Tranzystory polowe (wyszukane: 5457)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDN338P UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 2,8A; 400mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDN338P Onsemi;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 142mOhm | 2,8A | 400mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
FDN339AN ON SEMICONDUCTOR (FAIRCHILD)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 61mOhm; 3A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 8V | 61mOhm | 3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN339AN Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 8V | 61mOhm | 3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN339AN Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
150000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 8V | 61mOhm | 3A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SuperSOT3 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDN358P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 210mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1180 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 210mOhm | 1,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SuperSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN358P Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
93000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 210mOhm | 1,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SuperSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDN358P Obudowa dokładna: SuperSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
435000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 210mOhm | 1,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SuperSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
FDN359AN
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 75mOhm; 2,7A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDN359AN RoHS Obudowa dokładna: SOT23-3 t/r |
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 75mOhm | 2,7A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN359AN Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 75mOhm | 2,7A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDN359AN Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
177000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 75mOhm | 2,7A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN359AN Obudowa dokładna: SOT23-3 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 75mOhm | 2,7A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-3 | Fairchild | |||||||||||||
FDN360P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 136mOhm; 2A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN360P RoHS Obudowa dokładna: SSOT3 |
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 136mOhm | 2A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN360P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
123000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 136mOhm | 2A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN360P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 136mOhm | 2A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDN360P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
171000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 136mOhm | 2A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | Fairchild | |||||||||||||
FDN5618P
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
818 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 315mOhm | 10A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | ONSEMI | |||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDN5618P Obudowa dokładna: SSOT3 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 315mOhm | 10A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SSOT3 | ONSEMI | |||||||||||||
FDP18N50
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP18N50 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 265mOhm | 18A | 235W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP18N50 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
10521 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 30V | 265mOhm | 18A | 235W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP18N50 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
750 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 30V | 265mOhm | 18A | 235W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDP18N50 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 30V | 265mOhm | 18A | 235W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDP2532
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP2532 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 48mOhm | 79A | 310W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP2532 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
450 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 48mOhm | 79A | 310W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP2532 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
871 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 48mOhm | 79A | 310W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDP2532 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 48mOhm | 79A | 310W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDP26N40
Tranzystor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 160mOhm; 26A; 265W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDP26N40 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 400V | 30V | 160mOhm | 26A | 265W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDP42AN15A0
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 107mOhm; 30A; 150W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 107mOhm | 30A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP42AN15A0 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 107mOhm | 30A | 150W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDP51N25
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 320W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP51N25 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 250V | 30V | 60mOhm | 51A | 320W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP51N25 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 30V | 60mOhm | 51A | 320W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP51N25 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1890 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 30V | 60mOhm | 51A | 320W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP51N25 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
790 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 30V | 60mOhm | 51A | 320W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDP52N20
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 30V | 49mOhm | 52A | 357W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP52N20 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
2834 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 30V | 49mOhm | 52A | 357W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDP52N20 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 30V | 49mOhm | 52A | 357W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDP61N20
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 30V | 41mOhm | 61A | 417W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP61N20 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 30V | 41mOhm | 61A | 417W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP61N20 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 30V | 41mOhm | 61A | 417W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDP61N20 Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
3794 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 800 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 30V | 41mOhm | 61A | 417W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDPF16N50 TO220iso
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 380mOhm; 16A; 38,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
48 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 380mOhm | 16A | 38,5W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Fairchild | |||||||||||||
FDPF18N50
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDPF18N50 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
6 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 6 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 265mOhm | 18A | 38,5W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDPF18N50 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 30V | 265mOhm | 18A | 38,5W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDPF18N50 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
1950 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 30V | 265mOhm | 18A | 38,5W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Fairchild | |||||||||||||
FDPF20N50FT
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 260mOhm; 20A; 38,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDPF20N50FT RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
34 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 260mOhm | 20A | 38,5W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDPF20N50FT Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
450 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 30V | 260mOhm | 20A | 38,5W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDPF20N50FT Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
1350 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 500V | 30V | 260mOhm | 20A | 38,5W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Fairchild | |||||||||||||
FDPF3860T
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 38,2mOhm; 20A; 33,8W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDPF3860T RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 38,2mOhm | 20A | 33,8W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Fairchild | |||||||||||||
FDPF39N20
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 66mOhm; 39A; 37W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 30V | 66mOhm | 39A | 37W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDPF39N20 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 30V | 66mOhm | 39A | 37W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | Fairchild | |||||||||||||
FDPF51N25
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 38W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDPF51N25 RoHS Obudowa dokładna: TO220iso |
Stan magazynowy:
10 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 250V | 30V | 60mOhm | 51A | 38W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDPF51N25 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
2595 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 30V | 60mOhm | 51A | 38W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDPF51N25 Obudowa dokładna: TO220iso |
Magazyn zewnetrzny:
900 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 30V | 60mOhm | 51A | 38W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220iso | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDS2572
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 53mOhm; 4,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS2572 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
15 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 53mOhm | 4,9A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS2572 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 53mOhm | 4,9A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Fairchild | |||||||||||||
FDS2582 Fairchild
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 146mOhm; 4,1A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS2582 RoHS Obudowa dokładna: SOIC08t/r |
Stan magazynowy:
90 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 146mOhm | 4,1A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOIC08 | Fairchild | |||||||||||||
FDS2734
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 20V; 225mOhm; 3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 250V | 20V | 225mOhm | 3A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS2734 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 20V | 225mOhm | 3A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Fairchild | |||||||||||||
FDS3672
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 43mOhm; 7,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS3672 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
45 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 43mOhm | 7,5A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS3672 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
17500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 43mOhm | 7,5A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS3672 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 43mOhm | 7,5A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Fairchild | |||||||||||||
FDS3692
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 122mOhm; 4,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS3692 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 122mOhm | 4,5A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS3692 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 122mOhm | 4,5A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Fairchild | |||||||||||||
FDS4435BZ
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 35mOhm; 8,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: FDS4435BZ-F085;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS4435BZ RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 35mOhm | 8,8A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS4435BZ Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 25V | 35mOhm | 8,8A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS4435BZ Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
47500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 25V | 35mOhm | 8,8A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDS4465
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 14mOhm; 13,5A; 2,5W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: FDS4465-F085;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
9 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 14mOhm | 13,5A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDS4675
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 21mOhm; 11A; 2,4W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: FDS4675-F085;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 21mOhm | 11A | 2,4W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS4675 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 21mOhm | 11A | 2,4W | SMD | -55°C ~ 175°C | SOP08 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
FDS4685
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 42mOhm; 8,2A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS4685 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 42mOhm | 8,2A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: FDS4685 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 42mOhm | 8,2A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Fairchild | |||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS4685 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
12500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 40V | 20V | 42mOhm | 8,2A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Fairchild | |||||||||||||
FDS4897AC
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 39mOhm/65mOhm; 6,1A/5,2A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS4897AC RoHS Obudowa dokładna: SOP08 |
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 40V | 20V | 65mOhm | 6,1A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Fairchild | |||||||||||||
FDS4897C
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 43mOhm/73mOhm; 6,2A/4,4A; 2W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: FDS4897C RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 40V | 20V | 73mOhm | 6,2A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Fairchild |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.