Tranzystory polowe (wyszukane: 5467)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF8313TR UMW
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 6,5A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF8313PBF; IRF8313TRPBF; SP001570694; SP001577640;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 18mOhm | 6,5A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
IRF840PBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 850mOhm; 8A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF840;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF840B RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
215 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 20V | 850mOhm | 8A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF840PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2422 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 20V | 850mOhm | 8A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF840PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1650 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 20V | 850mOhm | 8A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF840PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 20V | 850mOhm | 8A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRF840APBF VISHAY
Tranz MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRF840APBF; IRF840APBF-VB; IRF840APBF-BE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF840APBF RoHS Obudowa dokładna: TO-220AB |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 850mOhm | 8A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO-220AB | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF840APBF Obudowa dokładna: TO-220AB |
Magazyn zewnetrzny:
1100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 30V | 850mOhm | 8A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO-220AB | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRF840APBF Obudowa dokładna: TO-220AB |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 30V | 850mOhm | 8A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO-220AB | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF840APBF Obudowa dokładna: TO-220AB |
Magazyn zewnetrzny:
1150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 30V | 850mOhm | 8A | 125W | THT | -55°C ~ 150°C | TO-220AB | VISHAY | |||||||||||||
IRF840SPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 850mOhm; 8A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF840SPBF; IRF840STRRPBF; IRF840STRLPBF; IRF840S;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF840SPBF RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 20V | 850mOhm | 8A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF840SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
2125 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 20V | 850mOhm | 8A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
IRF8707
Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 11,9mOhm; 11A; 2,5W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRF8707TRPBF; IRF8707PBF-GURT; IRF8707PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
78 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 40/120 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 11,9mOhm | 11A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF8707TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
3550 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 11,9mOhm | 11A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | ||||||||||||
IRF8734TRPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5,1mOhm; 21A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF8734PBF; IRF8734TRPBF; SP001555800; IRF8734;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF8734TRPBF RoHS (IRF7834 printing) Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 700 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 5,1mOhm | 21A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 700 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 5,1mOhm | 21A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF8734TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 5,1mOhm | 21A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
IRF8736
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6,8mOhm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF8736PBF; IRF8736TRPBF; IRF8736PBF-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
162 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 6,8mOhm | 18A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF8736TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 6,8mOhm | 18A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF8736TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
9500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 6,8mOhm | 18A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF8736TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 6,8mOhm | 18A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF8910TRPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 18,3mOhm; 10A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF8910PBF; IRF8910TRPBF; IRF8910PBF-GURT; IRF8910; IRF8910TRPBFXTMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 20V | 18,3mOhm | 10A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF8910TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 20V | 18,3mOhm | 10A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF9310TRPBF&-9
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 13,5A; 4,4Ohm; 10V; 5W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRF9310TR UMW; IRF9310TRPBF&-9-VB VBSEMI; AS30P15S; IRF9310TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
165 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 4,4Ohm | 13,5A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VBsemi | ||||||||||||
IRF9317
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 10,2mOhm; 16A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9317TRPBF; IRF9317PBF; IRF7317PBF-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 249 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 10,2mOhm | 16A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9317TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
3156 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 10,2mOhm | 16A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9317TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 10,2mOhm | 16A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF9317TR SLKOR
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 15mOhm; 15A; 4,2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9317PBF; IRF9317TRPBF; SP001572200; SP001575412;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
125 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 15mOhm | 15A | 4,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | SLKOR | |||||||||||||
IRF9317TR UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 10,2mOhm; 16A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9317PBF; IRF9317TRPBF; SP001572200; SP001575412;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 10,2mOhm | 16A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
IRF9321TRPBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11,2mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9321TRPBF; IRF9321PBF; IRF9321PBF-GURT; IRF9321; IRF9321TRPBFXTMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
33 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 11,2mOhm | 15A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-06-13
Ilość szt.: 4000
|
|||||||||||||||||||||||
IRF9328TRPBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 19,7mOhm; 12A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9328TRPBF; IRF9328PBF; IRF9321PBF-GURT; IRF9328;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 19,7mOhm | 12A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9328TR RoHS Obudowa dokładna: SOIC08t/r |
Stan magazynowy:
3940 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 19,7mOhm | 12A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF9358
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 23,8mOhm; 9,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9358PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 23,8mOhm | 9,2A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9358TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
21999 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 23,8mOhm | 9,2A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9358TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 23,8mOhm | 9,2A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9358TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 23,8mOhm | 9,2A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
IRF9389PBF HXY MOSFET
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 31mOhm/54mOhm; 7A/8,5A; 2,5/3,08W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9389PBF; IRF9389TRPBF; SP001555848; SP001551666;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 54mOhm | 8,5A | 3,08W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | HXY MOSFET | |||||||||||||
IRF9389TR JSMICRO
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 28mOhm/52mOhm; 7,5A/7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9389PBF; IRF9389TRPBF; SP001555848; SP001551666;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 52mOhm | 7,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | JSMICRO | |||||||||||||
IRF9389TR UMW
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 40mOhm/103mOhm; 6,8A/4,6A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9389PBF; IRF9389TRPBF; SP001555848; SP001551666;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
370 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 400 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 30V | 20V | 103mOhm | 6,8A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
IRF9393
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 32,5mOhm; 9,2A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9393TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 32,5mOhm | 9,2A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9393TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 25V | 32,5mOhm | 9,2A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9393TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 25V | 32,5mOhm | 9,2A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF9410
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 50mOhm; 7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9410PBF; IRF9410TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
90 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 95 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 50mOhm | 7A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
9435 KUU
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 20V; 85mOhm; 5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: 9435 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 85mOhm | 5,3A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | KUU | |||||||||||||
IRF9510
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 1,2Ohm; 4A; 43W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9510PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9510PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
525 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 1,2Ohm | 4A | 43W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9510PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1025 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 1,2Ohm | 4A | 43W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF9510PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 1,2Ohm | 4A | 43W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRF9510PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
66250 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 1,2Ohm | 4A | 43W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRF9520PBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 6,8A; 60W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9520PBF; IRF9520;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF9520 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
360 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 600mOhm | 6,8A | 60W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9520PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 600mOhm | 6,8A | 60W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9520PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 600mOhm | 6,8A | 60W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9520PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 600mOhm | 6,8A | 60W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRF9520N
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 480mOhm; 6,8A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9520NPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 480mOhm | 6,8A | 48W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF9520NS
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 480mOhm; 6,8A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9520NSPBF; IRF9520NSTRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 480mOhm | 6,8A | 48W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF9530
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 12A; 88W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9530PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF9530 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
389 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/700 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 300mOhm | 12A | 88W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9530PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 300mOhm | 12A | 88W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9530PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1658 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 300mOhm | 12A | 88W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRF9530PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 300mOhm | 12A | 88W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRF9530NPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 13A; 40W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9530PBF; IRF9530PBF-BE3; IRF9530NPBF; SP001570634;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 200mOhm | 13A | 40W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | MOSLEADER | |||||||||||||
IRF9530NSTRLPBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 14A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9530NSPBF; IRF9530NSTRLPBF; IRF9530NSTRRPBF; IRF9530NSPBF-GURT; IRF9530NS;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9530NSTRL RoHS Obudowa dokładna: TO263t/r (D2PAK) |
Stan magazynowy:
353 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 200mOhm | 14A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9530NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
610 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 200mOhm | 14A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9530NSTRLPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
21400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 200mOhm | 14A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF9530S smd
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 300mOhm; 12A; 88W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9530SPBF; IRF9530STRLPBF; IRF9530STRRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF9530S RoHS Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Stan magazynowy:
144 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/150 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 300mOhm | 12A | 88W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9530SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
1179 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 300mOhm | 12A | 88W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRF9530SPBF Obudowa dokładna: TO263 (D2PAK) |
Magazyn zewnetrzny:
450 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 300mOhm | 12A | 88W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | VISHAY | |||||||||||||
IRF9540N
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 117mOhm; 23A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF9540; IRF9540NPBF; IRF9540PBF; IRF 9540 N PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9540NPBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
1813 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF 9540 N PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9540NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
704 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF9540NPBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2355 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon Technologies |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.