BC817-40 MLCCBASE

Symbol Micros: TBC81740 MLC
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Gehäuse: SOT23
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Transistor NPN; 600; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 600; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 600
Hersteller: MLCCBASE
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: MLCCBASE Hersteller-Teilenummer: MSBC817-40 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
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300 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0580 0,0217 0,0116 0,0087 0,0080
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 600
Hersteller: MLCCBASE
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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