BC847BE6327
Symbol Micros:
TBC847b inf
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive Transistor GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive
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Parameter
Verlustleistung: | 330mW |
Grenzfrequenz: | 250MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 450 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gehäuse: | SOT23-3 t/r |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BC847BE6327HTSA1
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Externes Lager:
27475 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0245 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BC847BE6433HTMA1
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Externes Lager:
50000 stk.
Anzahl Stück | 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0238 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BC847BE6327HTSA1
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Externes Lager:
96000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0243 |
Verlustleistung: | 330mW |
Grenzfrequenz: | 250MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 450 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gehäuse: | SOT23-3 t/r |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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