Tranzystory polowe (wyszukane: 5412)

1    8  9  10  11  12  13  14  15  16    181
Produkt Koszyk
Typ tranzystora
Maksymalne napięcie dren-źródło
Maksymalne napięcie dren-bramka
Maksymalne napięcie bramka-źródło
Rezystancja otwartego kanału
Maksymalny prąd drenu
Maksymalna tracona moc
Montaż
Temperatura pracy (zakres)
Obudowa
Producent
BM3415E SOT23 BORN Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 4,8A; 1,5W; -50°C ~ 150°C;
BM3415E RoHS || BM3415E SOT23 BORN SOT23
Producent:
BORN
Symbol Producenta:
BM3415E RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
280 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 0,8280 0,4150 0,2470 0,2050 0,1840
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
300
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 20V 8V 65mOhm 4,8A 1,5W SMD -50°C ~ 150°C SOT23 BORN
BS107P DIODES Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 30Ohm; 120mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS107AG; BS107ARL1G; BS107P;
BS107P RoHS || BS107P || BS107P DIODES TO92
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS107P RoHS
Obudowa dokładna:
TO92
karta katalogowa
Stan magazynowy:
40 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,5400 2,2400 1,7700 1,6100 1,5400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 200V 20V 30Ohm 120mA 500mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS107P RoHS
Obudowa dokładna:
TO92bul
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 3,5400 2,2400 1,7700 1,6100 1,5400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 200V 20V 30Ohm 120mA 500mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS107P
Obudowa dokładna:
TO92
 
Magazyn zewnetrzny:
7891 szt.
Ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,5400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 200V 20V 30Ohm 120mA 500mW THT -55°C ~ 150°C TO92 DIODES
BS170 Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS170(bulk); BS170G(tube); BS170D27Z; BS170D26Z; BS170G; BS170-GURT;BS170-D26Z; BS170-D27Z; BS170-D74Z; BS170-D75Z; BS170-LOSE; BS170; BS 170 Bulk;
BS170 RoHS || BS170 || BS170 TO92
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
BS170 RoHS
Obudowa dokładna:
TO92bul
 
Stan magazynowy:
719 szt.
Ilość szt. 5+ 30+ 200+ 1000+ 3000+
cena netto (PLN) 1,2000 0,5850 0,4010 0,3560 0,3440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
BS170
Obudowa dokładna:
TO92
 
Magazyn zewnetrzny:
17000 szt.
Ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
BS170
Obudowa dokładna:
TO92
 
Magazyn zewnetrzny:
14160 szt.
Ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
Fairchild
Symbol Producenta:
BS170
Obudowa dokładna:
TO92
 
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt.
Ilość szt. 2000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3440
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
1000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ON SEMICONDUCTOR
BS170-D26Z (krępowane=forming) Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT;
BS170-D26Z RoHS || BS170FTA || BS170-D26Z (krępowane=forming) TO92formed
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
BS170-D26Z RoHS
Obudowa dokładna:
TO92formed t/r
 
Stan magazynowy:
3720 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
cena netto (PLN) 1,4100 0,7810 0,6170 0,5600 0,5420
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS170FTA
Obudowa dokładna:
TO92formed
 
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8679
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed ON SEMICONDUCTOR
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS170FTA
Obudowa dokładna:
TO92formed
 
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5420
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 60V 20V 5Ohm 500mA 830mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed ON SEMICONDUCTOR
BS170FTA smd Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5Ohm; 0,15mA; 330mW; -55°C ~ 150°C;
BS170FTA RoHS || BS170FTA smd SOT23
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS170FTA RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
565 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,1200 1,2800 0,9880 0,8910 0,8480
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2403
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 5Ohm 0,15mA 330mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
BS250P Tranzystor P-Channel MOSFET; 45V; 20V; 14Ohm; 230mA; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS250KL; BS250P; BS250P-DIC; BS250;
BS250P RoHS || BS250P || BS250P TO92formed
Producent:
Zetex
Symbol Producenta:
BS250P RoHS
Obudowa dokładna:
TO92bul
 
Stan magazynowy:
485 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
cena netto (PLN) 3,4300 2,1600 1,6900 1,5400 1,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
500
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 45V 20V 14Ohm 230mA 700mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS250P
Obudowa dokładna:
TO92formed
 
Magazyn zewnetrzny:
42029 szt.
Ilość szt. 4000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
4000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 45V 20V 14Ohm 230mA 700mW THT -55°C ~ 150°C TO92formed DIODES
BS250FTA Tranzystor P-Channel MOSFET; 45V; +/-20V; 90mA; 14Ohm; 330mW; -55°C~150°C;
BS250FTA RoHS || BS250FTA || BS250FTA SOT23
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS250FTA RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 2,3200 1,4100 1,0800 0,9760 0,9290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 45V 20V 14Ohm 90mA 330mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
 
Producent:
DIODES/ZETEX
Symbol Producenta:
BS250FTA
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,9290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
P-MOSFET 45V 20V 14Ohm 90mA 330mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 DIODES
BS270 Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Tranzystor: N-MOSFET | unipolarny | 60V | 0,4A | Idm: 2A | 0,625W | TO92
BS270 RoHS || BS270 TO92
Producent:
ON-Semicoductor
Symbol Producenta:
BS270 RoHS
Obudowa dokładna:
TO92bul
karta katalogowa
Stan magazynowy:
494 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 30+ 100+ 494+
cena netto (PLN) 1,5900 1,0300 0,7960 0,6750 0,6100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
494
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 2Ohm 400mA 625mW THT -55°C ~ 150°C TO92 ONSEMI
BSC010NE2LSATMA1 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 20V; 1,3mOhm; 100A; 96W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC010NE2LSATMA1;
BSC010NE2LSATMA1 RoHS || BSC010NE2LSATMA1 || BSC010NE2LSATMA1 Infineon TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC010NE2LSATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 5,2800 4,0300 3,3400 2,9200 2,7800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 25V 20V 1,3mOhm 100A 96W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC010NE2LSATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,7800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 25V 20V 1,3mOhm 100A 96W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC010NE2LSATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,7800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 25V 20V 1,3mOhm 100A 96W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC016N04LS G Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC016N04LSGATMA1;
BSC016N04LSGATMA1 RoHS || BSC016N04LS G TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC016N04LSGATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
38 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 6,8200 5,2100 4,3100 3,7800 3,5900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 2,3mOhm 100A 139W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC016N06NS Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,9mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C;
BSC016N06NS RoHS || BSC016N06NSATMA1 || BSC016N06NS TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC016N06NS RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
64 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 11,0300 8,7500 7,9100 7,4800 7,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 60V 20V 2,9mOhm 100A 139W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC016N06NSATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 2,9mOhm 100A 139W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC016N06NSATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,3500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 60V 20V 2,9mOhm 100A 139W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC018NE2LS Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 69W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC018NE2LSI; BSC018NE2LSATMA1;
BSC018NE2LS RoHS || BSC018NE2LSATMA1 || BSC018NE2LS Infineon TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC018NE2LS RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,3600 2,1100 1,7500 1,5600 1,4600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 25V 20V 2,3mOhm 100A 69W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC018NE2LSATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,4600
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 25V 20V 2,3mOhm 100A 69W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC019N02KSG Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 3mOhm; 100A; 104W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC019N02KSGAUMA1;
BSC019N02KSG RoHS || BSC019N02KSG Infineon TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC019N02KSG RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 6,5200 4,5600 3,8800 3,5500 3,4300
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 3mOhm 100A 104W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC019N04NSGATMA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 1,9mOhm; 100A; 125W; -55°C ~ 150°C;
BSC019N04NSGATMA1 RoHS || BSC019N04NSGATMA1 || BSC019N04NSGATMA1 TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC019N04NSGATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 11,4700 8,8100 7,8300 7,3300 7,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 1,9mOhm 100A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC019N04NSGATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 7,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 40V 20V 1,9mOhm 100A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC022N04LS6 Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 3,2mOhm; 139A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BSC022N04LS6ATMA1;
BSC022N04LS6ATMA1 RoHS || BSC022N04LS6 TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC022N04LS6ATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 12,7900 10,5700 9,2600 8,6300 8,2500
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 3,2mOhm 139A 79W SMD -55°C ~ 175°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC024NE2LS INFINEON Tranzystor N-MOSFET; 25V; 20V; 3,4mOhm; 100A; 48W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC024NE2LSATMA1;
BSC024NE2LSATMA1 RoHS || BSC024NE2LSATMA1 || BSC024NE2LS INFINEON TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC024NE2LSATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,8300 3,2100 2,6600 2,4000 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
510
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 25V 20V 3,4mOhm 100A 48W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC024NE2LSATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,3000
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 25V 20V 3,4mOhm 100A 48W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC027N04LSG Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,1mOhm; 100A; 83W; -55°C ~ 150°C; BSC027N04LS G; BSC027N04LS G; SP000354810
BSC027N04LSG RoHS || BSC027N04LSGATMA1 || BSC027N04LSG TDSON-8
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC027N04LSG RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
81 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
cena netto (PLN) 4,5600 3,0300 2,5100 2,2600 2,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 40V 20V 4,1mOhm 100A 83W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC027N04LSGATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON-8
 
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,1700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 40V 20V 4,1mOhm 100A 83W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 5,7mOhm; 100A; 104W; -55°C ~ 150°C;
BSC040N08NS5ATMA1 RoHS || BSC040N08NS5ATMA1 || BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON TDSON-8
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC040N08NS5ATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
200 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 5,6800 3,9800 3,3800 3,0900 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
2300
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 80V 20V 5,7mOhm 100A 104W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC040N08NS5ATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON-8
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 2,9900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 80V 20V 5,7mOhm 100A 104W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
BSC042N03LSGATMA1 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6,5mOhm; 93A; 57W; -55°C ~ 150°C;
BSC042N03LSG RoHS || BSC042N03LSGATMA1 || BSC042N03LSGATMA1 Infineon TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC042N03LSG RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
67 szt.
Ilość szt. 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
cena netto (PLN) 3,1500 1,9800 1,6400 1,4600 1,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 20V 6,5mOhm 93A 57W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC042N03LSGATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 1,3700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 20V 6,5mOhm 93A 57W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,2mOhm; 100A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC042NE7NS3GATMA1; BSC042NE7NS3G;
BSC042NE7NS3G RoHS || BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC042NE7NS3G RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
5 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
cena netto (PLN) 7,8400 6,2100 5,2900 4,8600 4,6100
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 75V 20V 4,2mOhm 100A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC070N10NS3 G Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 14mOhm; 90A; 114W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC070N10NS3GATMA1;
BSC070N10NS3G RoHS || BSC070N10NS3GATMA1 || BSC070N10NS3 G TDSON-8
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC070N10NS3G RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
20 szt.
Ilość szt. 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
cena netto (PLN) 8,2200 6,9000 6,1300 5,6600 5,4800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 100V 20V 14mOhm 90A 114W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC070N10NS3GATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON-8
 
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,4800
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 100V 20V 14mOhm 90A 114W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 Infineon Technologies
BSC0909NSATMA1 Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 34V; 20V; 11,8mOhm; 44A; 27W; -55°C ~ 150°C;
BSC0909NS RoHS || BSC0909NSATMA1 || BSC0909NSATMA1 Infineon TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC0909NS RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 2,1800 1,2100 0,9530 0,8990 0,8700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 34V 20V 11,8mOhm 44A 27W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC0909NSATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,8700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 34V 20V 11,8mOhm 44A 27W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC190N15NS3G Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 20mOhm; 50A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC190N15NS3GATMA1;
BSC190N15NS3GATMA1 RoHS || BSC190N15NS3GATMA1 || BSC190N15NS3G Infineon TDSON08
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC190N15NS3GATMA1 RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON08
karta katalogowa
Stan magazynowy:
10 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
cena netto (PLN) 8,0100 6,3600 5,7500 5,4400 5,3400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
20
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 150V 20V 20mOhm 50A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC190N15NS3GATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,3400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 150V 20V 20mOhm 50A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC190N15NS3GATMA1
Obudowa dokładna:
TDSON08
 
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt.
Ilość szt. 5000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 5,3400
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
5000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 150V 20V 20mOhm 50A 125W SMD -55°C ~ 150°C TDSON08 Infineon Technologies
BSC440N10NS3GATMA1 Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 44mOhm; 5,3A; 29W; -55°C~150°C; BSC440N10NS3 G;
BSC440N10NS3G RoHS || BSC440N10NS3GATMA1 TDSON-8
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSC440N10NS3G RoHS
Obudowa dokładna:
TDSON-8
karta katalogowa
Stan magazynowy:
100 szt.
Ilość szt. 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
cena netto (PLN) 6,6300 4,6400 3,8300 3,5400 3,4900
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET 100V 20V 44mOhm 5,3A 29W SMD -55°C ~ 150°C TDSON-8 INFINEON
BSD214SN Infineon Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSD214SNH6327XTSA1; BSD214SNH6327;
BSD214SNH6327XTSA1 RoHS || BSD214SNH6327XTSA1 || BSD214SN Infineon SOT363
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSD214SNH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
17 szt.
Ilość szt. 3+ 10+ 40+ 147+ 588+
cena netto (PLN) 1,4800 0,9630 0,7090 0,6110 0,5680
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
147
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 20V 12V 250mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSD214SNH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT363
 
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,5680
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 20V 12V 250mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
BSD235CH6327XTSA1 Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 600mOhm/2,1Ohm; 950mA/530mA; 500mW; -55°C ~ 150°C;
BSD235CH6327XTSA1 RoHS || BSD235CH6327XTSA1 || BSD235CH6327XTSA1 SOT363
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSD235CH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3635 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1800 0,6260 0,4850 0,4480 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N/P-MOSFET 20V 12V 2,1Ohm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSD235CH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT363
 
Magazyn zewnetrzny:
327000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N/P-MOSFET 20V 12V 2,1Ohm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSD235CH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT363
 
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N/P-MOSFET 20V 12V 2,1Ohm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSD235CH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT363
 
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
Ilość szt. 100+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
100
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N/P-MOSFET 20V 12V 2,1Ohm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
BSD235NH6327XTSA1 Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 226mOhm; 950mA; 500mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: BSD235N H6327; BSD235N H6327; SP000917652;
BSD235NH6327XTSA1 RoHS || BSD235NH6327XTSA1 || BSD235NH6327XTSA1 SOT363
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSD235NH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
1700 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,6180 0,4100 0,3430 0,3190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
MOSFET 20V 12V 225mOhm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 INFINEON
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSD235NH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT363
 
Magazyn zewnetrzny:
75000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,3190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
MOSFET 20V 12V 225mOhm 950mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 INFINEON
BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 230mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
BSD314SPEH6327XTSA RoHS || BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon SOT363
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSD314SPEH6327XTSA RoHS
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
80 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1200 0,6110 0,4010 0,3620 0,3190
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
200
Ilość (wielokrotność 1)
P-MOSFET 30V 20V 230mOhm 1,5A 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 Infineon Technologies
BSD840N Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 400mOhm; 880mA; 500mW; -55°C~150°C; Odpowiedniki: BSD840NH6327XTSA1; BSD840NH6327;
BSD840NH6327XTSA1 RoHS || BSD840NH6327XTSA1 || BSD840N SOT363
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSD840NH6327XTSA1 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT363 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
3000 szt.
Ilość szt. 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
cena netto (PLN) 0,9450 0,5230 0,3470 0,2900 0,2700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
2xN-MOSFET 20V 8V 400mOhm 880mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 INFINEON
 
Producent:
Infineon
Symbol Producenta:
BSD840NH6327XTSA1
Obudowa dokładna:
SOT363
 
Magazyn zewnetrzny:
1119000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,2700
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
2xN-MOSFET 20V 8V 400mOhm 880mA 500mW SMD -55°C ~ 150°C SOT363 INFINEON
BSH103,215 Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 600mOhm; 850mA; 750mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH103,215; BSH103,235; BSH103.215;
BSH103 RoHS || BSH103,215 || BSH103,235 || BSH103,215 SOT23
Producent:
NXP
Symbol Producenta:
BSH103 RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23t/r
 
Stan magazynowy:
3890 szt.
Ilość szt. 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
cena netto (PLN) 1,1800 0,6260 0,4850 0,4480 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Ilość (wielokrotność 1)
N-MOSFET 30V 8V 600mOhm 850mA 750mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BSH103,215
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
75000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 8V 600mOhm 850mA 750mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BSH103,235
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
70000 szt.
Ilość szt. 10000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
10000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 8V 600mOhm 850mA 750mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
 
Producent:
Nexperia
Symbol Producenta:
BSH103,215
Obudowa dokładna:
SOT23
 
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt.
Ilość szt. 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.)
cena netto (PLN) 0,4290
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
3000
Dostawa w ciągu 4-7 dni roboczych.
Minimalna kwota zamówienia
musi przekraczać 20 Euro.
N-MOSFET 30V 8V 600mOhm 850mA 750mW SMD -55°C ~ 150°C SOT23 NXP
1    8  9  10  11  12  13  14  15  16    181

Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych

Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.

Jak są zbudowane tranzystory polowe?

Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:

  • kryształ,
  • pierwsza elektroda,
  • druga elektroda.
  • brama.

Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego. 

Jak działają tranzystory polowe?

Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.

Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru

Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:

  • P-FET,
  • J-FET,
  • MOSFET

Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.

Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.