BC847BE6327

Symbol Micros: TBC847b inf
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive

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Parameter
Verlustleistung: 330mW
Grenzfrequenz: 250MHz
Stromverstärkungsfaktor: 450
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BC847BE6433HTMA1 Gehäuse: SOT23-3 t/r  
Externes Lager:
50000 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,0238
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BC847BE6327HTSA1 Gehäuse: SOT23-3 t/r  
Externes Lager:
21000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,0264
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 330mW
Grenzfrequenz: 250MHz
Stromverstärkungsfaktor: 450
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN