Tranzystory polowe (wyszukane: 5446)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7313 smd
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7313PBF; IRF7313TRPBF; IRF7313TRPBFXTMA1
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 46mOhm | 6,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7313TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
7600 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 30V | 20V | 46mOhm | 6,5A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
IRF7316TRPBF
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 98mOhm; 4,9A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7316TRPBF; IRF7316PBF-GURT; IRF7316; CJQ4953/SOP8;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7316TR RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 30V | 20V | 98mOhm | 4,9A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 30V | 20V | 98mOhm | 4,9A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7316TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
6750 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 30V | 20V | 98mOhm | 4,9A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7316TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
88000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 30V | 20V | 98mOhm | 4,9A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7316TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
68000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 30V | 20V | 98mOhm | 4,9A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF7328
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7328TRPBF; IRF7328PBF; IRF7328PBF-GURT; IRF7328TRPBFXTMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
4 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 95/190 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 30V | 20V | 32mOhm | 8A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7328 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
33 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 30V | 20V | 32mOhm | 8A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7328TRPBFXTMA1 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
4000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 30V | 20V | 32mOhm | 8A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF7342TRPBF
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 55V; 20V; 170mOhm; 3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7342TRPBF; IRF7342PBF; IRF7342PBF-GURT; IRF7342 smd; IRF 7342 TRPBF; IRF7342TR;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7342TR RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 55V | 20V | 170mOhm | 3,4A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7342TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
56000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 55V | 20V | 170mOhm | 3,4A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7342TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
108000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 55V | 20V | 170mOhm | 3,4A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7342TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
14200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xP-MOSFET | 55V | 20V | 170mOhm | 3,4A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7342TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
0 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xP-MOSFET | 55V | 20V | 170mOhm | 3,4A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-20
Ilość szt.: 1500
|
|||||||||||||||||||||||
IRF7343TR UMW
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm/100mOhm; 4,7A/3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7343PBF; IRF7343TRPBF; SP001571976; SP001565516;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 55V | 20V | 100mOhm | 4,7A | 2W | SMD | -50°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
IRF740 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF740PBF; IRF740PBF-BE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 420V | 30V | 500mOhm | 11A | 87W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | HXY MOSFET | |||||||||||||
IRF7425TRPBF JSMICRO
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 17mOhm; 14A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7425PBF; IRF7425TRPBF; SP001563588; SP001555316;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
JSMicro Semiconductor Symbol Producenta: IRF7425TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 17mOhm | 14A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | JSMICRO | |||||||||||||
IRF7425TRPBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 13mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7220; IRF7220PBF; IRF7425TRPBF; IRF7425PBF; IRF7425PBF-GURT; IRF7425TR-VB; IRF7425; IRF7425TRPBF-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7425TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
9950 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 13mOhm | 15A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
Stan magazynowy:
34 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 34 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 13mOhm | 15A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7425TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
47000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 12V | 13mOhm | 15A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7425TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
1620 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1620 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 13mOhm | 15A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-30
Ilość szt.: 4000
|
|||||||||||||||||||||||
IRF7465
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 30V; 280mOhm; 1,9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7465TRPBF; IRF7465TRPBFXTMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 30V | 280mOhm | 1,9A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7465TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 30V | 280mOhm | 1,9A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF7468TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 12V; 35mOhm; 9,4A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7468PBF; IRF7468TRPBF; SP001559918; SP001570352;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 12V | 35mOhm | 9,4A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | UMW | |||||||||||||
IRF7820
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 78mOhm; 3,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 78mOhm | 3,7A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7820TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
8000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 78mOhm | 3,7A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7820TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2300 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 78mOhm | 3,7A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | International Rectifier | |||||||||||||
IRF7853TRPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 8,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7853PBF; IRF7853TRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
9 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 400 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 18mOhm | 8,3A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Stan magazynowy:
260 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 18mOhm | 8,3A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7853TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 18mOhm | 8,3A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF7853TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
3250 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 18mOhm | 8,3A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF8910TRPBF
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 18,3mOhm; 10A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF8910PBF; IRF8910TRPBF; IRF8910PBF-GURT; IRF8910; IRF8910TRPBFXTMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 20V | 18,3mOhm | 10A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRF8910TRPBF Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
2800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 20V | 18,3mOhm | 10A | 2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRF9321TRPBF
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11,2mOhm; 15A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9321TRPBF; IRF9321PBF; IRF9321PBF-GURT; IRF9321; IRF9321TRPBFXTMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
33 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 11,2mOhm | 15A | 2,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-06-13
Ilość szt.: 4000
|
|||||||||||||||||||||||
IRF9620
Tranzystor P-Channel MOSFET; 200V; 20V; 1,5Ohm; 3,5A; 40W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF9620PBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRF9620 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 200V | 20V | 1,5Ohm | 3,5A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9620PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 200V | 20V | 1,5Ohm | 3,5A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9620PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 200V | 20V | 1,5Ohm | 3,5A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRF9620PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
550 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 200V | 20V | 1,5Ohm | 3,5A | 40W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | VISHAY | |||||||||||||
IRFB3077PBF TO220AB
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 210A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3077PBF; IRFB3077PBFXKMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
14 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 75V | 20V | 3,3mOhm | 210A | 370W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3077PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
138698 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 3,3mOhm | 210A | 370W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3077PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
5421 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 3,3mOhm | 210A | 370W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB3077PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
1250 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 3,3mOhm | 210A | 370W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFB4020
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 100mOhm; 18A; 100W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4020PBF; IRFB4020PBFXKMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
92 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 100mOhm | 18A | 100W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4020PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
9063 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 100mOhm | 18A | 100W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4020PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
630 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 100mOhm | 18A | 100W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFB4110 UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110PBF; IRFB4110GPBF; SP001570598; SP001556050;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 4,5mOhm | 180A | 370W | THT | -55°C ~ 175°C | TO220 | UMW | |||||||||||||
IRFB4321PBF
N-MOSFET HEXFET 83A 150V 330W 0.015Ω IRFB4321;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRFB4321PBF RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50/200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | ||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4321PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
4376 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFB4321PBF Obudowa dokładna: TO220 |
Magazyn zewnetrzny:
360 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | ||||||||||||||||||||||
AOT10N60
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOT10N60 RoHS Obudowa dokładna: TO220 |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 750mOhm | 10A | 250W | THT | -55°C ~ 150°C | TO220 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
IRFL110
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 540mOhm; 1,5A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL110PBF-GURT; IRFL110TRPBF; IRFL110TRPBF-BE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFL110TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 540mOhm | 1,5A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFL110TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 540mOhm | 1,5A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFL110TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 540mOhm | 1,5A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFL110TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT223t/r |
Stan magazynowy:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 540mOhm | 1,5A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | VISHAY | |||||||||||||
IRFL9014TRPBF
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 500mOhm; 1,8A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL9014PBF; IRFL9014TRPBF; IRFL9014PBF-GURT; IRFL9014TRPBF-BE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1642 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 500mOhm | 1,8A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFL9014TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 500mOhm | 1,8A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFL9014TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
22500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 500mOhm | 1,8A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFL9014TRPBF Obudowa dokładna: SOT223 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 500mOhm | 1,8A | 3,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT223 | VISHAY | |||||||||||||
IRFP140PBF
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 77mOhm; 31A; 180W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP140PBF; IRFP140;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: IRFP140PBF RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 77mOhm | 31A | 180W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: IRFP140PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 77mOhm | 31A | 180W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: IRFP140PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 77mOhm | 31A | 180W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | VISHAY | |||||||||||||
IRFP3077
Tranzystor N-MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 200A; 340W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP3077PBF; IRFP3077PBFXKMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 75V | 20V | 3,3mOhm | 200A | 340W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 75V | 20V | 3,3mOhm | 200A | 340W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP3077PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
125 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 3,3mOhm | 200A | 340W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP3077PBFXKMA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 75V | 20V | 3,3mOhm | 200A | 340W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFP4310Z
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 6mOhm; 134A; 280W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4310ZPBF; IRFP4310ZPBFXKMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 7 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 6mOhm | 134A | 280W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Stan magazynowy:
18 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 18 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 6mOhm | 134A | 280W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP4310ZPBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
1407 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 6mOhm | 134A | 280W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP4310ZPBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
1000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 6mOhm | 134A | 280W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFP4568PBF
Tranzystor N-MOSFET; 150V; 30V; 5,9mOhm; 171A; 517W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4568PBF; IRFP4568PBFXKMA1; IRFP4568;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
42 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 30V | 5,9mOhm | 171A | 517W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP4568PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
280 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 30V | 5,9mOhm | 171A | 517W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP4568PBFXKMA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
837 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 30V | 5,9mOhm | 171A | 517W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRFP4768
Tranzystor N-MOSFET; 250V; 20V; 17,5mOhm; 93A; 520W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP4768PBF; IRFP4768PBFXKMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
International Rectifier Symbol Producenta: IRFP4768 RoHS Obudowa dokładna: TO247 |
Stan magazynowy:
38 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 250V | 20V | 17,5mOhm | 93A | 520W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP4768PBFXKMA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 20V | 17,5mOhm | 93A | 520W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP4768PBFXKMA1 Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
205 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 250V | 20V | 17,5mOhm | 93A | 520W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247 | International Rectifier | |||||||||||||
IRFP4868PBF INFINEON
Transistor N-Channel MOSFET; 300V; -/+20V; 25,5mOhm; 70A; 517W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IRFP4868PBF; IRFP4868PBFAKMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
19 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 300V | 10V | 20V | 25,5mOhm | 70A | 517W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | INFINEON | ||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP4868PBF Obudowa dokładna: TO247 |
Magazyn zewnetrzny:
105 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
MOSFET | 300V | 10V | 20V | 25,5mOhm | 70A | 517W | THT | -55°C ~ 150°C | TO247 | INFINEON | ||||||||||||
IRFP9140NPBF
Tranzystor P-MOSFET; 100V; 20V; 117mOhm; 23A; 140W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFP9140NPBF; IRFP9140N;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP9140NPBF Obudowa dokładna: TO247AC |
Magazyn zewnetrzny:
310 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247AC | International Rectifier | |||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25/100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247AC | International Rectifier | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFP9140NPBF Obudowa dokładna: TO247AC |
Magazyn zewnetrzny:
13221 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 100V | 20V | 117mOhm | 23A | 140W | THT | -55°C ~ 175°C | TO247AC | International Rectifier | |||||||||||||
IRFR220NTRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 200V; 20V; 600mOhm; 5A; 43W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFR220NPBF; IRFR220NTRPBF; IRFR220NPBF-GURT; IRFR220NTRLPBF; IRFR220N;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR220NTR RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
210 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 600mOhm | 5A | 43W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR220NTRPBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
62000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 600mOhm | 5A | 43W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR220NTRPBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 600mOhm | 5A | 43W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR220NTRPBF Obudowa dokładna: TO252 |
Magazyn zewnetrzny:
6400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 600mOhm | 5A | 43W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRFR220NTRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252t/r |
Stan magazynowy:
2000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 600mOhm | 5A | 43W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | Infineon (IRF) |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.