Tranzystory polowe (wyszukane: 5412)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOD442
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 37mOhm; 37A; 60W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD442 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 37mOhm | 37A | 60W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD442 Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 37mOhm | 37A | 60W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD444
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 100mOhm; 12A; 20W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD444 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 100mOhm | 12A | 20W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD450
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 30V; 1,32Ohm; 3,8A; 25W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD450 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 30V | 1,32Ohm | 3,8A | 25W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD458
Tranzystor N-Channel MOSFET; 250V; 30V; 280mOhm; 14A; 150W; -50°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD458 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
80 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 250V | 30V | 280mOhm | 14A | 150W | SMD | -50°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD464
Tranzystor N-Channel MOSFET; 105V; 25V; 40mOhm; 40A; 100W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD464 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
15 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 105V | 25V | 40mOhm | 40A | 100W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD468
Tranzystor N-Channel MOSFET; 300V; 30V; 420mOhm; 11,5A; 150W; -50°C~175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
0 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 300V | 30V | 420mOhm | 11,5A | 150W | SMD | -50°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 300V | 30V | 420mOhm | 11,5A | 150W | SMD | -50°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD478
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 270mOhm; 11A; 45W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA Symbol Producenta: AOD478 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
85 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 270mOhm | 11A | 45W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD480
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 33mOhm; 25A; 21W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD480 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
2500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 33mOhm | 25A | 21W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD482
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 76mOhm; 32A; 100W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD482 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 76mOhm | 32A | 100W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD4N60
Tranzystor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD4N60 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 600V | 30V | 2,3Ohm | 4A | 104W | SMD | -50°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD5N50
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 1,6Ohm; 5A; 104W; -50°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD5N50 RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 500V | 30V | 1,6Ohm | 5A | 104W | SMD | -50°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD603A
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm/180mOhm; 12A; 27W/42,5W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
31 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 60V | 20V | 180mOhm | 12A | 42,5W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252/5-2 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOD609
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 46mOhm/66mOhm; 12A; 27W/30W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD609 RoHS Obudowa dokładna: TO252/5-2 |
Stan magazynowy:
56 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 40V | 20V | 66mOhm | 12A | 30W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252/5-2 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOD609 Obudowa dokładna: TO252/5-2 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 40V | 20V | 66mOhm | 12A | 30W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252/5-2 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOI403
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 8,5mOhm; 70A; 90W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOI403 RoHS Obudowa dokładna: TO251A |
Stan magazynowy:
25 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 8,5mOhm | 70A | 90W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251A | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AOI4185
Tranzystor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 23mOhm; 40A; 62,5W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOI4185 RoHS Obudowa dokładna: TO251A |
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 70 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 23mOhm | 40A | 62,5W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251A | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AOI4185 RoHS Obudowa dokładna: TO251A |
Stan magazynowy:
30 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 40V | 20V | 23mOhm | 40A | 62,5W | THT | -55°C ~ 175°C | TO251A | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AON6226
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 7,9mOhm; 48A; 108W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 100V | 20V | 7,9mOhm | 48A | 108W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08 | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AON6242
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3,6mOhm; 85A; 83W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AON6242 RoHS Obudowa dokładna: DFN08(5x6) |
Stan magazynowy:
20 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 25 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 3,6mOhm | 85A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(5x6) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AON6298
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 16,5mOhm; 46A; 78W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AON6298 RoHS Obudowa dokładna: DFN08(5x6) |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 16,5mOhm | 46A | 78W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(5x6) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AON6324 ALPHA&OMEGA
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 2,8mOhm; 85A; 32,5W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AON6324 RoHS Obudowa dokładna: DFN08(5x6) |
Stan magazynowy:
79 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 2,8mOhm | 85A | 32,5W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(5x6) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AON6403
Tranzystor P-Channel MOSFET; -30V; 20V; 3,1mOhm; -85A; 83W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AON6403 RoHS Obudowa dokładna: DFN08(5x6) |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | -30V | 20V | 3,1mOhm | -85A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(5x6) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AON6407
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 4,5mOhm; 85A; 83W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AON6407 RoHS Obudowa dokładna: DFN08(5x6) |
Stan magazynowy:
37 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 4,5mOhm | 85A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(5x6) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AON6407 Obudowa dokładna: DFN08(5x6) |
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 25V | 4,5mOhm | 85A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(5x6) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AON6411
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 3,6mOhm; 85A; 156W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AON6411 RoHS Obudowa dokładna: DFN08(5x6) |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 3,6mOhm | 85A | 156W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(5x6) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AON6414A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11,4mOhm; 30A; 31W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AON6414A RoHS Obudowa dokładna: DFN08(5x6) |
Stan magazynowy:
44 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 11,4mOhm | 30A | 31W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(5x6) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AON6500 DFN08
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 1,4mOhm; 200A; 83W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AON6500 RoHS Obudowa dokładna: DFN08(5x6) |
Stan magazynowy:
277 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 1,4mOhm | 200A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(5x6) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AON6512
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 1,7mOhm; 150A; 83W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AON6512 RoHS Obudowa dokładna: DFN08 |
Stan magazynowy:
2940 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 1,7mOhm | 150A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08 | ALPHA&OMEGA | ||||||||||||
AON7246
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 26mOhm; 34,5A; 34,7W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 26mOhm | 34,5A | 34,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(3x3) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AON7254
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 107mOhm; 17A; 39W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AON7254 RoHS Obudowa dokładna: DFN08(3.3x3.3) |
Stan magazynowy:
28 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 107mOhm | 17A | 39W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(3.3x3.3) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AON7296
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 122mOhm; 12,5A; 20,8W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AON7296 RoHS Obudowa dokładna: DFN08(3x3) |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 122mOhm | 12,5A | 20,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(3x3) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AON7400A
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11,3mOhm; 40A; 25W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AON7400A RoHS Obudowa dokładna: DFN08(3x3) |
Stan magazynowy:
100 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 11,3mOhm | 40A | 25W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(3x3) | ALPHA&OMEGA | |||||||||||||
AON7401
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 19mOhm; 35A; 29W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ALPHA&OMEGA Symbol Producenta: AON7401 RoHS Obudowa dokładna: DFN08(3x3) |
Stan magazynowy:
28 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 25V | 19mOhm | 35A | 29W | SMD | -55°C ~ 150°C | DFN08(3x3) | ALPHA&OMEGA |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.