Tranzystory polowe (wyszukane: 5467)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFB4127
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 20mOhm; 76A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4127PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
38 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 20mOhm | 76A | 375W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4127PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
14000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 20mOhm | 76A | 375W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4127PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
12405 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 20mOhm | 76A | 375W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4127PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
440 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 20mOhm | 76A | 375W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFB4227PBF
N-MOSFET 65A 200V 330W 0.0197Ω IRFB4227PBF; IRFB4227PBFXKMA1; IRFB4227;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | THT | -40°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | ||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4227PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
33274 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | THT | -40°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | ||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4227PBFXKMA1 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1583 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | THT | -40°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | ||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4227PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
890 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | THT | -40°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | ||||||||||||||||||
IRFB4228
N-MOSFET; 150V; 30V; 15mOhm; 83A; 330W; -40°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4228PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 30V | 15mOhm | 83A | 330W | THT | -40°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4228PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1099 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 30V | 15mOhm | 83A | 330W | THT | -40°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4228PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 30V | 15mOhm | 83A | 330W | THT | -40°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFB4310
N-MOSFET; 100V; 20V; 7mOhm; 140A; 330W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4310PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
29 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 7mOhm | 140A | 330W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFB4321PBF
N-MOSFET HEXFET 83A 150V 330W 0.015Ω IRFB4321;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRFB4321PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | ||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4321PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
976 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4321PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
360 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||||||||||
IRFB4332
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 33mOhm; 60A; 390W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4332PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRFB4332PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
95 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 250V | 30V | 33mOhm | 60A | 390W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4332PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
235900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 30V | 33mOhm | 60A | 390W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4332PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
410 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 30V | 33mOhm | 60A | 390W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFB4410PBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 10mOhm; 96A; 250W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
74 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10mOhm | 96A | 250W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4410PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
71605 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10mOhm | 96A | 250W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4410PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10mOhm | 96A | 250W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4410PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 10mOhm | 96A | 250W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFB4410Z
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 9mOhm; 97A; 230W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4410ZPBF; IRFB4410ZTRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
194 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 9mOhm | 97A | 230W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4410ZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3121 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 9mOhm | 97A | 230W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4410ZPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
530 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 9mOhm | 97A | 230W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
IRFB4710
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 14mOhm; 75A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4710PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 14mOhm | 75A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4710PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 14mOhm | 75A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
IRFB52N15D
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 30V; 32mOhm; 60A; 320W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB52N15DPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
71 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 30V | 32mOhm | 60A | 320W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB52N15DPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
14472 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 30V | 32mOhm | 60A | 320W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB52N15DPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
4940 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 30V | 32mOhm | 60A | 320W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB52N15DPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 30V | 32mOhm | 60A | 320W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
IRFB5620
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 72,5mOhm; 25A; 144W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB5620PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 72,5mOhm | 25A | 144W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB5620PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1684 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 72,5mOhm | 25A | 144W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
IRFB59N10D
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 30V; 25mOhm; 59A; 200W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB59N10DPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB59N10D RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 30V | 25mOhm | 59A | 200W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFB7430 TO220AB
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 1,3mOhm; 409A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB7430PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
518 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/550 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 1,3mOhm | 409A | 375W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7430PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
7674 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 1,3mOhm | 409A | 375W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7430PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
110 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 1,3mOhm | 409A | 375W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFB7437 TO220AB
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2mOhm; 250A; 230W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB7437PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
58 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 2mOhm | 250A | 230W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7437PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
9817 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 2mOhm | 250A | 230W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7437PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
590 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 2mOhm | 250A | 230W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFB7446 TO220AB
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 3,9mOhm; 123A; 99W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB7446PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
14 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 3,9mOhm | 123A | 99W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7446PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
43700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 3,9mOhm | 123A | 99W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7446PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
350 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 3,9mOhm | 123A | 99W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7446PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 3,9mOhm | 123A | 99W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFB7530
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,1mOhm; 295A; 375W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB7530PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/450 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,1mOhm | 295A | 375W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7530PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1230 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,1mOhm | 295A | 375W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7530PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,1mOhm | 295A | 375W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFB7534PBF Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,6mOhm; 232A; 294W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
115 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,6mOhm | 232A | 294W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7534PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
1754 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,6mOhm | 232A | 294W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7534PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,6mOhm | 232A | 294W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7534PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,6mOhm | 232A | 294W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFB7537PBF International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,5mOhm; 173A; 230W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3,5mOhm | 173A | 230W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7537PBF Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
190 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3,5mOhm | 173A | 230W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFB7545PBF
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 6,3mOhm; 95A; 125W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ48VPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7545 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 6,3mOhm | 95A | 125W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7545PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
5287 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 6,3mOhm | 95A | 125W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB7545PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1980 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 6,3mOhm | 95A | 125W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | International Rectifier | |||||||||||||
IRFB9N65A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 930mOhm; 8,5A; 167W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFB9N65APBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRFB9N65A Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
8 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 930mOhm | 8,5A | 167W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 30V | 930mOhm | 8,5A | 167W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRFBC20
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 4,4Ohm; 2,2A; 50W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFBC20PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/350 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 20V | 4,4Ohm | 2,2A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBC20PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
8600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 4,4Ohm | 2,2A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBC20PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1350 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 4,4Ohm | 2,2A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFBC20PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 4,4Ohm | 2,2A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFBC30
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 2,2Ohm; 3,6A; 74W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFBC30PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFBC30 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
281 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 20V | 2,2Ohm | 3,6A | 74W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBC30PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 2,2Ohm | 3,6A | 74W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRFBC40
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 1,2Ohm; 6,2A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BUZ90A; IRFBC40PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFBC40PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
177 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/250 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 20V | 1,2Ohm | 6,2A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBC40PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
550 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 1,2Ohm | 6,2A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBC40PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2250 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 1,2Ohm | 6,2A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBC40PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
8700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 20V | 1,2Ohm | 6,2A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRFBC40LC
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 1,2Ohm; 6,2A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFBC40LCPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFBC40LC RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 1,2Ohm | 6,2A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBC40LCPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1534 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 30V | 1,2Ohm | 6,2A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRFBE20
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 20V; 6,5Ohm; 1,8A; 54W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFBE20PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFBE20 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
34 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 800V | 20V | 6,5Ohm | 1,8A | 54W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBE20PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
425 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 6,5Ohm | 1,8A | 54W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRFBE30
Tranzystor N-MOSFET; 800V; 20V; 3Ohm; 4,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFBE30PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFBE30 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
58 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 800V | 20V | 3Ohm | 4,1A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBE30PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
550 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 3Ohm | 4,1A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBE30PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
910 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 3Ohm | 4,1A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFBE30PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 20V | 3Ohm | 4,1A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRFBF30
Tranzystor N-MOSFET; 900V; 20V; 3,7Ohm; 3,6A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFBF30PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFBF30 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 900V | 20V | 3,7Ohm | 3,6A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBF30PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3290 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 900V | 20V | 3,7Ohm | 3,6A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBF30PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 900V | 20V | 3,7Ohm | 3,6A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFBF30PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 900V | 20V | 3,7Ohm | 3,6A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRFBG20
Tranzystor N-MOSFET; 1000V; 20V; 11Ohm; 1,4A; 54W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFBG20PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 1000V | 20V | 11Ohm | 1,4A | 54W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBG20PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
350 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 1000V | 20V | 11Ohm | 1,4A | 54W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBG20PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
425 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 1000V | 20V | 11Ohm | 1,4A | 54W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBG20PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2441 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 1000V | 20V | 11Ohm | 1,4A | 54W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRFBG30
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1000V; 20V; 5Ohm; 3,1A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFBG30PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
93 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 1000V | 20V | 5Ohm | 3,1A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBG30PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1350 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 1000V | 20V | 5Ohm | 3,1A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBG30PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3450 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 1000V | 20V | 5Ohm | 3,1A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFBG30PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
525 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 1000V | 20V | 5Ohm | 3,1A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRFD014
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 1,7A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFD014PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFD014 RoHS Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 200mOhm | 1,7A | 1,3W | THT | -55°C ~ 175°C | PDIP04HVMDIP | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFD014PBF Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP |
Magazyn zewnetrzny:
22001 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 200mOhm | 1,7A | 1,3W | THT | -55°C ~ 175°C | PDIP04HVMDIP | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFD014PBF Obudowa dokładna: PDIP04HVMDIP |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 200mOhm | 1,7A | 1,3W | THT | -55°C ~ 175°C | PDIP04HVMDIP | VISHAY |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.