Tranzystory polowe (wyszukane: 5467)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFP7430 TO247AC
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 1,3mOhm; 404A; 366W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP7430PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 1,3mOhm | 404A | 366W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247AC | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP7430PBF Obudowa dokładna: TO247AC |
Magazyn zewnetrzny:
315 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 1,3mOhm | 404A | 366W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247AC | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP7430PBF Obudowa dokładna: TO247AC |
Magazyn zewnetrzny:
2159 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 1,3mOhm | 404A | 366W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247AC | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFP9140NPBF
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 117mOhm; 23A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP9140NPBF; IRFP9140N;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247AC | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP9140NPBF Obudowa dokładna: TO247AC |
Magazyn zewnetrzny:
360 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247AC | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP9140NPBF Obudowa dokładna: TO247AC |
Magazyn zewnetrzny:
13221 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247AC | International Rectifier | |||||||||||||
IRFP9240
Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 500mOhm; 12A; 150W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFP9240PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFP9240PBF RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
121 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/150 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 200V | 20V | 500mOhm | 12A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFP9240PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
1086 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 200V | 20V | 500mOhm | 12A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFP9240PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 200V | 20V | 500mOhm | 12A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFP9240PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 200V | 20V | 500mOhm | 12A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | VISHAY | |||||||||||||
IRFP9240 JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 420mOhm; 12A; 78W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFP9240PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
25 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 200V | 20V | 420mOhm | 12A | 78W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | JSMICRO | |||||||||||||
IRFPC50
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 600mOhm; 11A; 180W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFPC50PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFPC50PBF RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 20V | 600mOhm | 11A | 180W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFPC50PBF Obudowa dokładna: TO 3P |
Magazyn zewnetrzny:
975 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 600mOhm | 11A | 180W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFPC50PBF Obudowa dokładna: TO 3P |
Magazyn zewnetrzny:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 600mOhm | 11A | 180W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | VISHAY | |||||||||||||
IRFPE40
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2Ohm; 5,4A; 150W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFPE40PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFPE40 RoHS Obudowa dokładna: TO 3P |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 800V | 20V | 2Ohm | 5,4A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO 3P | VISHAY | |||||||||||||
IRFPE50
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 1,2Ohm; 7,8A; 190W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFPE50PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFPE50 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
15 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 800V | 20V | 1,2Ohm | 7,8A | 190W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFPE50PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 1,2Ohm | 7,8A | 190W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFPE50PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 1,2Ohm | 7,8A | 190W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFPE50PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
275 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 1,2Ohm | 7,8A | 190W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | VISHAY | |||||||||||||
IRFPF50PBF
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 20V; 1,6Ohm; 6,7A; 190W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFPF50PBF; IRFPF50;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFPF50PBF RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 900V | 20V | 1,6Ohm | 6,7A | 190W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFPF50PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 900V | 20V | 1,6Ohm | 6,7A | 190W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFPF50PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
35825 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 900V | 20V | 1,6Ohm | 6,7A | 190W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | VISHAY | |||||||||||||
IRFPG40
Tranzystor N-MOSFET; 1000V; 20V; 3,5Ohm; 4,3A; 150W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFPG40PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFPG40 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
15 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 1000V | 20V | 3,5Ohm | 4,3A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFPG40PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
129 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 1000V | 20V | 3,5Ohm | 4,3A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFPG40PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
1315 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 1000V | 20V | 3,5Ohm | 4,3A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFPG40PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 1000V | 20V | 3,5Ohm | 4,3A | 150W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | VISHAY | |||||||||||||
IRFPS40N60K
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 130mOhm; 40A; 570W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFPS40N60KPBF RoHS Obudowa dokładna: SUPER-247 |
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 130mOhm | 40A | 570W | THT | -55°C ~ 150°C | SUPER-247 | VISHAY | |||||||||||||
IRFR014TRPBF JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 20A; 31W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR014PBF; IRFR014PBF-BE3; IRFR014TRPBF; IRFR014TRPBF-BE3; IRFR014TRLPBF; IRFR014TRLPBF-BE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 45mOhm | 20A | 31W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | JSMICRO | |||||||||||||
IRFR014TRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 50mOhm; 20A; 31,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR014PBF; IRFR014PBF-BE3; IRFR014TRPBF; IRFR014TRPBF-BE3; IRFR014TRLPBF; IRFR014TRLPBF-BE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 50mOhm | 20A | 31,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | MOSLEADER | |||||||||||||
IRFR024NTRLPBF
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR024NTRPBF; IRFR024NPBF-GURT; IRFR024NTRLPBF; IRFR024NTRRPBF; IRFR024PBF; IRFR024N;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR024NTR RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
1025 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 75mOhm | 17A | 45W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR024NTRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
206000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 75mOhm | 17A | 45W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR024NTRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
52000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 75mOhm | 17A | 45W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR024NTRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2550 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 75mOhm | 17A | 45W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFR024N HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 105mOhm; 20A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR024NPBF; IRFR024NTRLPBF; IRFR024NTRPBF; IRFR024NTRRPBF; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 105mOhm | 20A | 34,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | HXY MOSFET | |||||||||||||
IRFR024NTRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 35mOhm; 30A; 40W; -50°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRFR024NPBF; IRFR024NTRLPBF; IRFR024NTRPBF; IRFR024NTRRPBF; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 35mOhm | 30A | 40W | SMD | -50°C ~ 125°C | TO252 (DPACK) | JGSEMI | |||||||||||||
IRFR024N JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 45mOhm; 20A; 31W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR024NPBF; IRFR024NTRLPBF; IRFR024NTRPBF; IRFR024NTRRPBF; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
120 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 170 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 45mOhm | 20A | 31W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | JSMICRO | |||||||||||||
IRFR024NTR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 75mOhm; 17A; 45W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR024NPBF; IRFR024NTRLPBF; IRFR024NTRPBF; IRFR024NTRRPBF; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
400 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 400 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 75mOhm | 17A | 45W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | UMW | |||||||||||||
IRFR110 smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 540mOhm; 4,3A; 25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR110PBF; IRFR110TRPBF; IRFR110PBF-BE3; IRFR110TRLPBF-BE3; IRFR110TRPBF-BE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFR110 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Stan magazynowy:
170 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 540mOhm | 4,3A | 25W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFR110TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 540mOhm | 4,3A | 25W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFR110PBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
1600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 540mOhm | 4,3A | 25W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFR110PBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2475 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 540mOhm | 4,3A | 25W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | VISHAY | |||||||||||||
IRFR1205TRLPBF
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 27mOhm; 44A; 107W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR1205TRPBF; IRFR1205PBF-GURT; IRFR1205TRLPBF IRFR1205PBF; IRFR1205;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
33 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 43 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 27mOhm | 44A | 107W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 27mOhm | 44A | 107W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR1205TRPBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 27mOhm | 44A | 107W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFR120N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR120NPBF; IRFR120NTRLPBF; IRFR120NTRPBF; SP001567480; SP001566916; SP001566944; IRFR120NPBF-GURT
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
308 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 210mOhm | 9,4A | 48W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | INFINEON | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR120NTR RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 210mOhm | 9,4A | 48W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | INFINEON | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR120NTRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
40600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 210mOhm | 9,4A | 48W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | INFINEON | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR120NTRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
28000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 210mOhm | 9,4A | 48W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | INFINEON | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR120NTRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 210mOhm | 9,4A | 48W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | INFINEON | |||||||||||||
IRFR120NTR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR120NPBF; IRFR120NTRLPBF; IRFR120NTRPBF; SP001567480; SP001566916; SP001566944;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 210mOhm | 9,4A | 48W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | UMW | |||||||||||||
IRFR13N15D
Tranzystor N-MOSFET; 150V; 30V; 180mOhm; 14A; 86W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR13N15DPBF; IRFR13N15DTRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 80 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 30V | 180mOhm | 14A | 86W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFR210TRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 1,5Ohm; 3A; 46W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRFR210PBF; IRFR210PBF-BE3; IRFR210TRLPBF; IRFR210TRLPBF-BE3; IRFR210TRPBF; IRFR210TRPBF-BE3; IRFR210TRRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 1,5Ohm | 3A | 46W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | MOSLEADER | |||||||||||||
IRFR220 smd
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 4,8A; 42W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR220PBF; IRFR220TRPBF; IRFR220TRLPBF; IRFR220TRRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFR220 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 4,8A | 42W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFR220TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 4,8A | 42W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFR220PBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2508 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 4,8A | 42W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFR220PBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
1650 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 75 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 4,8A | 42W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | VISHAY | |||||||||||||
IRFR220NTRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 600mOhm; 5A; 43W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR220NPBF; IRFR220NTRPBF; IRFR220NPBF-GURT; IRFR220NTRLPBF; IRFR220N;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR220NTR RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
210 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 600mOhm | 5A | 43W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR220NTRPBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
62000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 600mOhm | 5A | 43W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR220NTRPBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 600mOhm | 5A | 43W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR220NTRPBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
6400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 600mOhm | 5A | 43W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR220NTRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 600mOhm | 5A | 43W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFR220NTRPBF JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 300mOhm; 9A; 55W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR220PBF; IRFR220PBF-BE3; IRFR220TRLPBF; IRFR220TRPBF; IRFR220TRPBF-BE3; IRFR220TRRPBF; IRFR220NPBF; IRFR220NTRLPBF; IRFR220NTRPBF; IRFR220NTRRPBF; SP001560574; SP001567454; SP001577980; SP001575982;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 300mOhm | 9A | 55W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | JSMICRO | |||||||||||||
IRFR220NTRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 800mOhm; 5A; 46W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR220PBF; IRFR220PBF-BE3; IRFR220TRLPBF; IRFR220TRPBF; IRFR220TRPBF-BE3; IRFR220TRRPBF; IRFR220NPBF; IRFR220NTRLPBF; IRFR220NTRPBF; IRFR220NTRRPBF; SP001560574; SP001567454; SP001577980; SP001575982;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 800mOhm | 5A | 46W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | MOSLEADER | |||||||||||||
IRFR220NTR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 600mOhm; 5A; 43W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR220PBF; IRFR220PBF-BE3; IRFR220TRLPBF; IRFR220TRPBF; IRFR220TRPBF-BE3; IRFR220TRRPBF; IRFR220NPBF; IRFR220NTRLPBF; IRFR220NTRPBF; IRFR220NTRRPBF; SP001560574; SP001567454; SP001577980; SP001575982;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 600mOhm | 5A | 43W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | UMW | |||||||||||||
IRFR2405 smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 16mOhm; 56A; 110W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR2405TRPBF; IRFR2405PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR2405TR RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 120 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 20V | 16mOhm | 56A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR2405TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 16mOhm | 56A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR2405TRLPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 16mOhm | 56A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR2405TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
5050 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 20V | 16mOhm | 56A | 110W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | International Rectifier | |||||||||||||
IRFR24N15DTRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 115mOhm; 20A; 72,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFR24N15DPBF; IRFR24N15DTRPBF; SP001564950; SP001578104;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 115mOhm | 20A | 72,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | MOSLEADER |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.