Tranzystory polowe (wyszukane: 6775)
| Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDG6332C
Tranzystor N/P-MOSFET; 20V; 12V; 300mOhm; 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Oodpowiednik: FDG6332C-F085; FDG6332C_F085;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 20V | 12V | 300mOhm | 300mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC-88 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
FDG6335N
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 400mOhm | 700mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC70-6 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDG6335N Obudowa dokładna: SC70-6 |
Magazyn zewnętrzny:
62565 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 400mOhm | 700mA | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC70-6 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
FDG8850NZ
Trans MOSFET N-CH 30V 0.75A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 12V | 600mOhm | 750mA | 360mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SC70-6 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
FDL100N50F
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; +/-30V; 43mOhm; 100A; 2,5kW; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDL100N50F RoHS Obudowa dokładna: TO264 |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 500V | 30V | 43mOhm | 100A | 2,5kW | THT | -55°C ~ 125°C | TO264 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDL100N50F Obudowa dokładna: TO264 |
Magazyn zewnętrzny:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
MOSFET | 500V | 30V | 43mOhm | 100A | 2,5kW | THT | -55°C ~ 125°C | TO264 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
FDMS86200
Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin Power 56 T/R
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 600 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 3Ohm | 9,6A | 104W | SMD | -55°C ~ 150°C | Power56 | ONSEMI | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDMS86200 Obudowa dokładna: Power56 |
Magazyn zewnętrzny:
129000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 3Ohm | 9,6A | 104W | SMD | -55°C ~ 150°C | Power56 | ONSEMI | |||||||||||||
|
FDN302P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 84mOhm; 2,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN302P RoHS .302.. Obudowa dokładna: SSOT3 |
Stan magazynowy:
480 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 84mOhm | 2,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | ||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN302P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnętrzny:
258000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 84mOhm | 2,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | ||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN302P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnętrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 84mOhm | 2,4A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | ||||||||||||||
|
FDN306P SOT23 TEC
Tranzystor P-Channel MOSFET; -12V; +/-8V; 40mOhm; -2,6A; 0,45W; -55°C~150°C; Odpowiednik: TCJ2305;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | -12V | 8V | 40mOhm | -2,6A | 0,45mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
|
FDN306P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 8,8Ohm; 18A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDN306P-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | -20V | 12V | 8,8Ohm | 18A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VBSEMI ELEC | |||||||||||||
|
FDN335N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 120mOhm; 1,7A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
498 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 120mOhm | 1,7A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN335N Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
18000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 8V | 120mOhm | 1,7A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN335N Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnętrzny:
258000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 8V | 120mOhm | 1,7A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
FDN336P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 320mOhm; 1,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN336P RoHS Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 320mOhm | 1,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN336P Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnętrzny:
45000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 320mOhm | 1,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN336P Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnętrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 320mOhm | 1,3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
FDN337N
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDN337N RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 8V | 110mOhm | 2,2A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN337N Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
1446000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 8V | 110mOhm | 2,2A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN337N Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
141000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 8V | 110mOhm | 2,2A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN337N Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
2637000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 8V | 110mOhm | 2,2A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
FDN338P JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDN338P Onsemi;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
260 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 260 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 210mOhm | 1,6A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JSMICRO | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
740 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 740 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 210mOhm | 1,6A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JSMICRO | |||||||||||||
|
FDN338P SOT23-3 HUASHUO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 140mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
809 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 809 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 140mOhm | 3A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Huashuo Semiconductor | |||||||||||||
|
Stan magazynowy:
2191 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2191 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 140mOhm | 3A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Huashuo Semiconductor | |||||||||||||
|
FDN358P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 210mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
1180 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 210mOhm | 1,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SuperSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN358P Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnętrzny:
390000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 210mOhm | 1,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SuperSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
|
FDN359AN
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 75mOhm; 2,7A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDN359AN RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r |
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 75mOhm | 2,7A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | Fairchild | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN359AN Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 75mOhm | 2,7A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | Fairchild | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN359AN Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnętrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 75mOhm | 2,7A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | Fairchild | |||||||||||||
|
FDN360P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN360P RoHS Obudowa dokładna: SSOT3 |
Stan magazynowy:
190 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 136mOhm | 2A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN360P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnętrzny:
1800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 136mOhm | 2A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN360P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnętrzny:
348000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 136mOhm | 2A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN360P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnętrzny:
534000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 136mOhm | 2A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
|
FDN5618P
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
3818 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 4V | 20V | 315mOhm | 10A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | ONSEMI | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN5618P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnętrzny:
2250000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 4V | 20V | 315mOhm | 10A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | ONSEMI | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN5618P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnętrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 4V | 20V | 315mOhm | 10A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | ONSEMI | ||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN5618P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnętrzny:
615000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 4V | 20V | 315mOhm | 10A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | ONSEMI | ||||||||||||
|
FDP18N50
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP18N50 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 265mOhm | 18A | 235W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP18N50 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
17371 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 30V | 265mOhm | 18A | 235W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP18N50 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
760 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 30V | 265mOhm | 18A | 235W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
FDP2532
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP2532 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 48mOhm | 79A | 310W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP2532 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
350 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 48mOhm | 79A | 310W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP2532 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
1580 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 48mOhm | 79A | 310W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP2532 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 48mOhm | 79A | 310W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
FDP42AN15A0
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 107mOhm; 30A; 150W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 107mOhm | 30A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP42AN15A0 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 107mOhm | 30A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
FDP51N25
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 320W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP51N25 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 250V | 30V | 60mOhm | 51A | 320W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP51N25 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
1290 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 30V | 60mOhm | 51A | 320W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP51N25 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
750 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 30V | 60mOhm | 51A | 320W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP51N25 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
1150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 30V | 60mOhm | 51A | 320W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
FDP52N20
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 30V | 49mOhm | 52A | 357W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP52N20 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
1900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 30V | 49mOhm | 52A | 357W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP52N20 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 30V | 49mOhm | 52A | 357W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP52N20 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
2034 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 30V | 49mOhm | 52A | 357W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
FDP61N20
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 30V | 41mOhm | 61A | 417W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP61N20 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
6894 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 30V | 41mOhm | 61A | 417W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP61N20 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 30V | 41mOhm | 61A | 417W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
|
FDPF16N50 TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 380mOhm; 16A; 38,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
48 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 380mOhm | 16A | 38,5W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Fairchild | |||||||||||||
|
FDPF18N50
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDPF18N50 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
6 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 6 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 265mOhm | 18A | 38,5W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Fairchild | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDPF18N50 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
1544 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 30V | 265mOhm | 18A | 38,5W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Fairchild | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDPF18N50 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
550 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 30V | 265mOhm | 18A | 38,5W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Fairchild | |||||||||||||
|
FDPF20N50FT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 260mOhm; 20A; 38,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDPF20N50FT RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
34 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 260mOhm | 20A | 38,5W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Fairchild | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDPF20N50FT Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 30V | 260mOhm | 20A | 38,5W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Fairchild | |||||||||||||
|
FDPF3860T
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38,2mOhm; 20A; 33,8W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDPF3860T RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 38,2mOhm | 20A | 33,8W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Fairchild | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDPF3860T Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 38,2mOhm | 20A | 33,8W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Fairchild | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDPF3860T Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnętrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 38,2mOhm | 20A | 33,8W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Fairchild | |||||||||||||
|
FDPF39N20
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 66mOhm; 39A; 37W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 30V | 66mOhm | 39A | 37W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Fairchild | |||||||||||||
|
FDS2572
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 53mOhm; 4,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS2572 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
15 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 53mOhm | 4,9A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Fairchild | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS2572 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnętrzny:
7500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 53mOhm | 4,9A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Fairchild | |||||||||||||
|
FDS2582 Fairchild
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 146mOhm; 4,1A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
|
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS2582 RoHS Obudowa dokładna: SOIC08t/r |
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 146mOhm | 4,1A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | Fairchild | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS2582 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 146mOhm | 4,1A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | Fairchild | |||||||||||||
|
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS2582 Obudowa dokładna: SOIC08 |
Magazyn zewnętrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 146mOhm | 4,1A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | Fairchild | |||||||||||||