IRLML6401 UMW

Symbol Micros: TIRLML6401 UMW
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: SOT23
rys. techniczny Dodaj do ulubionych
Tranzystor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML6401TRPBF; IRLML6401GTRPBF; SP001577044; SP001568584;
Parametry
Rezystancja otwartego kanału: 125mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,3A
Maksymalna tracona moc: 1,3W
Obudowa: SOT23
Producent: UMW
Maksymalne napięcie dren-źródło: 12V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Producent: UMW Symbol producenta: IRLML6401TR RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r karta katalogowa
Stan magazynowy:
4000 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,8510 0,4310 0,2610 0,2070 0,1890
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Rezystancja otwartego kanału: 125mOhm
Maksymalny prąd drenu: 4,3A
Maksymalna tracona moc: 1,3W
Obudowa: SOT23
Producent: UMW
Maksymalne napięcie dren-źródło: 12V
Typ tranzystora: P-MOSFET
Maksymalne napięcie bramka-źródło: 8V
Temperatura pracy (zakres): -55°C ~ 150°C
Montaż: SMD

Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Usuń Wszystkie Symbole Kontrahenta

Dodaj symbol


Symbol Micros

Symbol Kontrahenta:

Dodaj kolejny Symbol Kontrahenta

Anuluj Wszystkie Symbole Kontrahenta