Tranzystory polowe (wyszukane: 5463)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRLML0060TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 116mOhm; 2,7A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0060TRPBF; SP001568948;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 16V | 116mOhm | 2,7A | 1,25W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
IRLML0100TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 290mOhm; 3A; 1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0100TRPBF; SP001568612;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
160 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 290mOhm | 3A | 1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
IRLML0100TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 16V; 235mOhm; 1,6A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0100TRPBF; SP001568612;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 16V | 235mOhm | 1,6A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
IRLML2803
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML2803TRPBF; IRLML2803PBF; IRLML2803GTRPBF;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2803TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3217 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 400mOhm | 1,2A | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2803TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
696000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 400mOhm | 1,2A | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2803TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
153000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 400mOhm | 1,2A | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML2803TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
22700 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 400mOhm | 1,2A | 540mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | Infineon (IRF) | |||||||||||||
IRLML5203 UMW
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 145mOhm; 3A; 300mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML5203TRPBF; IRLML5203GTRPBF; SP001567222; SP001558846;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2450 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 145mOhm | 3A | 300mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
IRLML6344 SOT23
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 5A; 29mOhm; 12V; 1,3W; -55°C~150°C; Odpowiednik: YJL3400A-F2-0000HF;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2800 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 4,5V | 12V | 29mOhm | 5A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HOTTECH | ||||||||||||
Producent:
YY Symbol Producenta: YJL3400A-F2-0000HF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 4,5V | 12V | 29mOhm | 5A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HOTTECH | ||||||||||||
IRLML6344TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6344TRPBF; SP001574050;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
504 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 55mOhm | 5,8A | 1,4W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | HXY MOSFET | |||||||||||||
IRLML6346TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 80mOhm; 3,4A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6346TRPBF; SP001578770;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
400 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 80mOhm | 3,4A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | UMW | |||||||||||||
IRLML6401
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6401TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
866 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 125mOhm | 4,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | INFINEON | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6401TR RoHS F... Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
1500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 12V | 8V | 125mOhm | 4,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | INFINEON | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6401TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
915000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 12V | 8V | 125mOhm | 4,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | INFINEON | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6401TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
396000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 12V | 8V | 125mOhm | 4,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | INFINEON | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLML6401TRPBF Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
507200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 12V | 8V | 125mOhm | 4,3A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | INFINEON | |||||||||||||
IRLR3410TRPBF HXY MOSFET
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 130mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
75 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 130mOhm | 15A | 34,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | HXY MOSFET | |||||||||||||
IRLR3410TRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 140mOhm; 10A; 5W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 140mOhm | 10A | 5W | SMD | -55°C ~ 125°C | TO252 (DPACK) | JGSEMI | |||||||||||||
IRLR3410TRPBF-ML MOSLEADER
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 120mOhm; 15A; 34,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLR3410PBF; IRLR3410TRLPBF; IRLR3410TRPBF; IRLR3410TRRPBF; SP001552798; SP001576994; SP001567392; SP001558920;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
130 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 120mOhm | 15A | 34,7W | SMD | -55°C ~ 150°C | TO252 (DPACK) | MOSLEADER | |||||||||||||
IRLR8726TRPBF JGSEMI
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 80A; 54W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
350 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 11mOhm | 80A | 54W | SMD | -55°C ~ 125°C | TO252 (DPACK) | JGSEMI | |||||||||||||
IRLR8726TR UMW
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726PBF; IRLR8726TRLPBF; IRLR8726TRPBF; SP001573950; SP001552846; SP001573108;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
250 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 8mOhm | 86A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | UMW | |||||||||||||
IRLR8726TRPBF
Tranzystor N-MOSFET; 30V; 20V; 8mOhm; 86A; 75W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRLR8726TRLPBF; IRLR8726PBF; IRLR8726TRPBF; IRLR8726PBF-GURT; IRLR8726;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8726TRPBF RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
4890 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 8mOhm | 86A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8726TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
4550 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 8mOhm | 86A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: IRLR8726TRPBF Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) |
Magazyn zewnetrzny:
22000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 8mOhm | 86A | 75W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | Infineon (IRF) | |||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-09
Ilość szt.: 2000
|
|||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-06-01
Ilość szt.: 2000
|
|||||||||||||||||||||||
|
Towar w drodze
Planowany termin: 2025-05-19
Ilość szt.: 10000
|
|||||||||||||||||||||||
MMBF5484
Tranzystor N-JFET; 25V; 25V; 5mA; 225mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF5484 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
5 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-JFET | 25V | 25V | 5mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF5484 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
12000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 25V | 25V | 5mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBF5484 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
6000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Towar dostępny
Sposób pakowania: do wyczerpania zapasów 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JFET | 25V | 25V | 5mA | 225mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||||
MMBFJ112
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1980 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-JEFT | -35V | 50Ohm | SMD | -55°C ~ 155°C | SOT23 | ONSEMI | ||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ112 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
21000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JEFT | -35V | 50Ohm | SMD | -55°C ~ 155°C | SOT23 | ONSEMI | ||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: MMBFJ112 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
171000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-JEFT | -35V | 50Ohm | SMD | -55°C ~ 155°C | SOT23 | ONSEMI | ||||||||||||||||
NTD5865NLT4G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 19mOhm; 46A; 71W; -55°C ~ 175°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
TECH PUBLIC Symbol Producenta: NTD5865NLT4G RoHS Obudowa dokładna: TO252 (DPACK) t/r |
Stan magazynowy:
70 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 19mOhm | 46A | 71W | SMD | -55°C ~ 175°C | TO252 (DPACK) | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
NTD5867N
Tranzystor N-MOSFET; 60V; 20V; 33mOhm; 20A; 50W; -55°C~150°C; Odpowiednik: NTD5867NLT4G; NTD5867NL-VB; NTD5867NLT4G-VB; NTD5867NLT4G;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
150 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 33mOhm | 20A | 50W | THT | -55°C ~ 150°C | TO252 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
NTS4173PT1G
Tranzystor P-MOSFET; 30V; 12V; 280mOhm; 1,2A; 290mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
2795 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 12V | 280mOhm | 1,2A | 290mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTS4173PT1G Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 12V | 280mOhm | 1,2A | 290mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: NTS4173PT1G Obudowa dokładna: SOT323 |
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 12V | 280mOhm | 1,2A | 290mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT323 | ON SEMICONDUCTOR | |||||||||||||
SI2301CDS-T1-GE3
Tranzystor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
7600 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 142mOhm | 3,1A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2301CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
450000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 142mOhm | 3,1A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: SI2301CDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
57000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 142mOhm | 3,1A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2301CDS-T1-E3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 20V | 8V | 142mOhm | 3,1A | 1,6W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | |||||||||||||
SI2304DDS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1W; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2304DDS-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 60mOhm | 3,3A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | ||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2304DDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
216000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 60mOhm | 3,3A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | ||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: SI2304DDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
201000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 60mOhm | 3,3A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | ||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI2304DDS-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
99000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 10V | 20V | 60mOhm | 3,3A | 1,1W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | VISHAY | ||||||||||||
SI2308BDS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 105mOhm; 3A; 350mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: SI2308BDS-VB; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-GE3-VB;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
140 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 150 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 105mOhm | 3A | 350mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | TECH PUBLIC | |||||||||||||
AS3400
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 51mOhm; 5,6A; 1,2W; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 12V | 51mOhm | 5,6A | 1,2W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | AnBon | |||||||||||||
SI4435DDY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 11,4A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4435DDY-T1-GE3; SI4435DDY-T1-E3; SI4435DDY-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
75 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 11,4A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
800 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 11,4A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
17500 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 11,4A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
- Symbol Producenta: SI4435DDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
291 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 35mOhm | 11,4A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI4459ADY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI4459ADY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
40 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 30 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 7,7mOhm | 29A | 7,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI4459ADY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 30V | 20V | 7,7mOhm | 29A | 7,8W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI9407BDY
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 150mOhm; 4,7A; 5W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9407AEY; SI9407BDY-T1-E3; SI9407BDY-T1-GE3; SI9407BDY-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
14 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-GE3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
3 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-E3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2500 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
Producent:
Vishay Symbol Producenta: SI9407BDY-T1-GE3 Obudowa dokładna: SOP08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 60V | 20V | 150mOhm | 4,7A | 5W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI9433BDY
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 60mOhm; 4,5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI9433BDY-E3; SI9433BDY-T1-E3; SI9433BDY-T1-GE3;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9433BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
50 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 12V | 60mOhm | 4,5A | 1,3W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SI9926BDY
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; 12V; 30mOhm; 6,2A; 1,14W; -55°C ~ 150°C; SI9926BDY-T1-E3, SI9926BDY-T1-GE3
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Siliconix Symbol Producenta: SI9926BDY-T1-E3 RoHS Obudowa dokładna: SOP08t/r |
Stan magazynowy:
200 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 12V | 30mOhm | 6,2A | 1,14W | SMD | -55°C ~ 150°C | SOP08 | VISHAY | |||||||||||||
SK3415 SHIKUES
Tranzystor P-Channel MOSFET; 25V; 12V; 180mOhm; 4,2A; 25°C ~ 150°C; Odpowiednik: AO3415;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
500 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 25V | 12V | 180mOhm | 4,2A | SMD | 25°C ~ 150°C | SC59 | SHIKUES |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.