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 25V; 5mOhm; 85A; 200W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRFR4104TRPBF-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 10V | 25V | 5mOhm | 85A | 200W | -55°C ~ 150°C | TO252 | VBsemi | |||||||||||||
IRFR4105
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 45mOhm; 27A; 68W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR4105TRPBF; IRFR4105PBF; IRFR4105PBF-GURT; IRFR4105TRLPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
65 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 45mOhm | 27A | 68W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR4105TR RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
598 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 45mOhm | 27A | 68W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR4105TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
272000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 45mOhm | 27A | 68W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR4105TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 45mOhm | 27A | 68W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFR420 smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 3Ohm; 2,4A; 42W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR420TRPBF; IRFR420PBF; IRFR420TRRPBF; IRFR420PBF-BE3; IRFR420TRPBF-BE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFR420TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 20V | 3Ohm | 2,4A | 42W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFR420PBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
1420 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 20V | 3Ohm | 2,4A | 42W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFR420PBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 20V | 3Ohm | 2,4A | 42W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFR420TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
32000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 20V | 3Ohm | 2,4A | 42W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | VISHAY | |||||||||||||
IRFR4620TRLPBF
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 78mOhm; 24A; 144W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR4620; IRFR4620PBF; IRFR4620TRLPBF; IRFR4620PBF-GURT; SP001552208;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR4620TRLPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
380 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 400 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 78mOhm | 24A | 144W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR4620TRLPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 78mOhm | 24A | 144W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR4620TRLPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
4400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 78mOhm | 24A | 144W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFR48Z
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 62A; 91W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR48ZPBF; IRFR48ZTRLPBF; IRFR48ZTRPBF; IRFR48ZPBF-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 11mOhm | 62A | 91W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR48ZTRLPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 11mOhm | 62A | 91W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR48ZTRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 11mOhm | 62A | 91W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR48ZTRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 11mOhm | 62A | 91W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFR5305TRPBF
Tranzystor P-MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 31A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR5305TRPBF; IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305PBF-GURT; IRFR5305TRPPBF; IRFR5305 smd; IRFR5305TR;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR5305TR RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
49335 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 65mOhm | 31A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR5305TR RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
29440 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 55V | 20V | 65mOhm | 31A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR5305TRLPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
72000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 65mOhm | 31A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR5305TRLPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 65mOhm | 31A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR5305TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
99960 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 55V | 20V | 65mOhm | 31A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFR5305T HXY MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 20A; 40W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305TRPBF; IRFR5305TRRPBF; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
140 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 100mOhm | 20A | 40W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | HXY MOSFET | |||||||||||||
IRFR5305TRPBF JGSEMI
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 75mOhm; 20A; 25W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRFR5305PBF; IRFR5305TRLPBF; IRFR5305TRPBF; IRFR5305TRRPBF; SP001571570; SP001567854; SP001557082; SP001573302
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 75mOhm | 20A | 25W | SMD | -55°C ~ 125°C | TO252 (DPACK) | JGSEMI |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.