BC817-40,215

Symbol Micros: TBC81740
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor NPN; 600; 250mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 600; 250mW; 45V; 500mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 600
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC817-40 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0729 0,0281 0,0137 0,0109 0,0104
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Standard-Verpackung:
3000/120000
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC817-40,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
990480 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0729 0,0281 0,0137 0,0109 0,0104
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 600
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN
Ausführliche Beschreibung

Transistor type: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 500mA
Power: 250mW
Case: SOT23
Mounting: SMD

Symbol Micros

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