BC817-40 HXY MOSFET
Symbol Micros:
TBC81740 HXY
Gehäuse: SOT23
NPN-Transistor; 600; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC817-40,215; BC817-40,235; BC817-40LT1G; BC817-40LT3G; BC817-40 RFG; BC817-40-7-F; BC817-40-TP;
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Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
| Verlustleistung: | 300mW |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Hersteller: | HXY MOSFET |
| Stromverstärkungsfaktor: | 600 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Verlustleistung: | 300mW |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Hersteller: | HXY MOSFET |
| Stromverstärkungsfaktor: | 600 |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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