Tranzystory polowe (wyszukane: 5467)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQP47P06
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 26mOhm; 47A; 160W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
45 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 25V | 26mOhm | 47A | 160W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP47P06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
732 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 25V | 26mOhm | 47A | 160W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP47P06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
319 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 25V | 26mOhm | 47A | 160W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP47P06 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1880 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 25V | 26mOhm | 47A | 160W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FQP50N06
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP50N06 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
180 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 25V | 22mOhm | 50A | 120W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FQP50N06 JSMICRO
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FQP50N06 Onsemi;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 25V | 22mOhm | 50A | 120W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | JSMICRO | |||||||||||||
FQP50N06L
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 25mOhm; 52,4A; 121W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 25mOhm | 52,4A | 121W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FQP5N60C FAI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,5Ohm; 4,5A; 100W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
130 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 2,5Ohm | 4,5A | 100W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Fairchild | |||||||||||||
FQP6N80C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 2,5Ohm; 5,5A; 158W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP6N80C RoHS Obudowa dokładna: TO220AB |
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 800V | 30V | 2,5Ohm | 5,5A | 158W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP6N80C Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 30V | 2,5Ohm | 5,5A | 158W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQP6N80C Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
2200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 30V | 2,5Ohm | 5,5A | 158W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FQP6N90C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 167W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 900V | 30V | 2,3Ohm | 6A | 167W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | Fairchild | |||||||||||||
FQP7P06
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 410mOhm; 7A; 45W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 25V | 410mOhm | 7A | 45W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Fairchild | |||||||||||||
FQPF20N06L
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 70mOhm; 15,7A; 30W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 70mOhm | 15,7A | 30W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Fairchild | |||||||||||||
FQPF2N60C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 2A; 23W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 4,7Ohm | 2A | 23W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQPF2N60C RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
6 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 4,7Ohm | 2A | 23W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FQPF6N90C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 2,3Ohm; 6A; 56W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQPF6N90C RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
187 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 900V | 30V | 2,3Ohm | 6A | 56W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FQPF8N80C
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 1,55Ohm; 8A; 59W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 800V | 30V | 1,55Ohm | 8A | 59W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQPF8N80C Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 800V | 30V | 1,55Ohm | 8A | 59W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FQPF9N50CF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 850mOhm; 9A; 44W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
28 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 38 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 850mOhm | 9A | 44W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Stan magazynowy:
8 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 12 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 850mOhm | 9A | 44W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO220AB | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FQS4903TF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 25V; 6,2Ohm; 370mA; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FQS4903TF RoHS Obudowa dokładna: SOP08 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 25V | 6,2Ohm | 370mA | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FQT4N20LTF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 1,4Ohm; 850mA; 2,2W; -55°C ~ 150°C; FQT4N20LTF-TP;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: FQT4N20LTF-TP RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 1,4Ohm | 850mA | 2,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQT4N20LTF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 1,4Ohm | 850mA | 2,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQT4N20LTF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 1,4Ohm | 850mA | 2,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FQT4N20LTF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 1,4Ohm | 850mA | 2,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FQT5P10TF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 100V; 30V; 1,05Ohm; 1A; 2W; -55°C ~ 150°C; FQT5P10TF-TP; FQT5P10TF-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: FQT5P10TF-TP RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 30V | 1,05Ohm | 1A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
VBsemi Symbol Producenta: FQT5P10TF-VB RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 30V | 1,05Ohm | 1A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FQT5P10TF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 30V | 1,05Ohm | 1A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FQT7N10LTF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 380mOhm; 1,7A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
46 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 380mOhm | 1,7A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 380mOhm | 1,7A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FQT7N10LTF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 380mOhm | 1,7A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FQU11P06TU
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 30V; 185mOhm; 9,4A; 38W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQU11P06TU RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 70 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 30V | 185mOhm | 9,4A | 38W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FQU17P06TU
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 25V; 135mOhm; 12A; 44W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FQU17P06TU RoHS Obudowa dokładna: IPAK |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 25V | 135mOhm | 12A | 44W | THT | -55°C ~ 150°C | IPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FQU17P06TU RoHS Obudowa dokładna: IPAK |
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 70 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 25V | 135mOhm | 12A | 44W | THT | -55°C ~ 150°C | IPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FQU2N100TU
Tranzystor N-Channel MOSFET; 1000V; 30V; 9Ohm; 1,6A; 50W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FQU2N100TU RoHS Obudowa dokładna: TO251 (IPACK) |
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 70 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 1000V | 30V | 9Ohm | 1,6A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO251 (IPACK) | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FQU2N60CTU
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 1,9A; 44W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FQU2N60CTU RoHS Obudowa dokładna: IPAK |
Stan magazynowy:
60 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 70/3570 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 4,7Ohm | 1,9A | 44W | THT | -55°C ~ 150°C | IPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FQU2N60CTU Obudowa dokładna: IPAK |
Magazyn zewnetrzny:
2240 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 70 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 600V | 30V | 4,7Ohm | 1,9A | 44W | THT | -55°C ~ 150°C | IPAK | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
GAN063-650WSAQ
Tranzystor N-Channel GaN/MOS-FET; 650V; 20V; 120mOhm; 34,5A; 143W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 650V | 20V | 120mOhm | 34,5A | 143W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: GAN063-650WSAQ Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 20V | 120mOhm | 34,5A | 143W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: GAN063-650WSAQ Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
260 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 650V | 20V | 120mOhm | 34,5A | 143W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | NXP | |||||||||||||
HUF75321P3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 20V; 34mOhm; 35A; 93W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: HUF75321S3S; HUF75321D3S;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: HUF75321P3 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 55V | 20V | 34mOhm | 35A | 93W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF75321P3 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 55V | 20V | 34mOhm | 35A | 93W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF75321P3 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 55V | 20V | 34mOhm | 35A | 93W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
HUF75332P3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 20V; 19mOhm; 60A; 145W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: HUF75332S3ST;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: HUF75332P3 RoHS Obudowa dokładna: TO220AB |
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 55V | 20V | 19mOhm | 60A | 145W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Fairchild | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF75332P3 Obudowa dokładna: TO220AB |
Magazyn zewnetrzny:
1500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 55V | 20V | 19mOhm | 60A | 145W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220AB | Fairchild | ||||||||||||
HUF75344G3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 20V; 8mOhm; 75A; 285W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF75344G3 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
34 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30/60 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 55V | 20V | 8mOhm | 75A | 285W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF75344G3 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
390 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 55V | 20V | 8mOhm | 75A | 285W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
HUF75345P3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 20V; 7mOhm; 75A; 325W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
110 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 55V | 55V | 20V | 7mOhm | 75A | 325W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF75345P3 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 55V | 55V | 20V | 7mOhm | 75A | 325W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
HUF75645P3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 100V; 20V; 14mOhm; 75A; 310W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
19 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 14mOhm | 75A | 310W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF75645P3 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 14mOhm | 75A | 310W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF75645P3 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1419 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 14mOhm | 75A | 310W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: HUF75645P3 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
37750 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 100V | 20V | 14mOhm | 75A | 310W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
HUF76423P3
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 16V; 38mOhm; 33A; 85W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: HUF76423P3 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 16V | 38mOhm | 33A | 85W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF76423P3 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 16V | 38mOhm | 33A | 85W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: HUF76423P3 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
6400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 16V | 38mOhm | 33A | 85W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
HUF76439S3S
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 16V; 15mOhm; 75A; 180W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: HUF76439S3ST (T&R); HUF76439P3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
60 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 80 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 16V | 15mOhm | 75A | 180W | THT | -55°C ~ 175°C | TO263 (D2PAK) | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
HX2301A
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 2,5A; 130mOhm; 0,9W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2600 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/6000 Ilość (wielokrotność 10) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 130mOhm | 2,5A | 900mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HX | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-30
Ilość szt.: 3000
|
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.