Tranzystory polowe (wyszukane: 5412)
Produkt | Koszyk |
Typ tranzystora
|
Maksymalne napięcie dren-źródło
|
Maksymalne napięcie dren-bramka
|
Maksymalne napięcie bramka-źródło
|
Rezystancja otwartego kanału
|
Maksymalny prąd drenu
|
Maksymalna tracona moc
|
Montaż
|
Temperatura pracy (zakres)
|
Obudowa
|
Producent
|
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BM3415E SOT23 BORN
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 65mOhm; 4,8A; 1,5W; -50°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
280 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 300 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 20V | 8V | 65mOhm | 4,8A | 1,5W | SMD | -50°C ~ 150°C | SOT23 | BORN | |||||||||||||
BS107P DIODES
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 30Ohm; 120mA; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS107AG; BS107ARL1G; BS107P;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
40 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 30Ohm | 120mA | 500mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | DIODES | |||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 200V | 20V | 30Ohm | 120mA | 500mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BS107P Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
7891 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 200V | 20V | 30Ohm | 120mA | 500mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | DIODES | |||||||||||||
BS170
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS170(bulk); BS170G(tube); BS170D27Z; BS170D26Z; BS170G; BS170-GURT;BS170-D26Z; BS170-D27Z; BS170-D74Z; BS170-D75Z; BS170-LOSE; BS170; BS 170 Bulk;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BS170 RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
719 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BS170 Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
17000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BS170 Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
14160 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
Fairchild Symbol Producenta: BS170 Obudowa dokładna: TO92 |
Magazyn zewnetrzny:
24000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 1000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
BS170-D26Z (krępowane=forming)
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS170_D26Z(reel); BS170_D27Z(reel); BS170_D74Z/BS170_D75Z(ammo); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170 TAPE; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
ON-Semicoductor Symbol Producenta: BS170-D26Z RoHS Obudowa dokładna: TO92formed t/r |
Stan magazynowy:
3720 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92formed | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BS170FTA Obudowa dokładna: TO92formed |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92formed | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BS170FTA Obudowa dokładna: TO92formed |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 60V | 20V | 5Ohm | 500mA | 830mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92formed | ON SEMICONDUCTOR | ||||||||||||
BS170FTA smd
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5Ohm; 0,15mA; 330mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BS170FTA RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
565 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2403 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 5Ohm | 0,15mA | 330mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
BS250P
Tranzystor P-Channel MOSFET; 45V; 20V; 14Ohm; 230mA; 700mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BS250KL; BS250P; BS250P-DIC; BS250;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
Zetex Symbol Producenta: BS250P RoHS Obudowa dokładna: TO92bul |
Stan magazynowy:
485 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 500 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 45V | 20V | 14Ohm | 230mA | 700mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92formed | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BS250P Obudowa dokładna: TO92formed |
Magazyn zewnetrzny:
42029 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 4000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 45V | 20V | 14Ohm | 230mA | 700mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92formed | DIODES | |||||||||||||
BS250FTA
Tranzystor P-Channel MOSFET; 45V; +/-20V; 90mA; 14Ohm; 330mW; -55°C~150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 45V | 20V | 14Ohm | 90mA | 330mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
Producent:
DIODES/ZETEX Symbol Producenta: BS250FTA Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
P-MOSFET | 45V | 20V | 14Ohm | 90mA | 330mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | DIODES | |||||||||||||
BS270
Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Tranzystor: N-MOSFET | unipolarny | 60V | 0,4A | Idm: 2A | 0,625W | TO92
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
494 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 494 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2Ohm | 400mA | 625mW | THT | -55°C ~ 150°C | TO92 | ONSEMI | |||||||||||||
BSC010NE2LSATMA1 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 20V; 1,3mOhm; 100A; 96W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC010NE2LSATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
50 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 25V | 20V | 1,3mOhm | 100A | 96W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC010NE2LSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 25V | 20V | 1,3mOhm | 100A | 96W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC010NE2LSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 25V | 20V | 1,3mOhm | 100A | 96W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC016N04LS G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC016N04LSGATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
38 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 2,3mOhm | 100A | 139W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC016N06NS
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2,9mOhm; 100A; 139W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
64 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,9mOhm | 100A | 139W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC016N06NSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,9mOhm | 100A | 139W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC016N06NSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
20000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 60V | 20V | 2,9mOhm | 100A | 139W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC018NE2LS Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 25V; 20V; 2,3mOhm; 100A; 69W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC018NE2LSI; BSC018NE2LSATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 25V | 20V | 2,3mOhm | 100A | 69W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC018NE2LSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 25V | 20V | 2,3mOhm | 100A | 69W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC019N02KSG Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 3mOhm; 100A; 104W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC019N02KSGAUMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 3mOhm | 100A | 104W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC019N04NSGATMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 1,9mOhm; 100A; 125W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 1,9mOhm | 100A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC019N04NSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 1,9mOhm | 100A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC022N04LS6
Tranzystor N-MOSFET; 40V; 20V; 3,2mOhm; 139A; 79W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: BSC022N04LS6ATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 3,2mOhm | 139A | 79W | SMD | -55°C ~ 175°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC024NE2LS INFINEON
Tranzystor N-MOSFET; 25V; 20V; 3,4mOhm; 100A; 48W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC024NE2LSATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 510 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 25V | 20V | 3,4mOhm | 100A | 48W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC024NE2LSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 25V | 20V | 3,4mOhm | 100A | 48W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC027N04LSG
Tranzystor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4,1mOhm; 100A; 83W; -55°C ~ 150°C; BSC027N04LS G; BSC027N04LS G; SP000354810
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
81 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 40V | 20V | 4,1mOhm | 100A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON-8 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC027N04LSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
10000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 40V | 20V | 4,1mOhm | 100A | 83W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON-8 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON
Tranzystor N-Channel MOSFET; 80V; 20V; 5,7mOhm; 100A; 104W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
200 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 2300 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 80V | 20V | 5,7mOhm | 100A | 104W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON-8 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC040N08NS5ATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 80V | 20V | 5,7mOhm | 100A | 104W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON-8 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC042N03LSGATMA1 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6,5mOhm; 93A; 57W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
67 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 20V | 6,5mOhm | 93A | 57W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC042N03LSGATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 20V | 6,5mOhm | 93A | 57W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC042NE7NS3GATMA1 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,2mOhm; 100A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC042NE7NS3GATMA1; BSC042NE7NS3G;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
5 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 75V | 20V | 4,2mOhm | 100A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC070N10NS3 G
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 14mOhm; 90A; 114W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC070N10NS3GATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
20 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 50 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 100V | 20V | 14mOhm | 90A | 114W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON-8 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC070N10NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON-8 |
Magazyn zewnetrzny:
15000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 100V | 20V | 14mOhm | 90A | 114W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON-8 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC0909NSATMA1 Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 34V; 20V; 11,8mOhm; 44A; 27W; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 34V | 20V | 11,8mOhm | 44A | 27W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC0909NSATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 34V | 20V | 11,8mOhm | 44A | 27W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC190N15NS3G Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 150V; 20V; 20mOhm; 50A; 125W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSC190N15NS3GATMA1;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
10 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 20 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 150V | 20V | 20mOhm | 50A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC190N15NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 20mOhm | 50A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSC190N15NS3GATMA1 Obudowa dokładna: TDSON08 |
Magazyn zewnetrzny:
5000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 5000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 150V | 20V | 20mOhm | 50A | 125W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON08 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSC440N10NS3GATMA1
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; +/-20V; 44mOhm; 5,3A; 29W; -55°C~150°C; BSC440N10NS3 G;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
100 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 100V | 20V | 44mOhm | 5,3A | 29W | SMD | -55°C ~ 150°C | TDSON-8 | INFINEON | |||||||||||||
BSD214SN Infineon
Tranzystor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 250mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSD214SNH6327XTSA1; BSD214SNH6327;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
17 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 147 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 20V | 12V | 250mOhm | 1,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSD214SNH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
9000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 20V | 12V | 250mOhm | 1,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSD235CH6327XTSA1
Tranzystor N/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 600mOhm/2,1Ohm; 950mA/530mA; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3635 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N/P-MOSFET | 20V | 12V | 2,1Ohm | 950mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSD235CH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
327000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 20V | 12V | 2,1Ohm | 950mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSD235CH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 20V | 12V | 2,1Ohm | 950mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | Infineon Technologies | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSD235CH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 100 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N/P-MOSFET | 20V | 12V | 2,1Ohm | 950mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSD235NH6327XTSA1
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; -/+12V; 226mOhm; 950mA; 500mW; -55°C~150°C; Odpowiednik: BSD235N H6327; BSD235N H6327; SP000917652;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
1700 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
MOSFET | 20V | 12V | 225mOhm | 950mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | INFINEON | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSD235NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
75000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
MOSFET | 20V | 12V | 225mOhm | 950mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | INFINEON | |||||||||||||
BSD314SPEH6327XTSA1 Infineon
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 230mOhm; 1,5A; 500mW; -55°C ~ 150°C;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
80 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 200 Ilość (wielokrotność 1) |
P-MOSFET | 30V | 20V | 230mOhm | 1,5A | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | Infineon Technologies | |||||||||||||
BSD840N
Tranzystor 2xN-Channel MOSFET; 20V; +/-8V; 400mOhm; 880mA; 500mW; -55°C~150°C; Odpowiedniki: BSD840NH6327XTSA1; BSD840NH6327;
|
||||||||||||||||||||||||
Stan magazynowy:
3000 szt. |
||||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
2xN-MOSFET | 20V | 8V | 400mOhm | 880mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | INFINEON | |||||||||||||
Producent:
Infineon Symbol Producenta: BSD840NH6327XTSA1 Obudowa dokładna: SOT363 |
Magazyn zewnetrzny:
1119000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
2xN-MOSFET | 20V | 8V | 400mOhm | 880mA | 500mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT363 | INFINEON | |||||||||||||
BSH103,215
Tranzystor N-Channel MOSFET; 30V; 8V; 600mOhm; 850mA; 750mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: BSH103,215; BSH103,235; BSH103.215;
|
||||||||||||||||||||||||
Producent:
NXP Symbol Producenta: BSH103 RoHS Obudowa dokładna: SOT23t/r |
Stan magazynowy:
3890 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Ilość (wielokrotność 1) |
N-MOSFET | 30V | 8V | 600mOhm | 850mA | 750mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSH103,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
75000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 8V | 600mOhm | 850mA | 750mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSH103,235 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
70000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 10000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 8V | 600mOhm | 850mA | 750mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP | |||||||||||||
Producent:
Nexperia Symbol Producenta: BSH103,215 Obudowa dokładna: SOT23 |
Magazyn zewnetrzny:
60000 szt. |
|||||||||||||||||||||||
|
Sposób pakowania: 3000 Minimalna kwota zamówienia musi przekraczać 20 Euro. |
N-MOSFET | 30V | 8V | 600mOhm | 850mA | 750mW | SMD | -55°C ~ 150°C | SOT23 | NXP |
Tranzystory polowe do układów analogowych i cyfrowych
Obecnie tranzystory to nieodłączne elementy większości urządzeń elektrycznych i elektronicznych. Obecne są zarówno w układach analogowych, jak i cyfrowych. Wśród tranzystorów na szczególne wyróżnienie zasługują modele polowe, zwane również unipolarnymi. Warto jednak zauważyć, że katalog tranzystorów polowych zawiera liczne elementy, które dosyć znacząco się między sobą różnią. Warto nieco bliżej przyjrzeć się temu, czym tak naprawdę są tranzystory polowe i jak działają.
Jak są zbudowane tranzystory polowe?
Choć omawiane elementy nie są jednorodne, pewne cechy budowę są dla nich wspólne i odróżniają je od innych tranzystorów. Tak więc tranzystor polowy składa się z czterech głównych części, którymi są:
- kryształ,
- pierwsza elektroda,
- druga elektroda.
- brama.
Kryształ to główna część tranzystora polowego. Pełni on funkcję domieszkowanego półprzewodnika. Dzięki właściwościom kryształu tranzystory unipolarne działają poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Nie jest to możliwe w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których baza jest słabo domieszkowana. Jeśli chodzi o tranzystory polowe, symbol S oznacza pierwszą elektrodę, która odpowiada emiterowi w modelach bipolarnych. W tranzystorach bipolarnych pierwszą elektrodę określa się źródłem. Natomiast druga elektroda to dren oznaczany literą D, który pełni tę samą funkcję, co kolektory w tranzystorach bipolarnych. Bardzo ważną częścią każdego tranzystora polowego jest również brama, czyli trzecia elektroda. Znajduje się ona w kanale pomiędzy źródłem i drenem. Ta część pełni taką samą funkcję jak baza, będąca nieodłącznym elementem każdego tranzystora bipolarnego.
Jak działają tranzystory polowe?
Warto nieco bliżej przyjrzeć się mechanizmom działania tranzystorów polowych, aby wyjaśnić, skąd ich popularność. Otóż za sprawą zastosowania kryształu tranzystor polowy jest w stanie pełnić swoją funkcję poprzez wykorzystanie pola elektromagnetycznego. Co więcej, prąd w tranzytstorze tego typu nie przepływa przez bramkę. W tak zwanej bramce, czyli bazie, wskutek przyłożenia wspomnianego kryształu powstaje pole elektromagnetyczne. Natomiast za sprawą powstałego pola dochodzi do zmiany przekroju kanału. Brak wpływu i wypływu prądu z bramki gwarantuje wysoką wartość rezystancji wejściowej. To bardzo cenna właściwość, zwłaszcza w analogowych zastosowaniach tranzystorów polowych.
Katalog tranzystorów polowych, czyli co masz do wyboru
Oferujemy rozmaite tranzystory polowe, przeznaczone zarówno do urządzeń analogowych, jak i cyfrowych. Nasz katalog tranzystorów polowych obejmuje między innymi:
- P-FET,
- J-FET,
- MOSFET
Choć tranzystory polowe są różnorodne, co widać choćby po naszej ofercie, szczególnie wysoko ceni się jedną ich grupę. Chodzi o tranzystory polowe Mosfet. Są to modele różnorodne, które jednak posiadają pewne wspólne cechy wyróżniające je na tle innych typów urządzeń. Jeśli chodzi o tranzystory Mosfet, katalog obejmuje modele o szczególnie dużej wydajności działania. Ponadto, tym co wyróżnia tego typu tranzystory polowe, jest możliwość łączenia ich ze sobą. Dzięki temu powstają bardzo skomplikowane układy scalone.
Klasyczne tranzystory Mosfet można wykorzystać w urządzeniach analogowych, na przykład jako przełączniki. Jednak popularność tranzystorów z tej grupy wynika przede wszystkim z możliwości wykorzystania ich w najbardziej zaawansowanych technologicznie układach cyfrowych. Katalog tranzystorów Mosfet zawiera modele przeznaczone do wykorzystania w mikroprocesorach, czy też bramkach CMOS.