Tranzystory polowe (wyszukane: 5463)

1    3  4  5  6  7  8  9  10  11    183
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
IRLML0060TR UMW Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 116mOhm; 2,7A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0060TRPBF; SP001568948;
IRLML0060TR RoHS || IRLML0060TR UMW SOT23
Producent:
UMW
Symbol Producenta:
IRLML0060TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,9700 0,5300 0,3480 0,3000 0,2770
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 16V 116mOhm 2,7A 1,25W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 UMW
IRLML0100TRPBF HXY MOSFET Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 290mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0100TRPBF; SP001568612;
IRLML0100TRPBF RoHS || IRLML0100TRPBF HXY MOSFET SOT23
Producent:
HXY MOSFET
Symbol Producenta:
IRLML0100TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
160 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,7260 0,2900 0,1690 0,1410 0,1320
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 290mOhm 3A 1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HXY MOSFET
IRLML0100TR UMW Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 235mOhm; 1,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0100TRPBF; SP001568612;
IRLML0100TR RoHS || IRLML0100TR UMW SOT23
Producent:
UMW
Symbol Producenta:
IRLML0100TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,9210 0,5040 0,3300 0,2850 0,2630
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 16V 235mOhm 1,6A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 UMW
IRLML2803 Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2803TRPBF; IRLML2803PBF; IRLML2803GTRPBF;
IRLML2803TR RoHS || IRLML2803TRPBF || IRLML2803 SOT23
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRLML2803TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3217 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1400 0,6070 0,4710 0,4340 0,4160
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 400mOhm 1,2A 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRLML2803TRPBF
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
696000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4160
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 20V 400mOhm 1,2A 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRLML2803TRPBF
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
153000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4160
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 20V 400mOhm 1,2A 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRLML2803TRPBF
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
22700 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4160
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 20V 400mOhm 1,2A 540mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 Infineon (IRF)
IRLML5203 UMW Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 145mOhm; 3A; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML5203TRPBF; IRLML5203GTRPBF; SP001567222; SP001558846;
IRLML5203 RoHS 1H MK. || IRLML5203 UMW SOT23
Producent:
UMW
Symbol Producenta:
IRLML5203 RoHS 1H MK.
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2450 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8820 0,4880 0,3240 0,2710 0,2520
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 145mOhm 3A 300mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 UMW
IRLML6344 SOT23 Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 5A; 29mOhm; 12V; 1,3W; -55°C~150°C; Odpowiednik: YJL3400A-F2-0000HF;
IRLML6344 RoHS || YJL3400A-F2-0000HF RoHS || IRLML6344 SOT23 SOT23
Producent:
HOTTECH
Symbol Producenta:
IRLML6344 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2800 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,0500 0,5320 0,3220 0,2550 0,2330
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 4,5V 12V 29mOhm 5A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HOTTECH
 
Producent:
YY
Symbol Producenta:
YJL3400A-F2-0000HF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8090 0,3840 0,2160 0,1640 0,1470
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 4,5V 12V 29mOhm 5A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HOTTECH
IRLML6344TRPBF HXY MOSFET Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6344TRPBF; SP001574050;
IRLML6344TRPBF RoHS || IRLML6344TRPBF HXY MOSFET SOT23
Producent:
HXY MOSFET
Symbol Producenta:
IRLML6344TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
504 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
cena netto (PLN) 0,7480 0,2990 0,1740 0,1450 0,1360
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 12V 55mOhm 5,8A 1,4W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 HXY MOSFET
IRLML6346TR UMW Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 80mOhm; 3,4A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6346TRPBF; SP001578770;
IRLML6346TR RoHS || IRLML6346TR UMW SOT23
Producent:
UMW
Symbol Producenta:
IRLML6346TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
400 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,8890 0,4900 0,3250 0,2700 0,2540
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 12V 80mOhm 3,4A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 UMW
IRLML6401 Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
IRLML6401TR RoHS || IRLML6401TR RoHS F... || IRLML6401TRPBF || IRLML6401 SOT23
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRLML6401TR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
866 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,2400 0,6860 0,4550 0,3800 0,3540
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 12V 8V 125mOhm 4,3A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 INFINEON
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRLML6401TR RoHS F...
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
1500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,2400 0,6860 0,4550 0,3800 0,3540
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 12V 8V 125mOhm 4,3A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 INFINEON
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRLML6401TRPBF
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
915000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3540
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 12V 8V 125mOhm 4,3A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 INFINEON
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRLML6401TRPBF
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
396000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3540
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 12V 8V 125mOhm 4,3A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 INFINEON
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRLML6401TRPBF
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
507200 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3540
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 12V 8V 125mOhm 4,3A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 INFINEON
IRLR3410TRPBF HXY MOSFET Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 130mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
IRLR3410TRPBF RoHS || IRLR3410TRPBF HXY MOSFET TO252 (DPACK)
Producent:
HXY MOSFET
Symbol Producenta:
IRLR3410TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
75 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,4200 1,5200 1,2600 1,1200 1,0500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 130mOhm 15A 34,7W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) HXY MOSFET
IRLR3410TRPBF JGSEMI Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 140mOhm; 10A; 5W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
IRLR3410TRPBF RoHS || IRLR3410TRPBF JGSEMI TO252 (DPACK)
Producent:
JGSEMI
Symbol Producenta:
IRLR3410TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,2300 1,3500 1,0400 0,9350 0,8900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 140mOhm 10A 5W SMD -55°C ~ 125°C TO252 (DPACK) JGSEMI
IRLR3410TRPBF-ML MOSLEADER Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
IRLR3410TRPBF-ML RoHS || IRLR3410TRPBF-ML MOSLEADER TO252 (DPACK)
Producent:
MOSLEADER
Symbol Producenta:
IRLR3410TRPBF-ML RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
130 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,2700 1,3800 1,0600 0,9550 0,9090
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 120mOhm 15A 34,7W SMD -55°C ~ 150°C TO252 (DPACK) MOSLEADER
IRLR8726TRPBF JGSEMI Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
IRLR8726TRPBF RoHS || IRLR8726TRPBF JGSEMI TO252 (DPACK)
Producent:
JGSEMI
Symbol Producenta:
IRLR8726TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
350 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 1,3700 0,8980 0,6450 0,5530 0,5260
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 11mOhm 80A 54W SMD -55°C ~ 125°C TO252 (DPACK) JGSEMI
IRLR8726TR UMW Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
IRLR8726TR RoHS || IRLR8726TR UMW TO252 (DPACK)
Producent:
UMW
Symbol Producenta:
IRLR8726TR RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
karta katalogowa
Stan magazynowy:
250 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
cena netto (PLN) 1,3800 0,9050 0,6500 0,5570 0,5300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 8mOhm 86A 75W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) UMW
IRLR8726TRPBF Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726TRLPBF; IRLR8726PBF; IRLR8726TRPBF; IRLR8726PBF-GURT; IRLR8726;
IRLR8726TRPBF RoHS || IRLR8726TRPBF || IRLR8726TRPBF TO252 (DPACK)
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRLR8726TRPBF RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
 
Stan magazynowy:
4890 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,0000 1,2100 0,9310 0,8400 0,7990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 8mOhm 86A 75W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRLR8726TRPBF
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
 
Magazyn zewnetrzny:
4550 szt.
Ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8670
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 20V 8mOhm 86A 75W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon (IRF)
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
IRLR8726TRPBF
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK)
 
Magazyn zewnetrzny:
22000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,7990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 20V 8mOhm 86A 75W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) Infineon (IRF)
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-09
Ilość szt.: 2000
                     
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-06-01
Ilość szt.: 2000
                     
                           
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-19
Ilość szt.: 10000
                     
MMBF5484 Tranzystor N-JFET; 25V; 25V; 5mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
MMBF5484 RoHS || MMBF5484 || MMBF5484 SOT23
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBF5484 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,7000 2,3200 1,9300 1,7200 1,6100
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-JFET 25V 25V 5mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBF5484
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6100
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-JFET 25V 25V 5mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBF5484
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,6100
Dodaj do porównywarki
Towar dostępny
do wyczerpania zapasów
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-JFET 25V 25V 5mA 225mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 ON SEMICONDUCTOR
MMBFJ112 Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
MMBFJ112 RoHS || MMBFJ112 || MMBFJ112 SOT23
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBFJ112 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1980 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,2300 0,6800 0,4520 0,3770 0,3510
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-JEFT -35V 50Ohm SMD -55°C ~ 155°C SOT23 ONSEMI
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBFJ112
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3510
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-JEFT -35V 50Ohm SMD -55°C ~ 155°C SOT23 ONSEMI
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
MMBFJ112
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
171000 szt.
Ilość szt. 1539+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3510
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-JEFT -35V 50Ohm SMD -55°C ~ 155°C SOT23 ONSEMI
NTD5865NLT4G Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 19mOhm; 46A; 71W; -55°C ~ 175°C;
NTD5865NLT4G RoHS || NTD5865NLT4G TO252 (DPACK)
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
NTD5865NLT4G RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
 
Stan magazynowy:
70 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,5900 2,2500 1,8700 1,6700 1,5600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 19mOhm 46A 71W SMD -55°C ~ 175°C TO252 (DPACK) ON SEMICONDUCTOR
NTD5867N Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Odpowiednik: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G;
NTD5867NLT4G RoHS || NTD5867N TO252
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
NTD5867NLT4G RoHS
Obudowa dokładna:
TO252 (DPACK) t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
150 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 40+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 3,1500 1,9700 1,5700 1,4100 1,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 33mOhm 20A 50W THT -55°C ~ 150°C TO252 TECH PUBLIC
NTS4173PT1G Tranzystor P-MOSFET; 30V; 12V; 280mOhm; 1,2A; 290mW; -55°C ~ 150°C;
NTS4173PT1G RoHS || NTS4173PT1G || NTS4173PT1G SOT323
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
NTS4173PT1G RoHS
Obudowa dokładna:
SOT323 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
2795 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,3400 0,7120 0,5520 0,5090 0,4880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 12V 280mOhm 1,2A 290mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
NTS4173PT1G
Obudowa dokładna:
SOT323
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 30V 12V 280mOhm 1,2A 290mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
NTS4173PT1G
Obudowa dokładna:
SOT323
 
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt.
Ilość szt. 1737+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4880
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 30V 12V 280mOhm 1,2A 290mW SMD -55°C ~ 150°C SOT323 ON SEMICONDUCTOR
SI2301CDS-T1-GE3 Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY;
SI2301CDS-T1-GE3 RoHS || SI2301CDS-T1-GE3 || SI2301CDS-T1-E3 || SI2301CDS-T1-GE3 SOT23
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SI2301CDS-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
7600 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,2500 0,6930 0,4610 0,3840 0,3580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 142mOhm 3,1A 1,6W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SI2301CDS-T1-GE3
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
450000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 20V 8V 142mOhm 3,1A 1,6W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Producent:
-
Symbol Producenta:
SI2301CDS-T1-GE3
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3580
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 20V 8V 142mOhm 3,1A 1,6W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SI2301CDS-T1-E3
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4365
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 20V 8V 142mOhm 3,1A 1,6W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
SI2304DDS Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2304DDS-T1-GE3;
SI2304DDS-T1-GE3 RoHS || SI2304DDS-T1-GE3 || SI2304DDS SOT23
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SI2304DDS-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,3600 0,7270 0,5660 0,5120 0,4950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 10V 20V 60mOhm 3,3A 1,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SI2304DDS-T1-GE3
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
216000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 10V 20V 60mOhm 3,3A 1,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Producent:
-
Symbol Producenta:
SI2304DDS-T1-GE3
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
201000 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 10V 20V 60mOhm 3,3A 1,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SI2304DDS-T1-GE3
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
99000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4950
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 10V 20V 60mOhm 3,3A 1,1W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 VISHAY
SI2308BDS Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 3A; 350mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2308BDS-VB; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-GE3-VB;
SI2308BDS RoHS E8. || SI2308BDS SOT23
Producent:
TECH PUBLIC
Symbol Producenta:
SI2308BDS RoHS E8.
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
140 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 40+ 150+ 750+
cena netto (PLN) 1,2000 0,7650 0,5540 0,4740 0,4370
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
150
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 105mOhm 3A 350mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 TECH PUBLIC
AS3400 Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 51mOhm; 5,6A; 1,2W; -55°C~150°C;
AS3400 RoHS || AS3400 SOT23
Producent:
AnBon
Symbol Producenta:
AS3400 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,7590 0,3610 0,2030 0,1540 0,1380
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 12V 51mOhm 5,6A 1,2W SMD -55°C ~ 150°C SOT23 AnBon
SI4435DDY Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4435DDY-T1-GE3; SI4435DDY-T1-E3; SI4435DDY-GE3;
SI4435DDY-T1-GE3 RoHS || SI4435DDY-T1-GE3 || SI4435DDY SOP08
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI4435DDY-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
75 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 2,3700 1,4900 1,2300 1,1000 1,0300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 35mOhm 11,4A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SI4435DDY-T1-GE3
Obudowa dokładna:
SOP08
 
Magazyn zewnetrzny:
800 szt.
Ilość szt. 50+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0973
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 30V 20V 35mOhm 11,4A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SI4435DDY-T1-GE3
Obudowa dokładna:
SOP08
 
Magazyn zewnetrzny:
17500 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,0300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 30V 20V 35mOhm 11,4A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Producent:
-
Symbol Producenta:
SI4435DDY-T1-GE3
Obudowa dokładna:
SOP08
 
Magazyn zewnetrzny:
291 szt.
Ilość szt. 1+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,4136
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 30V 20V 35mOhm 11,4A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI4459ADY Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3;
SI4459ADY-T1-GE3 RoHS || SI4459ADY-T1-GE3 || SI4459ADY SOP08
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI4459ADY-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
cena netto (PLN) 5,6100 3,9200 3,2200 3,0000 2,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
30
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 7,7mOhm 29A 7,8W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SI4459ADY-T1-GE3
Obudowa dokładna:
SOP08
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 30V 20V 7,7mOhm 29A 7,8W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI9407BDY Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 4,7A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9407AEY; SI9407BDY-T1-E3; SI9407BDY-T1-GE3; SI9407BDY-GE3;
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS || SI9407BDY-T1-GE3 || SI9407BDY-T1-E3 || SI9407BDY SOP08
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
14 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,3100 2,0800 1,7300 1,5400 1,4400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 150mOhm 4,7A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI9407BDY-T1-GE3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
3 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,4500 2,1700 1,8000 1,6000 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 60V 20V 150mOhm 4,7A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SI9407BDY-T1-GE3
Obudowa dokładna:
SOP08
 
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 60V 20V 150mOhm 4,7A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SI9407BDY-T1-E3
Obudowa dokładna:
SOP08
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 2500+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2500
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 60V 20V 150mOhm 4,7A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
 
Producent:
Vishay
Symbol Producenta:
SI9407BDY-T1-GE3
Obudowa dokładna:
SOP08
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 378+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 60V 20V 150mOhm 4,7A 5W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI9433BDY Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3;
SI9433BDY-T1-E3 RoHS || SI9433BDY SOP08
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI9433BDY-T1-E3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,9300 4,5200 3,7400 3,2800 3,1200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 12V 60mOhm 4,5A 1,3W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SI9926BDY Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 6,2A; 1,14W; -55°C ~ 150°C; SI9926BDY-T1-E3, SI9926BDY-T1-GE3
SI9926BDY-T1-E3 RoHS || SI9926BDY SOP08
Producent:
Siliconix
Symbol Producenta:
SI9926BDY-T1-E3 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
 
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,0400 1,9200 1,5200 1,3800 1,3200
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 20V 12V 30mOhm 6,2A 1,14W SMD -55°C ~ 150°C SOP08 VISHAY
SK3415 SHIKUES Tranzystor P-Channel MOSFET; 25V; 12V; 180mOhm; 4,2A; 25°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3415;
SK3415 RoHS || SK3415 SHIKUES SC59
Producent:
SHIKUES
Symbol Producenta:
SK3415 RoHS
Obudowa dokładna:
SC59
karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,9990 0,5050 0,3050 0,2410 0,2220
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 25V 12V 180mOhm 4,2A SMD 25°C ~ 150°C SC59 SHIKUES
1    3  4  5  6  7  8  9  10  11    183

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.