Tranzystory polowe (wyszukane: 5412)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2V7002KT1G
Trans MOSFET N-CH 60V 0.32A Automotive 3-Pin SOT-23
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 60V | 20V | 300W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-5 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2V7002KT1G Obudowa dokładna: SOT23-5 |
Magazyn zewnetrzny:
1779000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
MOSFET | 60V | 20V | 300W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-5 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: 2V7002KT1G Obudowa dokładna: SOT23-5 |
Magazyn zewnetrzny:
30000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
MOSFET | 60V | 20V | 300W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-5 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||||
3SK293
Tranzystor N-Channel MOSFET; 12,5V; 8V; 30mA; 100mW; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: 3SK293(TE85L,F);
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 12,5V | 8V | 30mA | 100mW | SMD | -55°C ~ 125°C | 2-2K1B | TOSHIBA | ||||||||||||||
8205A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 25mOhm; 6A; 1,5W; -55°C~150°C; Podobny do: 8205A; S8205A; MS8205A; FS8205A; WST8205A; .8205A/B; CJL8205A; 8205A-HXY; JMTM8205A; UT8205AG-AG6; TPM8205ATS6; TPM8205ATS6-1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
15 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 25mOhm | 6A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-6 | MSK | |||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 25mOhm | 6A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-6 | MSK | |||||||||||||
Stan magazynowy:
70 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 25mOhm | 6A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23-6 | MSK | |||||||||||||
8205A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 27mOhm; 6A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Podobny do: HX8205A; MS8205A; FS8205A; SC8205A; 8205A/A; BLM8205A; WSP8205A; VBZC8205A; TPM8205AT8; UT8205AG-P08-R; NM8205A;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
85 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 27mOhm | 6A | 1,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | TSSOP08 | HXY MOSFET | |||||||||||||
AO3400 SOT23-3 HOTTECH
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3270 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 55mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HOTTECH | |||||||||||||
AO3400 HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
800 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 55mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
SL3400 SLKOR
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 59mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 59mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | SLKOR | |||||||||||||
KAO3400 KUU
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 35mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: KAO3400 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 600 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 35mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | KUU | |||||||||||||
AO3400A UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 48mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 48mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
AO3401A Alpha & Omega Semiconductor AOS
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 85mOhm; 4A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3401A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
11059 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 85mOhm | 4A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO3401A SOT23 BORN
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 85mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2284 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000/15000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 85mOhm | 4,2A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
BL3401 GALAXY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 90mOhm | 4,2A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | GALAXY | |||||||||||||
AO3401 HXY MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 1,2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 90mOhm | 4,2A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
AO3401 JUXING
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 90mOhm; 4,2A; 350mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 90mOhm | 4,2A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | JUXING | |||||||||||||
KAO3401 SOT23 KUU
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 100mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: KAO3401 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
150 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 293 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 100mOhm | 4,1A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 155°C | SOT23 | KUU | |||||||||||||
AO3401 MLCCBASE
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 120mOhm | 4,2A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | MLCCBASE | |||||||||||||
SK3401 SHIKUES
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 120mOhm; 4,2A; 25°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
800 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 120mOhm | 4,2A | SMD | 25°C ~ 150°C | SOT23 | SHIKUES | ||||||||||||||
SL3401A SLKOR
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 85mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3401A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1300 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 85mOhm | 4,2A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | SLKOR | |||||||||||||
AO3402
Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2900 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 30V | 12V | 60mOhm | 4A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
KAO3402 KUU
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 12V; 110mOhm; 4A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: KAO3402 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
158 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 158 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 110mOhm | 4A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | KUU | |||||||||||||
Producent:
kuu semiconductor Symbol Producenta: KAO3402 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
142 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 142 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 110mOhm | 4A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | KUU | |||||||||||||
AO3403
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 200mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3403 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 200mOhm | 2,6A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO3403A UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 85mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3403 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
480 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 85mOhm | 2,6A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
AO3404A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3404A RoHS X4. Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
400 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 36mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3404A RoHS X4. Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 36mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO3407 HXY MOSFET
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 98mOhm; 4,1A; 1,32W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3407 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 98mOhm | 4,1A | 1,32W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
AO3407A Alpha & Omega Semiconductor
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 78mOhm; 4,3A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3400A 003;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3407A RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1680 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 78mOhm | 4,3A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-04-12
Ilość szt.: 3000
|
|||||||||||||||||||||||
AO3407 JUXING
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 350mW; -50°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3407 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 87mOhm | 4,1A | 350mW | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | JUXING | |||||||||||||
AO3407A UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 87mOhm; 4,1A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3407A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3250 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 87mOhm | 4,1A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
AO3409
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 180mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3409 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
235 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 180mOhm | 2,6A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AO3409A UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 2,6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3409 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
970 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 970 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 200mOhm | 2,6A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
Stan magazynowy:
30 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 200mOhm | 2,6A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
AO3413
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 130mOhm; 3A; 1,4W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AO3413 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
170 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 130mOhm | 3A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ALPHA&OMEGA |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.