IRLML6401

Symbol Micros: TIRLML6401
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 125mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,3A
Maksymalna tracona moc: 1,3W
Obudowa: SOT23
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 12V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML6401TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
916 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,2400 0,6860 0,4550 0,3800 0,3540
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML6401TR RoHS F... Obudowa dokładna: SOT23t/r  
Stan magazynowy:
3000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,2400 0,6860 0,4550 0,3800 0,3540
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML6401TRPBF Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
3108000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3540
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML6401TRPBF Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
201000 szt.
ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3540
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Producent: Infineon Symbol producenta: IRLML6401TRPBF Obudowa dokładna: SOT23  
Magazyn zewnętrzny:
515300 szt.
ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3540
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
Rezystancja otwartego kanału: 125mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,3A
Maksymalna tracona moc: 1,3W
Obudowa: SOT23
Producent: INFINEON
Maksymalne napięcie dren-źródło: 12V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD