Tranzystory polowe (wyszukane: 5412)

1    12  13  14  15  16  17  18  19  20    181
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
BSS225H6327 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 20V; 45Ohm; 90mA; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS225H6327FTSA1; BSS225H6327XTSA1;
BSS225H6327FTSA1 RoHS || BSS225H6327FTSA1 || BSS225H6327 Infineon SOT89
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS225H6327FTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT89 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
997 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3600 1,4300 1,1000 0,9920 0,9440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 600V 20V 45Ohm 90mA 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS225H6327FTSA1
Obudowa dokładna:
SOT89
 
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 600V 20V 45Ohm 90mA 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS225H6327FTSA1
Obudowa dokładna:
SOT89
 
Magazyn zewnetrzny:
25000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 600V 20V 45Ohm 90mA 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 Infineon Technologies
BSS306NH6327 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 93mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS306NH6327HTSA1; BSS306NH6327;
BSS306NH6327XTSA1 RoHS || BSS306NH6327XTSA1 || BSS306NH6327 Infineon SOT23
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS306NH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2623 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0500 0,5540 0,4300 0,3970 0,3800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 93mOhm 2,3A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS306NH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
1989000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 20V 93mOhm 2,3A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS306NH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
84000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 20V 93mOhm 2,3A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
BSS314PEH6327 Infineon Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 230mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS314PEH6327XTSA1;
BSS314PEH6327XTSA1 RoHS || BSS314PEH6327XTSA1 || BSS314PEH6327 Infineon SOT23
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS314PEH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2335 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9070 0,5020 0,3330 0,2780 0,2590
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 230mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS314PEH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2590
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 30V 20V 230mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
BSS316NH6327 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 280mOhm; 1,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS316NH6327XTSA1;
BSS316NH6327XTSA1 RoHS || BSS316NH6327XTSA1 || BSS316NH6327 Infineon SOT23
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS316NH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1485 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8460 0,4290 0,2600 0,2060 0,1880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/24000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 280mOhm 1,4A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS316NH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
1965000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 20V 280mOhm 1,4A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS316NH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1965
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 20V 280mOhm 1,4A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
BSS606NH6327 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 90mOhm; 3,2A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS606NH6327XTSA1; BSS606NH6327TR; BSS606NH6327; BSS606NH6327XTSA1
BSS606NH6327XTSA1 RoHS || BSS606NH6327XTSA1 || BSS606NH6327 Infineon SOT89
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS606NH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT89 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
990 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,2900 2,0800 1,6400 1,5000 1,4300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 90mOhm 3,2A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS606NH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT89
 
Magazyn zewnetrzny:
2000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 90mOhm 3,2A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS606NH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT89
 
Magazyn zewnetrzny:
22000 szt.
Ilość szt. 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 90mOhm 3,2A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT89 Infineon Technologies
BSS606N-P Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 62mOhm; 3,5A; 1,7W; -55°C~150°C; Odpowiednik: BSS606NH6327XTSA1;
BSS606N-P RoHS 603N. || BSS606N-P SOT89-3
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
BSS606N-P RoHS 603N.
Obudowa dokładna:
SOT89-3
karta katalogowa
Stan magazynowy:
490 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 1,8900 1,1400 0,8690 0,7820 0,7550
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 10V 20V 62mOhm 3,5A 1,7W SMD -55°C ~ 150°C SOT89-3 TECH PUBLIC
BSS806NH6327 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS806NH6327XTSA1;
BSS806NH6327XTSA1 RoHS || BSS806NH6327 RoHS || BSS806NEH6327XTSA1 RoHS || BSS806NH6327XTSA1 || BSS806NH6327 Infineon SOT23
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS806NH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,0800 0,5480 0,3320 0,2630 0,2400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 8V 82mOhm 2,3A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS806NH6327 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,0800 0,5480 0,3320 0,2630 0,2400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 8V 82mOhm 2,3A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS806NEH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,0800 0,5480 0,3320 0,2630 0,2400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 8V 82mOhm 2,3A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS806NH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
5376000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 20V 8V 82mOhm 2,3A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS806NH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
96000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 20V 8V 82mOhm 2,3A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
BSS806NEH6327XTSA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 82mOhm; 2,3A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS806NEH6327XTSA1; BSS806NEH6327;
BSS806NEH6327XTSA1 RoHS || BSS806NEH6327XTSA1 || BSS806NEH6327XTSA1 SOT23
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS806NEH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0800 0,5430 0,3240 0,2680 0,2410
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 8V 82mOhm 2,3A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS806NEH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
1691990 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2410
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 20V 8V 82mOhm 2,3A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS806NEH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
87000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2410
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 20V 8V 82mOhm 2,3A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
BSS816NWH6327 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 240mOhm; 1,4A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS816NWH6327XTSA1;
BSS816NWH6327XTSA1 RoHS || BSS816NWH6327XTSA1 || BSS816NWH6327 Infineon SOT323
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS816NWH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1150 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7430 0,3530 0,1980 0,1510 0,1350
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 8V 240mOhm 1,4A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS816NWH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7430 0,3530 0,1980 0,1510 0,1350
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 8V 240mOhm 1,4A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS816NWH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT323
 
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1350
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 20V 8V 240mOhm 1,4A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 Infineon Technologies
BSS83PH6327XTSA1 Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; SP000702486;
BSS83PH6327XTSA1 RoHS || BSS83PH6327XTSA1 || BSS83PH6327XTSA1 SOT23
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS83PH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
23340 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9490 0,5250 0,3490 0,2910 0,2710
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 3Ohm 330mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS83PH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2710
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 60V 20V 3Ohm 330mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSS83PH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
61800 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2710
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 60V 20V 3Ohm 330mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon Technologies
BSS83P JSMICRO Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 330mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS83PE6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83PL6327HTSA1;
BSS83P RoHS || BSS83P JSMICRO SOT23
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol Producenta:
BSS83P RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,9850 0,3940 0,2290 0,1910 0,1790
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 10Ohm 330mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 JSMICRO
BSS84 Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 17Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84-FAI;
BSS84 RoHS || BSS84LT1G || BSS84 || BSS84 SOT23
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
5739 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9240 0,4390 0,2470 0,1870 0,1680
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/12000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 50V 20V 17Ohm 130mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
BSS84LT1G
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
90000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1680
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 50V 20V 17Ohm 130mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
BSS84LT1G
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
456000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1680
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 50V 20V 17Ohm 130mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
BSS84
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
201000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1680
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 50V 20V 17Ohm 130mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-14
Ilość szt.: 3000
                     
BSS84 Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 10Ohm; 150mA; 357mW; -55°C ~ 150°C; Podobny do: BSS84-7-F;
BSS84 RoHS || BSS84 SOT23
Producent:
HOTTECH
Symbol Producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
330 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4410 0,1740 0,1010 0,0742 0,0678
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/18000
Ilość (wielokrotność 10)
P-MOSFET 60V 20V 10Ohm 150mA 357mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23
 
Producent:
YFW
Symbol Producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
7000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4410 0,1740 0,1010 0,0742 0,0678
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
P-MOSFET 60V 20V 10Ohm 150mA 357mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23
BSS84-7-F Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84-7-F; BSS84-13-F;
BSS84-7-F RoHS || BSS84-13-F || BSS84-7-F || BSS84-7-F SOT23
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BSS84-7-F RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
800 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6050 0,2870 0,1620 0,1230 0,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 50V 50V 20V 10Ohm 130mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BSS84-13-F
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
270000 szt.
Ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 50V 50V 20V 10Ohm 130mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BSS84-7-F
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
48000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 50V 50V 20V 10Ohm 130mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BSS84-7-F
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
2226000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 50V 50V 20V 10Ohm 130mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
BSS84 GALAXY Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 12V; 10Ohm; 130mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
BSS84 RoHS || BSS84 GALAXY SOT23
Producent:
GALAXY
Symbol Producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2500 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4170 0,1640 0,0959 0,0702 0,0641
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
P-MOSFET 50V 12V 10Ohm 130mA 360mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 GALAXY
BSS84 SOT23 HUASHUO Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 300mA; 6Ohm; 20V; 350mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: HSS2301C;
HSS2301C RoHS || BSS84 SOT23 HUASHUO SOT23
Producent:
HUASHUO
Symbol Producenta:
HSS2301C RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,7320 0,2930 0,1700 0,1420 0,1330
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 6Ohm 300mA 350mW SMD -40°C ~ 150°C SOT23 HUASHUO
BSS84 SOT23 HT SEMI Tranzystor P-MOSFET; -60V; 20V; 10Ohm; -130mA; 225mW; -55°C~150°C; Podobny do: BSS84-7-F;
BSS84 RoHS || BSS84 SOT23 HT SEMI SOT23
Producent:
HT SEMI
Symbol Producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
11900 szt.
Ilość szt. 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
cena netto (PLN) 0,2610 0,0976 0,0523 0,0390 0,0360
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
P-MOSFET -60V 20V 10Ohm -130mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT-23 HT
BSS84 HXY MOSFET Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
BSS84 RoHS || BSS84 HXY MOSFET SOT23
Producent:
HXY MOSFET
Symbol Producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4480 0,1770 0,1030 0,0754 0,0689
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
P-MOSFET 50V 20V 6Ohm 130mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HXY MOSFET
BSS84 JSMICRO Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 6Ohm; 130mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
BSS84 RoHS || BSS84 JSMICRO SOT23
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol Producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3490 0,1350 0,0657 0,0522 0,0499
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
P-MOSFET 50V 20V 6Ohm 130mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 JSMICRO
BSS84 JUXING Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
BSS84 B84 RoHS || BSS84 JUXING SOT23
Producent:
JUXING
Symbol Producenta:
BSS84 B84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,3490 0,1350 0,0657 0,0522 0,0499
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
P-MOSFET 50V 20V 10Ohm 130mA 225mW SMD -50°C ~ 150°C SOT23 JUXING
BSS84,215 Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84; BSS84LT1G; BSS84-7-F; BSS84,215; BSS84AK,215 (AUTOMOTIVE); BSS84 smd NXP; BSS84.215;
BSS84 RoHS || BSS84,215 RoHS || BSS84,215 || BSS84,215 SOT23
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
125 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6550 0,3110 0,1750 0,1330 0,1190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000/90000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 50V 20V 10Ohm 130mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BSS84,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
115800 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6550 0,3110 0,1750 0,1330 0,1190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 50V 20V 10Ohm 130mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BSS84,215
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 50V 20V 10Ohm 130mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BSS84,215
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
525000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 50V 20V 10Ohm 130mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BSS84,215
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
2229000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 50V 20V 10Ohm 130mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-25
Ilość szt.: 3000
                     
BSS84 SHIKUES Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6Ohm; 130mA; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
BSS84 RoHS || BSS84 SHIKUES SOT23
Producent:
SHIKUES
Symbol Producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4230 0,1670 0,0973 0,0711 0,0650
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
P-MOSFET 60V 20V 6Ohm 130mA SMD SOT23 SHIKUES
BSS84 SLKOR Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
BSS84 RoHS || BSS84 SLKOR SOT23
Producent:
SLKOR
Symbol Producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
6000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,3580 0,1410 0,0823 0,0602 0,0550
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
P-MOSFET 50V 20V 10Ohm 130mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 SLKOR
BSS84 UMW Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84,215; BSS84LT1G; BSS84LT7G; BSS84PH6327XTSA2; BSS84PH6433XTMA1; BSS84-7-F; BSS84-TP;
BSS84 RoHS || BSS84 UMW SOT23
Producent:
UMW
Symbol Producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 0,4640 0,1830 0,1070 0,0782 0,0714
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
P-MOSFET 50V 20V 10Ohm 130mA 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 UMW
BSS84 Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84-F2-0000HF;
BSS84 RoHS || BSS84 SOT23
Producent:
YY
Symbol Producenta:
BSS84 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
900 szt.
Ilość szt. 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
cena netto (PLN) 0,2980 0,1150 0,0559 0,0445 0,0425
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 10)
P-MOSFET 60V 20V 9,9Ohm 170mA 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-20
Ilość szt.: 9000
                     
BSS8402DW Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 60V/50V; 60V/50V; 20V; 13,5Ohm/10Ohm; 115mA/130mA; 200mW; -55°C ~ 150°C;
BSS8402DW-7-F RoHS || BSS8402DW-7-F RoHS KNP. || BSS8402DW-7-F || BSS8402DW SC70-6
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BSS8402DW-7-F RoHS
Obudowa dokładna:
SC70-6
karta katalogowa
Stan magazynowy:
15 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3900 0,7630 0,6000 0,5560 0,5330
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 130mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SC70-6 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BSS8402DW-7-F RoHS KNP.
Obudowa dokładna:
SC70-6 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3900 0,7630 0,6000 0,5560 0,5330
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 130mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SC70-6 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BSS8402DW-7-F
Obudowa dokładna:
SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
225000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5330
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N/P-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 130mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SC70-6 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BSS8402DW-7-F
Obudowa dokładna:
SC70-6
 
Magazyn zewnetrzny:
234000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5330
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N/P-MOSFET 60V 60V 20V 13,5Ohm 130mA 200mW SMD -55°C ~ 150°C SC70-6 DIODES
LBSS8402DW1T1G SC88 LRC Tranzystor N-Channel MOSFET; 50V; 20V; 10Ohm; 130mA; 380mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: LBSS8402DW1T3G;
LBSS8402DW1T1G RoHS || LBSS8402DW1T1G SC88 LRC SC-88
Producent:
LRC
Symbol Producenta:
LBSS8402DW1T1G RoHS
Obudowa dokładna:
SC-88 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
445 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,8470 0,4010 0,2240 0,1700 0,1540
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 50V 20V 10Ohm 130mA 380mW SMD -55°C ~ 150°C SC-88 LRC
BSS84AK,215 Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 180mA; 420mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84AK,215; BSS84AK.215;
BSS84AK,215 RoHS || BSS84AK,215 || BSS84AK,215 SOT23-3
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BSS84AK,215 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-3 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3700 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,6270 0,2980 0,1680 0,1270 0,1140
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 50V 20V 13,5Ohm 180mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BSS84AK,215
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
36000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1140
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 50V 20V 13,5Ohm 180mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BSS84AK,215
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
777000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1140
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 50V 20V 13,5Ohm 180mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BSS84AK,215
Obudowa dokładna:
SOT23-3
 
Magazyn zewnetrzny:
1101000 szt.
Ilość szt. 9000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1140
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 50V 20V 13,5Ohm 180mA 420mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23-3 NXP
BSS84AKS NXP Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 160mA; 320mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84AKS,115;
BSS84AKS RoHS || BSS84AKS,115 || BSS84AKS NXP SOT363
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BSS84AKS RoHS
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
400 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,0100 0,5580 0,3710 0,3090 0,2880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
2xP-MOSFET 50V 20V 13,5Ohm 160mA 320mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BSS84AKS,115
Obudowa dokładna:
SOT363
 
Magazyn zewnetrzny:
39000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xP-MOSFET 50V 20V 13,5Ohm 160mA 320mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BSS84AKS,115
Obudowa dokładna:
SOT363
 
Magazyn zewnetrzny:
123000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xP-MOSFET 50V 20V 13,5Ohm 160mA 320mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BSS84AKS,115
Obudowa dokładna:
SOT363
 
Magazyn zewnetrzny:
120000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xP-MOSFET 50V 20V 13,5Ohm 160mA 320mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 NXP
BSS84AKW,115 Tranzystor P-Channel MOSFET; 50V; 20V; 13,5Ohm; 150mA; 310mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSS84AKW.115; BSS84AKW,115; BSS84AKW;
BSS84AKW,115 RoHS || BSS84AKW,115 || BSS84AKW,115 SOT323
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BSS84AKW,115 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3600 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,5780 0,2740 0,1540 0,1170 0,1050
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 50V 20V 13,5Ohm 150mA 310mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BSS84AKW,115
Obudowa dokładna:
SOT323
 
Magazyn zewnetrzny:
1164000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1050
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 50V 20V 13,5Ohm 150mA 310mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BSS84AKW,115
Obudowa dokładna:
SOT323
 
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1050
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 50V 20V 13,5Ohm 150mA 310mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BSS84AKW,115
Obudowa dokładna:
SOT323
 
Magazyn zewnetrzny:
942000 szt.
Ilość szt. 6000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,1050
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 50V 20V 13,5Ohm 150mA 310mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 NXP
1    12  13  14  15  16  17  18  19  20    181

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.