BC847B GALAXY

Symbol Micros: TBC847b GAL
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor NPN; 450; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 450; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 450
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: GALAXY
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: GALAXY Hersteller-Teilenummer: BC847 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0669 0,0259 0,0126 0,0100 0,0096
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 450
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: GALAXY
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole