BSS138-TP

Symbol Micros: TBSS138-TP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 50V; 20V; 6Ohm; 220mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; BSS138-TP-ES;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: Micro Comercial Components Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: BSS138-TP RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
31600 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1005 0,0397 0,0231 0,0169 0,0155
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Micro Commercial Components Corp. Hersteller-Teilenummer: BSS138-TP Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
2683000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0155
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 6Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: Micro Comercial Components Corp.
Max. Drain-Source Spannung: 50V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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