IRF740PBF

Symbol Micros: TIRF740
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: TO220
Tranzystor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF740PBF; IRF740;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 550mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 125W
Obudowa: TO220
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 400V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Producent: Siliconix Symbol producenta: IRF740PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220  
Stan magazynowy:
120 szt.
ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,0900 3,8900 3,2200 2,8200 2,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/700
Producent: Vishay Symbol producenta: IRF740PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
1900 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRF740PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
3920 szt.
ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Vishay Symbol producenta: IRF740PBF Obudowa dokładna: TO220  
Magazyn zewnętrzny:
1390 szt.
ilość szt. 25+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,6800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
25
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
         
 
Towar w drodze
Planowany termin:
2025-03-07
Ilość szt.: 1000
Rezystancja otwartego kanału: 550mOhm
Maksymalny prąd drenu: 10A
Maksymalna tracona moc: 125W
Obudowa: TO220
Producent: VISHAY
Maksymalne napięcie dren-źródło: 400V
Typ tranzystora: N-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 20V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: THT