IRF740 HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRF740 HXY
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF740PBF; IRF740PBF-BE3;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 500mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 87W
Obudowa: TO220
Producent: HXY MOSFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: 420V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: HXY MOSFET Symbol producenta: IRF740 RoHS Obudowa dokładna: TO220 karta katalogowa
Stan magazynowy:
90 szt.
ilość szt. 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,6600 2,3000 1,8000 1,7000 1,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/100
Rezystancja otwartego kanału: 500mOhm
Maksymalny prąd drenu: 11A
Maksymalna tracona moc: 87W
Obudowa: TO220
Producent: HXY MOSFET
Maksymalne napięcie dren-źródło: 420V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 30V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT