BC847B,215

Symbol Micros: TBC847b
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor NPN; 450; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 450; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 450
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC847B,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
377550 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0662 0,0254 0,0124 0,0099 0,0094
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 450
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN
Ausführliche Beschreibung

Manufacturer: NXP Semiconductors
Transistor type: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 100mA
Power: 250mW
Case: SOT23
Current gain: 290
Mounting: SMD

Symbol Micros

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