BSS138-7-F Diodes

Symbol Micros: TBSS138 DIO
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
N-MOSFET 50V 200mA 3.5mΩ 300mW
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BSS138-7-F RoHS .K38 Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2135 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1322 0,0606 0,0331 0,0247 0,0220
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 3,5Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Msx. Drain-Gate Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD