BC847BE6327

Symbol Micros: TBC847b inf
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive

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Parameter
Verlustleistung: 330mW
Stromverstärkungsfaktor: 450
Hersteller: Infineon Technologies
Grenzfrequenz: 250MHz
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 330mW
Stromverstärkungsfaktor: 450
Hersteller: Infineon Technologies
Grenzfrequenz: 250MHz
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN