IRLML6401TRPBF JGSEMI

Symbol Micros: TIRLML6401 JGS
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 110mOhm; 3,3A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 110mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,3A
Maksymalna tracona moc: 1,56W
Obudowa: SOT23
Producent: JGSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: JGSEMI Symbol producenta: IRLML6401TRPBF RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 0,8510 0,4300 0,2590 0,2050 0,1890
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Rezystancja otwartego kanału: 110mOhm
Maksymalny prąd drenu: 3,3A
Maksymalna tracona moc: 1,56W
Obudowa: SOT23
Producent: JGSEMI
Maksymalne napięcie dren-źródło: 20V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 12V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 125°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta