BC847B HXY MOSFET
Symbol Micros:
TBC847b HXY
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
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Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 450 |
| Hersteller: | HXY MOSFET |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 450 |
| Hersteller: | HXY MOSFET |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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